SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会 第11回講演会プログラム
主催：応用物理学会SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
場所：法政大学市ヶ谷キャンパス ボアソナード･タワー（26F スカイホール）
11th Meeting on SiC and Related Widegap Semiconductors,
Ichigaya Campus, Hosei University, Nov. 20-22, 2002
11月20日（水）15:00-18:00
(Nov. 20, Wednesday, 15:00-18:00)
参加登録、自由討論、情報交換会（Registration
and Free Discussion）15:00-18:00
15:00 参加登録受付開始（Registration）
15:00-18:00 自由討論、情報交換会（Free
Discussion）
11月21日（木）9:30-18:00（懇親会18:30-21:00）
(Nov. 21, Thursday, 9:30-18:00, Reception
18:30-21:00)
8:15 参加登録受付開始
9:30 開会の辞（Opening
Address）
鈴木 彰（立命館大学）
I.招待講演１（Invited
Talks 1）9:40-11:55
I-1 9:40 大口径3C-SiC(001)基板：現状と課題
（Large
diameter 3C-SiC(001) substrates: Current status and issues）
長澤弘幸（HOYAアドバンストセミコンダクタテクノロジーズ）
I-2 10:10 大容量素子を目指した4H-SiCエピ成長技術の開発
（Development
of 4H-SiC epitaxial growth techniques for high power device）
土田秀一、鎌田功穂、直本 保、三柳俊之、和泉俊介、俵 武志、
泉 邦和（電力中央研究所横須賀研究所）
10:40-10:55
休憩（Break）
I-3 10:55 陽電子消滅法によるSiC中の点欠陥評価
(Study
of Point Defects in SiC using Positron Annihilation Spectroscopy)
河裾厚男（日本原子力研究所）
I-4 11:25 電力変換用AlGaN/GaNパワーHFET
（AlGaN/GaN
power HFET for an inverter device）
吉田清輝（古河電気工業 横浜研究所）
11:55-13:00
昼食（Lunch）
II.一般講演 （ポスター１）（Contributed
Papers for Poster Presentation 1）13:00-14:30
14:30-14:45
休憩（Break）
III.国際会議報告（International
Meeting Reports）14:45-16:15
III-1 14:45 ECSCRM2002（結晶成長関連）
土田秀一（電力中央研究所）
III-2 15:00 ECSCRM2002（物性・基礎関連）
矢野裕司（奈良先端科学技術大学院大学）
III-3 15:15 ECSCRM2002（プロセス関連）
桐谷範彦（新機能素子研究開発協会先進パワーデバイス研究所）
III-4 15:30 ECSCRM2002（デバイス関連）
大塚健一（三菱電機先端技術総合研究所）
III-5 15:45 ISPSD'02
大橋弘通、四戸 孝（東芝）
III-6 16:00 IWN2002
沈 旭強、Cho Dong-Hyun、奥村 元（産業技術総合研究所）
16:15-16:30
休憩（Break）
IV.一般講演（ポスター２）（Contributed
Papers for Poster Presentation 2）16:30-18:00
18:30-21:00 懇親会（アルカディア市ヶ谷）（Reception
at Arcadia Ichigaya）
11月22日（金）9:00-16:30
(Nov. 22, Friday, 9:00-16:30)
8:15 参加登録受付開始（Registration）
V.招待講演２（Invited
Talks 2）9:00-10:00
V-1 9:00 非c面上への4H-SiCエピタキシャル成長とデバイス応用
（Epitaxial growth of 4H-SiC on non-basal
planes and device application）
木本恒暢、中村俊一、橋本浩一、根来祐樹、矢野裕司、松波弘之（京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻）
V-2 9:30 SiC
MOS界面の高品質化とMOSFETの作製
（High
quality SiC MOS interface and fabrication of SiC MOSFETs）
福田憲司1,2、鈴木誠二1,3、先崎純寿1,2、小杉亮治1,2、原田信介1,2、
岡本光央1,2、加藤 真1,2、鈴木賢二1,3、児島一聡1,2,3、鈴木誉也1,3、
高尾和人1,2、茂木宝博1,2、八尾 勉1,2,3（超低損失電力素子技術研究体1、産業技術総合研究所パワーエレクトロニクスセンター2、新機能素子研究開発協会3）
10:00-10:15
休憩（Break）
VI.分野別討論１（Topical
Discussion 1）10:15-11:45
下記のテーマに分かれて議論を行います。
VI-1 10:15-11:45 SiC結晶成長技術：大口径化への課題、ﾏｲｸﾛﾊﾟｲﾌﾟはもう問題でないのか？
オーガナイザー：西野茂弘（京都工芸繊維大学）
VI-2 10:15-11:45 イオン注入による低抵抗化と欠陥制御
オーガナイザー：中嶋堅志郎（名古屋工業大学）
11:45-12:45
昼食（Lunch）
VII.分野別討論２（Topical
Discussion 2）12:45-14:15
下記のテーマに分かれて議論を行います。
VII-1 12:45-14:15 SiC
MOSのパワーデバイスへ向けた課題
オーガナイザー：上野勝典（富士電機総合研究所）、四戸 孝（東芝）
VII-2 12:45-14:15 GaNデバイスの基板として最適な材料は？
オーガナイザー：新井 学（新日本無線）、佐野芳明（沖電気工業）
14:15-14:30
休憩（Break）
VIII.招待講演３（Invited
Talks 3）14:30-15:30
VIII-1 14:30 pnダイオードの劣化現象におけるSiC結晶欠陥の影響
（Impact of SiC crystal defects on the
degradation phenomenon of pn diodes）
Rajesh
Kumar Malhan（デンソー基礎研究所）
VIII-2 15:00 民生用パワーデバイスとSiCの応用
北畠 真（松下電器産業くらし環境開発センタ）
IX.集中討議（Discussion）15:30-16:50
ポスター発表の中から、トピックス的なもの選出させて頂き、参加者全員で討議します。
16:50 閉会（Closing）
II. 一般講演（ポスター１）（Contributed Papers for Poster
Presentation 1）
SiCエピタキシャル成長
II-1 MMSiとDMSiを用いたSi(001)上β-SiC成長初期の構造
(Growth
mode of b-SiC on Si(001) using MMSi and DMSi)
成田 克、森本貫太郎、原島正幸、安井寛治、赤羽正志
長岡技術科学大学電気系
II-2 3C-SiCのホモエピ厚膜成長
(Study
of homoepitaxially grown 3C-SiC thick films)
高橋徹夫1、石田夕起1、奥村 元1、吉田貞史1,2、荒井和雄1
産業技術総合研究所1、埼玉大学工学部2
II-3 低速イオンビームによる3C-SiCヘテロエピ成長
(3C-SiC
hetero-epilayer formation by low-velocity ion beams)
坪内信輝、茶谷原昭義、杢野由明、木野村淳、堀野裕治
産業技術総合研究所純度制御材料開発研究ラボ
II-4 Si2Cl6+C3H8+H2系による2インチSi(100)基板上への3C-SiCのヘテロエピタキシャル成長
(Hetero-epitaxial
growth of 3C-SiC on 2 inch Si(100) substrates by using Si2Cl6+C3H8+H2
gas system)
西口太郎、大島 悟、西野茂弘
京都工芸繊維大学
II-5 エアブリッジ構造3C-SiCのヘテロエピタキシャル成長
(Heteroepitaxial
growth of air-bridged 3C-SiC)
奥井陽一1、Chacko
Jacob2、大島 悟1、西野茂弘1
京都工芸繊維大学電子情報工学科1、Indian Institute of Technology2
II-6 LPCVD法による低温シリコン基板への3C-SiC生成過程でのソースガス･クラッキング効果
(Effect
of the source-gas cracking for 3C-SiC growth process on low temperature
substrates by LPCVD)
金子 聰、宮川宣明、藤山雄一郎
東京理科大学理学部
II-7 3C-SiC
(001)基板に対するホモエピタキシャル成長前処理の検討
(Examination
of pre-growth treatment for 3C-SiC (001) substrates)
宮本浩靖1、石田夕起2、高橋徹夫2、奥村 元2、西澤伸一2、吉田貞史3、米井健治1
芝浦工業大学1、産業技術総合研究所2、埼玉大学工学部3
II-8 Adsorption
kinetics of organosilanes on Si(001)
K.
Senthil1, H. Nakazawa2, M. Suematsu1
Research
Institute of Electrical Communication, Tohoku University 1,
Materials Science and Technology, Faculty of Science and Technology, Hirosaki
University2
II-9 6H-SiC (0001)面上におけるスパイラル成長のC/Si比依存性
(Effect
of C/Si ratio on spiral growth on 6H-SiC (0001))
中村俊一1,2、木本恒暢1、松波弘之1
京都大学工学研究科1、京都高度技術研究所知的クラスタープロジェクト2
II-10 4H-SiC CVD成長時のC/Si比と表面形状
(Surface
morphology and C/Si ratio during 4H-SiC CVD growth)
鎌田功穂、土田秀一、直本 保、三柳俊之、泉 邦和
電力中央研究所横須賀研究所
SiC物性評価・基礎
II-11 フォトルミネッセンスを用いた3C-SiCの評価
(Characterization
of 3C-SiC by photoluminescence)
星乃紀博1,2、田島道夫1
宇宙科学研究所1、東京大学2
II-12 アンジュレーションSi基板上に成長された3C-SiCのフォトルミネッセンス評価
(Photoluminescence
studies of 3C-SiC films grown on undulant Si substrates)
山田利道1、伊藤公平1、長澤弘幸2
慶応義塾大学理工学部1、HOYAアドバンスト・セミコンダクタ・テクノロジーズ2
II-13 アルゴンアニーリングしたドライ酸化膜/SiC界面の物理特性とその電気特性の関連性について
(Relationship
between physical and electrical characteristics for dry-oxide/SiC interface
annealed with Ar ambient)
吉川正人1、直本 保2、土方泰斗3、緑川正彦3、石田夕起4、土田秀一2、関口 聡3、奥村 元4、
神谷富裕1、吉田貞史3
日本原子力研究所1、電力中央研究所2、埼玉大学3、産業技術総合研究所4
II-14 分光エリプソメータによるSiC/酸化膜界面の評価（II）
(Characterization
of the interfaces between SiC and oxide films by spectroscopic ellipsometer
(II))
緑川正彦1,2、土方泰斗2、矢口裕之2、吉川正人1、神谷富裕1、吉田貞史2
日本原子力研究所高崎研究所1、埼玉大学工学部2
II-15 分光エリプソメータによるSiC上酸化膜の酸化初期過程観察
(Initial
stage of SiC oxidation studied by spectroscopic ellipsometer)
関口 聡、川戸郷史、吉田 聡、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史
埼玉大学工学部
II-16 第一原理計算による急峻なSiO2/4H-SiC(0001)界面の界面準位分布
大沼敏治、土田秀一、鎌田功穂、直本
保
電力中央研究所狛江研究所
II-17 紫外線光電子分光法によるドライ酸化膜/4H-SiC界面の評価
(Ultraviolet
photoelectron spectroscopy studies on dry-oxide/4H-SiC interfaces)
土方泰斗1、矢口裕之1、石田夕起2、吉川正人3、神谷富裕3、吉田貞史1
埼玉大学1、産業技術総合研究所2、日本原子力研究所3
II-18 低速陽電子ビームを用いたSiO2/SiC界面の評価
(Defects
in SiO2/SiC interface probed by a slow positron beam)
前川雅樹、河裾厚男、吉川正人
日本原子力研究所高崎研究所
II-19 Co/3C-SiC接合系の固相反応
(Solid
state reaction in Co/3C-SiC system)
安 振連、平井正明、日下征彦、岩見基弘
岡山大学理学部
II-20 電子線照射した4H-SiC中の欠陥のESR評価
(ESR
characterization of defects in electron-irradiated 4H-SiC)
磯谷順一1、水落 憲1、大島 武2、森下憲雄2、瀧澤春喜2、伊藤久義2
筑波大学知的コミュニティ基盤研究センター1、日本原子力研究所高崎研究所3
SiCプロセス技術
II-21 6H-SiCへの窒素イオン注入によるn+層の形成
(Formation
of n+ layers in 6H-SiC by nitrogen implantation)
杉山厚志、岩田公一郎、大沼隆則、稲田太郎
法政大学工学部
II-22 パルスレーザ−・アニーリングによるイオン注入SiCの結晶回復効果
(Recrystalization
of ion implanted SiC by pulsed laser annealing)
水田成則、大野靖弘、安部功二、江龍 修、中嶋堅志郎
名古屋工業大学電子情報工学専攻
II-23 誘導加熱方式を用いた大口径4H-SiCの急速活性化アニール
(Rapid
thermal activation of large-diameter 4H-SiC with inductive-heating method)
稲田正樹1,3、Na hoon-Joo1,3、桐谷範彦1,2,3、谷本 智1,2,3、高橋徹夫1,3、荒井和雄1,3
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクスセンター1、新機能素子研究開発協会先進パワーデバイス研究所2、超低損失電力素子技術開発研究体3
II-24 窒素イオン注入6H-SiCの短時間アニール
(Short
time annealing of N-implanted 6H-SiC)
安部功二、小木 理、武市茂夫、江龍 修、中嶋堅志郎
名古屋工業大学電子情報工学専攻
II-25 SiC中にイオン注入で形成された重損傷層のイオンビームアニーリング
(Ion
beam annealing of heavily damaged layers formed by ion implantation in SiC)
木野村淳、茶谷原昭義、杢野由明、坪内信輝、Claire Heck、堀野裕治
産業技術総合研究所純度制御材料開発研究ラボ
SiCデバイス
II-26 浮遊接合構造によるSiC材料限界のブレイクスルー
(SiC
device limitation breakthrough with novel floating junction structure)
安達和広1,2、大村一郎3、ルディ・オノ1,4、西尾譲司1,4、四戸孝1,3,4、大橋弘通3、荒井和雄1,2
UPR1、産総研PERC2、(株)東芝3、FED4
II-27 RESURF型SiC-JFETの設計と試作
(Trial
design and fabrication of RESURF type SiC-JFET)
原田 真1、藤川一洋1、木本恒暢2、松波弘之2
住友電気工業エネルギー環境技術研究所1、京都大学大学院工学研究科2
II-28 インフィニオン社製SiCショットキーダイオードのプロセスウエハ内における特性分布
(Characteristic
distributions in a processed wafer of Infineon SiC Schottky diodes)
高尾和人1,2、Rudi Ono2,3、大野俊之2,3、廣瀬富佐雄2,3、西澤伸一1,3、八尾 勉1,2,3、荒井和雄1,3
産業技術総合研究所1、新機能素子研究開発協会2、超低損失電力素子研究体3
II-29 縦型MOSFETのオン抵抗と結晶方位の関係の考察
(A
study on the relationship between on-resistance and crystal-orientation of
SiC-DMOSFETs)
八尾 勉1,2,3、福田憲司1,3、荒井和雄1,3
産業技術総合研究所1、新機能素子研究開発協会2、超低損失電力素子研究体3
II-30 Al、Bイオン注入による4H-SiC (110) pn ダイオードの作製と特性
(Fabrication
and characterization of 4H-SiC (110) pn diodes)
根来佑樹、木本恒暢、松波弘之
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
II-31 負電界下に置かれたSiCゲート酸化膜の信頼性
(Reliability
of SiC gate-oxide under negative electric field)
谷本 智1,2、桐谷範彦1,2、星 正勝1,2、大串秀世1,3、荒井和雄1,3
超低損失電力素子研究体1、新機能素子研究開発協会2、産業技術総合研究所3
窒化物
II-32 第一原理計算によるSiC(0001)基板上のGaN(0001)エピタキシャル成長の研究
(Study
for epitaxial growth of GaN(0001) on SiC(0001) using the first-principles
calculation)
石井
晃1,2、小山聖史1、逢坂
豪1
鳥取大学工学部1、産業技術総合研究所2
II-33 バルクGaN単結晶上にRF-MBE法を用いて成長したMg添加GaN薄膜の電気的・光学的特性
(Electrical
and optical properties of Mg-doped GaN thin films grown on bulk GaN single
crystals by RF-MBE)
岩田史郎1、久保秀一1、小西将史1、倉井 聡1、田口常正1、甲斐荘敬司2、横畑彰人2
山口大学工学部1、ジャパンエナジー精製技術センター2
IV. 一般講演（ポスター２）（Contributed Papers for Poster
Presentation 2）
SiCエピタキシャル成長
IV-1 Homoepitaxial SiC
growth by gas source molecular beam epitaxy with monomethylesilane
M.
Komatz1, K. Senthil2, M. Suematsu2, M. Nagano1
Research
& Development Center, Tohoku Electric Power Co., Inc.1, Research
Institute of Electrical Communication, Tohoku University2
IV-2 テトラエチルシランを用いたSiC薄膜の成長
(Growth
of SiC films using tetraethylsilane)
久保直紀1、朝比奈秀一2、川瀬 剛3、金山信幸2、津田 大4、森谷明弘1、北原邦紀1
島根大学総合理工学部1、島根県産業技術センター2､住友大阪セメント3､大阪府立大学大学院工学研究科4
IV-3 3インチφウエーハ上4H-SiCエピタキシャル膜の面内均一性
(Homogeneity
of 4H-SiC epitaxial layer on 3-inch diameter wafer)
西尾譲司1,3、長谷川満1,3、児島一聡1,2,3、大野俊之1,3、石田夕起2,3、高橋徹夫2,3、鈴木誉也1,3、
田中知行1,3、荒井和雄2,3
新機能素子研究開発協会1、産業技術総合研究所2、超低損失電力素子研究体3
IV-4 4H-SiCエピタキシャル層中のbasal
plane転位の観察
(Observation
of basal plane dislocation in 4H-SiC epitaxial layers)
大野俊之1,2、山口博隆1,3、児島一聡1,3、西尾譲司1,2、高橋徹夫1,3、石田夕起1,3、鈴木誉也1,2、
荒井和雄1,3
超低損失電力素子研究体1、新機能素子研究開発協会2、産業技術総合研究所3
IV-5 4H-SiCエピタキシャル膜中の結晶欠陥の評価
(Analysis
for in-grown defects of 4H-SiC epitaxial layers)
和泉俊介、俵 武志、土田秀一、鎌田功穂、泉 邦和
電力中央研究所横須賀研究所
IV-6 4H-SiCエピ膜の結晶欠陥のマッピング評価
(Mapping
evaluation of the crystal defects in 4H-SiC epitaxial layers)
俵 武志、和泉俊介、土田秀一、鎌田功穂、泉 邦和
電力中央研究所横須賀研究所
IV-7 昇華近接法による2インチSiC基板へのエピタキシャル成長
(Epitaxial
growth by sublimation close space technique using 2-inch substrate)
高木宏樹、佐々木信、古庄智明、大島
悟、西野茂弘
京都工芸繊維大学電子情報工学科
IV-8 4H-SiC
C(000-1)面のホモエピタキシャル成長
(Homoepitaxial
growth of 4H-SiC C(000-1) face)
児島一聡1,2,3、鈴木誉也1,3、黒田悟史1,2、福田憲司1,2、田中知行1,3、荒井和雄1,2
超低損失電力素子研究体1、産業技術総合研究所パワーエレクトロニスクセンター2、新機能素子研究開発協会先進パワーエレクトロニクス研究所3
IV-9 気相中におけるクラスター形成のその場観察
(In-situ
observation of the cluster nucleation in gas phase)
石田夕起1、高橋徹夫1、奥村元1、荒井和雄1、吉田貞史2
産業技術総合研究所1、埼玉大学工学部2
SiC物性評価・基礎
IV-10 4H-SiCのインパクトイオン化率の測定
(Measurement
of the impact ionization rate in 4H-SiC)
畠山哲夫1,4、渡辺貴俊1,4、児島一聡2,4、櫛部光弘1,4、今井聖支1,4、四戸 孝1,4、鈴木誉也2,4、
田中知行2,4、荒井和雄3,4
新機能素子研究開発協会先進パワーデバイス研究所（c/o東芝研究開発センター個別半導体基盤技術ラボ）1、新機能素子研究開発協会先進パワーデバイス研究所（c/o産業技術総合研究
PERC）2､産業技術総合研究所PERC3､超低損失電力素子技術研究体4
IV-11 6H-SiC中の深い準位の光励起容量過渡応答法による測定
(Measurements
of deep levels in 6H-SiC by optical capacitance-transient spectroscopy)
中倉洋平1、加藤正史1、市村正也1、荒井英輔1、徳田 豊2、西野茂弘3
名古屋工業大学1、愛知工業大学2､京都工芸繊維大学3
IV-12 赤外反射分光による6H-SiCウェハのキャリア濃度及び移動度の評価
(Characterization
of the carrier concentration and mobility in 6H-SiC wafers using infrared
spectroscopy)
成田勝俊1、土方泰斗1、矢口裕之1、吉田貞史1,2、中島信一2,3,4
埼玉大学1、産業技術総合研究所2、新機能素子研究開発協会3、超低損失電力素子研究体4
IV-13 分光手法によるSiC結晶の伝導性評価
(Spectroscopic
characterization of electrical properties in 4H-SiC crystals)
中島信一1,2,3、播磨 弘4、成田勝俊5、吉田貞史1,5、矢口裕之5
産業技術総合研究所1、新機能素子研究開発協会2、超低損失電力素子研究体3、京都工芸繊維大学電子情報工学科4、埼玉大学工学部5
IV-14 SiC(0001)表面におけるステップ間相互作用
(Step-step
interactions on Si(0001))
中川啓志、田中 悟、末宗幾夫
北海道大学電子科学研究所
IV-15 SiC単結晶における応力と転位の関係
(Relationship
between the thermal stress and dislocation in SiC single crystals)
小栗英美1、岡本篤人2、杉山尚宏1、木藤泰雄1、永久保雅夫1、恩田正一1
デンソー基礎研究所1、豊田中央研究所2
IV-16 4H-SiCの現実的バンド構造のもとでの衝突イオン化確率
(Impact
ionization probabilities of 4H-SiC under a realistic band structure)
佐野伸行1、白石賢二2
筑波大学物理工学系1、筑波大学物理学系2
IV-17 A NIEL study of the radiation
hardness of silicon carbide
K.K.
Lee1,2, T. Ohshima1, A. Saint3, T. Kamiya1,
D.N. Jamieson2, H. Itoh1
Japan
Atomic Energy Research Institute1, School of Physics, University of
Melbourne, Australia2, GBC Scientific Equipment, Australia3
SiCプロセス技術
IV-18 窒素雰囲気加熱によるSiC(000-1)面の平坦化
(Flattening
the SiC(000-1) surface by annealing in nitrogen atmosphere)
原田昌史、永野孝幸、柴田典義
ファインセラミックスセンター
IV-19 原子状酸素による4H-SiC酸化
(Oxidation
of SiC by atomic oxygen)
小杉亮治1,2、福田憲司1,2、荒井和雄1,2
産業技術総合研究所1、超低損失電力素子研究体2
IV-20 エキシマーレーザー照射によるSiC表面清浄化と電気的特性への効果
(Effect
of SiC surface cleaning by excimer laser irradiation on electrical properties)
住友正清、刈屋佑介、加藤三奈、安部功二、江龍 修、中嶋堅志郎
名古屋工業大学電子情報工学専攻
IV-21 n型4H-SiC上に形成したメタルシリサイド電極の評価
(Evaluations
of metal silicide contacts to n-type 4H-SiC)
堀部竜信、中村智宣、柳原佐知子、片上崇治、人見剛史、佐藤政孝
法政大学イオンビーム工学研究所
IV-22 4H-SiC(110)に形成した高濃度Pイオン注入層の評価
(Evaluation
of high-dosed P ion-implanted layer in 4H-SiC(110))
人見剛史1、片上崇治1、堀部竜信1、柳原佐知子1、中村智宣1、佐藤政孝2
法政大学工学部1、法政大学イオンビーム工学研究所2
IV-23 n型6H-SiC
(110)面上に形成したNiSi2電極の電気特性
(Electrical
properties of NiSi2 contact to n-type 6H-SiC (110))
中村智宣、横山沙代子、片上崇治、人見剛史、堀部竜信、柳原佐知子、佐藤政孝
法政大学イオンビーム工学研究所
IV-24 過渡イオンビーム誘起電流（TIBIC）によるSiC
pnダイオード電極の評価
(Evaluation
of the electrodes on SiC pn diodes using transient ion beam induced current
(TIBIC))
大島 武1、Kin
Kiong Lee1、小野田忍2、及川将一1、Jamie
S. Land1、平尾敏雄1、神谷富裕1
日本原子力研究所1、東海大学2
SiCデバイス
IV-25 4H-SiCユニポーラデバイスの高周波動作時のドレイン･ソース容量のスイッチング損失とSiとの比較
(4H-SiC
unipolar device switching-loss by Cds in high-frequency operation in comparison
with Si)
安達和広1,2、荒井和雄1,2
UPR1、産総研PERC2
IV-26 4H-SiCパンチスルー型ドリフト層構造の数値計算による最適化
(Numerical
optimization for drift layer with punch-through structure for 4H-SiC)
安達和広1,2、荒井和雄1,2
UPR1、産総研PERC2
IV-27 埋め込みチャネル構造を有する4H-SiC横型RESURF
MOSFET
(4H-SiC
lateral RESURF MOSFET with a buried channel structure)
原田信介1,3、鈴木誠二1,2、八尾 勉1,2,3、高尾和人1,3、茂木宝博1,3、福田憲司1,3
超低損失電力素子研究体1、新機能素子研究開発協会2、産業技術総合研究所パワーエレクトロニクスセンター3
IV-28 高耐圧エピ層チャネルMOSFETの作製と特性評価
(Fabrication
and characterization of high-voltage epilayer-channel MOSFET)
今泉昌之、樽井陽一郎、杉本博司、大塚健一、高見哲也、尾関龍夫
三菱電機先端技術総合研究所
IV-29 4H-SiC(110) MOSFETのチャネル移動度のウエット酸化温度依存性
(Wet
oxidation temperature dependence of inversion channel mobility of 4H-SiC MOSFET
on (110) face)
先崎純寿1,3、児島一聡1,2,3、鈴木誉也1,2、福田憲司1,3
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクスセンター1、新機能素子研究開発協会先進パワーデバイス研究所2、超低損失電力素子研究体3
IV-30 4H-SiC基板を用いた低VF SBDの開発
(The
development of low
VF SBD with 4H-SiC)
松下政志、岡村裕司、三浦峰生、鬼頭孝之、高須秀視
ローム半導体デバイス研究開発部
IV-31 1.7kV 4H-SiC及び1.4kV
6H-SiCメサ型PINダイオードの作製
(Fabrication
of 1.7kV 4H-SiC and 1.4kV 6H-SiC mesa-type PIN diodes)
田中保宣1,2、大野俊之2,3、小柳直樹2,3、西澤伸一1,2、鈴木誉也2,3、福田憲司1,2、畠山哲夫2,3、
四戸 孝2,3、八尾 勉1,2,3、荒井和雄1,2
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクスセンター1、超低損失電力素子研究体2、新機能素子研究開発協会先進パワーデバイス研究所3
窒化物
IV-32 GaNへのSi+イオン注入
(Characterization
of Si+-ion-implanted layers in GaN)
松長 聡、川路拓洋、吉田修平、仲野逸人、稲田太郎
法政大学工学部
IV-33 GaNに対する不純物ドーピング
(Mg-doping
to n-type GaN)
橋本 健、筧 滋、安部功二、江龍 修、中嶋堅志郎
名古屋工業大学電子情報工学科
IV-34 Si照射法によるrf-MBE成長したGaNの表面平坦化及び転位低減
(Surface
flattening and dislocation reduction of rf-MBE-grown GaN by Si irradiation)
沈 旭強、井出利英、清水三聡、松畑洋文、奥村 元
産業技術総合研究所
VI．分野別討論１（Topical Discussion 1）内容
VI-1 SiC結晶成長技術：大口径化への課題、ﾏｲｸﾛﾊﾟｲﾌﾟはもう問題でないのか？
オーガナイザー：西野茂弘（京都工芸繊維大学）
今回のECSCRM2002の会議報告にも見られるように、バルク成長からデバイスに至るまでかなりの進展がみられました。この討論会ではバルク成長の現状からエピ膜の評価までを行います。バルク成長では「もうマイクロパイプは問題ではない、次はサブグレインバウンダリーが問題である」との意見もあります。またエピ成長では2インチを超えて3インチ基板上への成長に関する成果も発表されます。エピ膜に見られる結晶欠陥が実は基板に元々あった欠陥とどのように関わっているかなどを放射光反射X線トポグラフにより初めて詳しく評価されています。またデバイスのpn接合で順方向劣化（forward degradation）が実は結晶の品質に強く依存しており、基板結晶が真に高品質であれば、かなりの電流レベルまでこの劣化は防げるとの報告など、最近の成果についての発表があります。短いですが質議応答の時間を設けていますので、奮ってご参加ください。
VI-2 イオン注入技術の現状と課題
オーガナイザー：中嶋堅志郎（名古屋工業大学）
基板結晶の特性向上に伴い、イオン注入を用いたp、n制御技術にはこれまで研究に内在していた問題が顕在化する可能性が予想されます。デバイスのオン抵抗値、電極のコンタクト抵抗を下げるためにp、nドープ層の不純物濃度はどの程度で有れば良いのか、このとき基板の低抵抗化に注入欠陥はどこまで影響しているのか、不純物の活性化、注入欠陥の消滅の観点から、高温熱処理はアニール法として最適な方法か、ドナー、アクセプタ不純物濃度を増加させるブレークスルーは望めるか、その不純物ドーピング法はどのようなものか、イオン注入による基板のアモルファス化と再結晶過程における結晶回復、残留欠陥がデバイスに与える影響は解明されているか、不純物ゲッタリングと注入欠陥との関連などなど、未解決の課題が山積しています。本分野別討論では上記のような問題意識の基に、デバイス作製サイドからイオン注入に伴う課題、基板技術サイドからアモルファス層の結晶回復に伴う不純物の電気的活性化と残留欠陥の制御、イオン注入欠陥のミクロな同定、などに関して問題提起と話題提供を中心に自由な意見交換、討論により問題点の理解と今後の展望を議論します。
上記の討論範囲内で、前置きなしで5分（OHP1〜2枚）までの準備討論を歓迎します。積極的な御参加をお願いいたします。
VII．分野別討論２（Topical Discussion 2）内容
VII-1 SiC MOSのパワーデバイスへ向けた課題
オーガナイザー：上野勝典（富士電機総合研究所）、四戸 孝（東芝）
MOSFETは電圧駆動により、駆動回路が簡素で、駆動電力が小さくまた並列駆動が可能など応用サイドからの強い要望があり、SiCのパワーデバイスとしてもっとも応用の期待されているデバイスであります。これまでの研究では、酸化膜界面の界面準位が非常に多いことから、MOS反転層の移動度が低く本来のSiCの特長をひきだせず、これを改善するための研究が主になされてきました。
本討論では、パワーMOSFETをターゲットとした場合、ゲート絶縁膜としての目標をどう設定すべきか、またSiCはその目標に対してどこまでわかってどこまで来ているのか、を明確にし、これから進むべきR&Dの方向を討論したいと思います。
議論予定の内容
・界面準位制御
反転層移動度、しきい値制御、プロセス安定性
・ゲート絶縁膜の絶縁耐圧
・長期信頼性（高温信頼性含む）
・そのほかの信頼性問題
VII-2 GaNデバイスの基板として最適な材料は？
オーガナイザー：新井
学（新日本無線）、佐野芳明（沖電気工業）
これまで、GaNデバイスは主にサファイア基板上に作製されてきました。しかし、今日では、サファイア以外の様々な材料の上にGaNが成長され、学会、論文等で発表されています。
この野別討論では、これらGaNデバイスの基板（エピ基板）を研究、開発されている第一線の方々に、各材料の特徴を紹介して頂くとともに、聴講者との活発なディスカッションを通じて、GaNデバイスの基板が抱える課題などについて理解を深めていきます。