P-1         「Si基板上の3C-SiCのペンディオエピタキシャル成長」

庄司晃、奥井陽一、西口太郎、大嶋悟、西野茂弘

（京都工芸繊維大学）

P-2         「常圧CVD法による２インチSi基板上への3C-SiCの成長」

向井祐介、西口太郎、庄司晃、大嶋悟、西野茂弘

（京都工芸繊維大学）

P-3        「Si(C₂H₅)₄+C₃H₈+H₂系によるSi(111)基板上へのSiC薄膜の成長」

久保直紀¹、川瀬剛²、朝比奈秀一³、金山信幸³、津田大⁴、森谷明弘¹、北原邦紀¹

（¹島根大学、²住友大阪セメント、³島根県産業技術センター、⁴大阪府立大学）

P-4         「Si 基板表面の構造制御および3C-SiCのヘテロエピタキシャル成長の面方位依存性」

西口太郎、向井祐介、中村光宏、西尾弘司、一色俊之、大嶋悟、西野茂弘

（京都工芸繊維大学）

P-5         「3C-SiC/Si(110)ヘテロエピタキシヤル成長における炭化緩衝層形成条件の影響」

中村光宏、西口太郎、向井祐介、西尾弘司、一色俊之、大嶋悟、西野茂弘

（京都工芸繊維大学）

P-6         「DMSを用いた減圧CVD法によるSi（001）上のSiC膜の表面モフォロジーの改善」

森本貫太郎、成田克、江藤淳平、安井寛治、赤羽正志

（長岡技術科学大学）

P-7         「RFプラズマCVD法によるa-SiC膜のFTIR と成長機構」

金子聰¹、根本大¹、宮川宣明²

（¹東京理科大学、²諏訪東京理科大）

P-8         「極薄Si融液を用いたSiC液相成長の成長機構」

浅岡康¹、和田圭司²、西川公人²、佐野直克¹、金子忠昭¹

（¹関西学院大学、²エコトロン）

P-9        「4H-SiC(000-1)C面エピタキシャル成長前水素エッチング条件の検討」

黒田悟史、児島一聡、高橋徹夫、石田夕起、奥村元、荒井和雄

（産業技術総合研究所）

P-10       「4H-SiC(000-1)面上の高速、高純度エピタキシャル成長」

旦野克典、木本恒暢、松波弘之

（京都大学）

P-11       「異なるオフ方位の4H-SiC(0001), (000-1)基板上へのホモエピ成長と結晶評価」

土田秀一、鎌田功穂、和泉俊介、俵武志、直本保、三柳俊之、中村智宣、泉邦和

（電力中央研究所）

P-12      「4H-SiC(0001)の高速エピタキシャル成長におけるC/Si比依存性」

藤原広和^1,2、旦野克典¹、木本恒暢¹、東城哲朗²、松波弘之¹

（¹京都大学、²東洋炭素）

P-13       「SiC表面の自己組織化ナノ構造」

田中悟、中川啓志、末宗幾夫

（北海道大学）

P-14       「水素エッチングを施したSiC基板上へのrf-MBEによるGaN成長」

古田啓¹、清水三郎¹、清水三総²、高橋徹夫²、奥村元²

（¹新機能素子研究開発協会、²産業技術総合研究所）

P-15       「４インチSi基板上GaNの結晶成長と基板撓み」

石川博康、加藤正博、松井慎一、Maosheng Hao、江川孝志、神保孝志

（名古屋工業大学）

P-16      「RF-MBE法により成長したInGaN薄膜中のIn拡散に関する検討」

河野裕、作田寛明、倉井聡、田口常正

（山口大学）

P-17       「昇華法による4H-SiC{03-38}基板上のSiCの結晶成長と結晶欠陥の評価」

古庄智明、高木宏樹、太田慎吾、大嶋悟、西野茂弘

（京都工芸繊維大学）

P-18      「Influence of Growth Zone Parameters on the Crystal Growth Rate of Silicon Carbide Obtained by Sublimation in Vacuum」

S. K. Lilov¹、T. Furusho²、S. Nishino²

(¹University of Sofia、²Kyoto Institute of Technology）

P-19       「SiとC粉末を用いた高純度バルク成長」

太田真吾、古庄智明、高木宏樹、大嶋悟、西野茂弘

（京都工芸繊維大学）

P-20       「昇華近接法による3C-SiC(100)基板上への6H-SiC(01-14)の成長」

高木宏樹、西口太郎、太田真吾、古庄智明、大嶋悟、西野茂弘

（京都工芸繊維大学）

P-21      「4H-SiCエピ膜中結晶欠陥のpnダイオード電気的特性に対する影響」

和泉俊介¹、鎌田功穂¹、俵武志¹、土田秀一¹、藤澤広幸²

（¹電力中央研究所、²富士電機アドバンストテクノロジー）

P-22       「α線・紫外線によるpn接合型SiC検出器の評価」

木下明将¹、中野逸夫¹、田中礼三郎¹、岩見基弘¹、大井暁彦²、大島武²、神谷富裕²、福島靖孝³

（¹岡山大学、²原子力研究所、³KEK）

P-23      「PtSi/4H-SiCショットキーダイオードの評価」

堀部竜信、田辺匡史、小林寛之、佐藤政孝

（法政大学）

P-24     「Ni/4H-SiCショットキー接合に対する水素前処理効果」

山本幸枝、畑山智亮、矢野裕司、浦岡行治、冬木隆

（奈良先端科学技術大学院大学）

P-25     「3C-SiCヘテロエピ厚膜のSBJ特性」

高橋徹夫¹、石田夕起¹、奥村元¹、荒井和雄¹、吉田貞史²

（¹産業技術総合研究所、²埼玉大学）

P-26       「陽電子ビームを用いたSiO₂/SiC界面の評価」

前川雅樹、河裾厚男、吉川正人、一宮彪彦

（日本原子力研究所）

P-27      「窒素およびアルミニウム原子によるSiO₂/4H-SiC(0001)界面における界面における界面準位への効果の第一原理計算」

大沼敏治、土田秀一、鎌田功穂、直本保

（電力中央研究所）

P-28       「分光エリプソメータによるSiC酸化膜の酸化初期過程観察」

関口聡、覚張光一、土方泰斗、矢口裕之、吉田貞史

（埼玉大学）

P-29       「光電子分光法による酸化膜/SiC界面の評価」

土方泰斗¹、矢口裕之¹、石田夕起²、吉川正人³、神谷富裕³、吉田貞史¹

（¹埼玉大学、²産業技術総合研究所、³日本原子力研究所）

P-30      「SiO₂/SiC(11-20)界面遷移層の評価」

山口如洋、矢野裕司、畑山智亮、浦岡行治、冬木隆

（奈良先端科学技術大学院大学）

P-31       「O₂プラズマ酸化SiCのPOA効果」

佐藤政孝、柳原佐知子、説田和俊

（法政大学）

P-32       「N₂プラズマ照射によるSiC/SiO₂界面特性改善」

丹羽孝仁、矢野裕司、畑山智亮、浦岡行治、冬木隆

（奈良先端科学技術大学院大学）

P-33       「希釈NOアニールによるSiO₂/4H-SiC界面の形成」

小杉亮治、福田憲司、荒井和雄

（産業技術総合研究所）

P-34       「n型4H-SiC熱酸化膜の信頼性評価」

先崎純寿、児島一聡、福田憲司

（産業技術総合研究所）

P-35       「アニール面に形成した4H-SiC熱酸化膜の絶縁破壊特性」

今泉昌之、藤平景子、樽井陽一郎、杉本博司、大塚健一、高見哲也、尾関龍夫

（三菱電機）

P-36      「4H-SiC(0001)反転型MOSFET移動度の酸窒化処理条件依存性」

藤平景子、樽井陽一郎、今泉昌之、大塚健一、高見哲也、尾関龍夫

（三菱電機）

P-37       「N₂O酸化ゲート絶縁膜を用いた高チャネル移動度4H-SiC (11-20) MOSFET」

神崎庸輔、金原秀療、小杉肇、須田淳、木本恒暢、松波弘之

（京都大学）

P-38       「新しいチャネル構造を持つ4H-SiC MOSFET(SC-MOSFET)の作製」

海藤淳司、木本恒暢、須田淳、松波弘之

（京都大学）

P-39      「4H-SiC(000-1)面上へ作製された横型RESURF MOSFET」

岡本光央^1,2、鈴木誠二²、加藤真²、八尾勉^1,2、福田憲司^1,2

（¹産業技術総合研究所、²超低損失電力素子技術研究体）

P-40       「低オン抵抗を有する4H-SiC二重エピタキシャル縦型MOSFET」

原田信介、岡本光央、八尾勉、安達和広、福田憲司、荒井和雄

（産業技術総合研究所）

P-41     「AlGaN/GaNノーマリオフパワーHEMT」

池田成明、季江、吉田清輝、和田崇宏、竹原洋斉

（古河電気工業）

P-42      「GaN系低オン電圧動作ショットキーダイオード」

池田成明、季江、吉田清輝、和田崇宏、竹原洋斉

（古河電気工業）

P-43       「炭化珪素半導体スイッチング損失特性の熱制約依存」

安達和広

（産業技術総合研究所）

P-44      「4H-SiCの衝突イオン化係数」

畠山哲夫¹、渡辺貴俊¹、児島一聡²、佐野伸行³、白石賢二³、櫛部光弘¹、今井聖支¹、四戸孝¹、鈴木誉也²、田中知行²、荒井和雄²

（¹東芝、²産業技術総合研究所、³筑波大学）

P-45      「N-doped 4H-SiCにおける温度依存性を考慮した電子移動度およびドナー準位のドナー密度依存性」

鏡原聡¹、石田卓也¹、岩田裕史¹、安蘇浩一¹、勝矢大輔¹、安芸達也¹、松浦秀治¹、畠山哲夫^2,4、渡辺貴俊^2,4、児島一聡^2,4、櫛部光弘^2,4、今井聖支^2,4、四戸孝^2,4、鈴木誉也^2,4、田中知行^2,4、荒井和雄^2,4

（¹大阪電気通信大学、²新機能素子研究開発協会、³産業技術総合研究所、⁴超低損失電力素子技術開発研究体）

P-46       「極紫外(DUV)顕微ラマン分光法によるイオン注入SiCの表層評価」

中島信一¹、山本武継²、先崎純寿¹、奥村元¹

（¹産業技術総合研究所、²住友化学工業）

P-47       「A Raman Study of High Temperature Ion Implantation on SiC Substrate」

R. Hattori, K. Murakami, M. Aoki, and K. Sekine

(Ion Engineering Research Institute Corporation）

P-48       「光励起容量過渡応答法(O-CTS)による4H-SiC中のZ_1/2 centerの光励起エネルギーの観測」

田中正一¹、加藤正史¹、市村正也¹、荒井英輔¹、中村俊一²、木本恒暢²

（¹名古屋工業大学、²京都大学）

P-49       「SiCデバイス作製過程におけるウエハーのPLマッピング」

菅原岳樹^1,2、星乃紀博^1,3、田島道夫¹、谷本智⁴、高橋徹夫⁵、中島信一⁵、山本武継⁶、松本智²

（¹宇宙科学研究所、²慶應義塾大学、³東京大学、⁴日産自動車、⁵産業技術総合研究所、⁶住友化学）

P-50       「SiCウエハーの過剰キャリヤライフタイムマップと構造欠陥・不純物分布との関係」

森健洋¹、加藤正史¹、市村正也¹、荒井英輔¹、住江伸吾²、橋爪英久²

（¹名古屋工業大学、²コベルコ科研）

P-51      「4H-SiCエピ膜のキャリアライフタイムと深い準位」

俵武志、和泉俊介、土田秀一、鎌田功穂、泉邦和

（電力中央研究所）

P-52       「遷移金属(Zr, Feなど)／4H-SiC(0001)接合系の界面反応：PEEM,SXFS」

亀澤智博、S. Azatyan、平井正明、日下征彦、岩見基弘

（岡山大学）

P-53       「SiC ウエハの不純物分析」

中田俊武¹、堀野裕治²、中嶋堅志郎³、吉本昌広⁴、西野茂弘⁴

（¹SICセミコン、²産業技術総合研究所、³名古屋工業大学、⁴京都工芸繊維大学）

P-54       「研磨プロセスによるSiCの微細構造形成」

嶽本昇¹、庄内亮²、安部功二²、江龍修²、中嶋堅志郎²、神田隆生³

（¹名古屋工業大学、²名古屋工業大学、³ポバール興業）

P-55       「誘導結合および容量結合プラズマ法を同時に用いたSiCのエッチング」

堀江裕介、三上英則、畑山智亮、矢野裕司、浦岡行治、冬木隆

（奈良先端科学技術大学院大学）

P-56       「三弗化メタン−酸素を用いたSiCエッチングにおける水素の添加効果」

三上英則、堀江裕介、畑山智亮、矢野裕司、浦岡行治、冬木隆

（奈良先端科学技術大学院大学）

P-57       「赤外反射分光による4H-SiCイオン注入層の結晶性及び電気的特性の評価」

成田勝俊¹、土方泰斗¹、矢口裕之¹、先崎純寿²、中島信一²、吉田貞史^1,2

（¹埼玉大学、²産業技術総合研究所）

P-58       「Alイオン注入4H-SiCの評価」

片上崇治、須藤陽平、人見剛史、佐藤政孝

（法政大学）

P-59       「高ドーズAlイオン注入4H-SiCの電気的特性評価」

根来佑樹、木本恒暢、松波弘之

（京都大学）

P-60       「Mgイオン注入GaNの活性化」

高橋正輝、坂本浩二、安部功二、江龍修、中嶋堅志郎

（名古屋工業大学）

P-61       「小型イオン注入装置の作製とSiCデバイスへの応用」

古川智史¹、中田俊武²、堀野裕治³、小野了一⁴、細川好則⁴、西野茂弘¹

（¹京都工芸繊維大学、²SICセミコン、³産業技術総合研究所、⁴エックスレイプレシジョン）