主催：応用物理学会 ＳｉＣ及び関連ワイドギャップ半導体研究会
日時：平成４年１１月１３、１４日
場所：京都大学工学部 電気総合館 （京都市左京区吉田本町）
13：00 プレナリー セッション（座長：吉田 貞史）
松波 弘之（京都大学工学部）
13：20 セッション ・ バルク結晶成長（座長：西野 茂弘、古賀 和幸）
・-1 バルク結晶成長と結晶評価の最近の進展
古賀 和幸、狩野 隆司、八木 克己、新名 達彦（三洋電機半導体研究所）・-2 ＳｉＣ単結晶ウエハの結晶性評価
高橋 淳、金谷 正敏 (新日本製鉄エレクトロニクス研究所）・-3 昇華法による単結晶６Ｈ－ＳｉＣの作製および評価
東野 智彦、田中 朋幸、西野 茂弘、更家 淳司（京都工芸繊維大学工芸学部）・-4 アチソン法による結晶成長
高尾 毅（大平洋ランダム岩瀬工場）・-5 ３Ｃ－ＳｉＣバルク単結晶成長
古川 勝紀、田島 善光、斉藤 肇、藤井 良久、鈴木 彰、中島 重夫（シャープ中央研究所）
（休憩 15：05～15：15）
15：15 セッション・ エピタキシャル成長（座長：鈴木 彰、山中 貢）
・-1 ステップ制御エピタキシーの成長機構
木本 恒暢、松波 弘之 （京都大学 工学部）・-2 ＳｉＣ・ＬＰＥ法の課題と試み
上本 勉、藤本 英俊、三橋 浩、アシュラフ ウディン（東芝 材料デバイス研究所）・-3 ＬＰＥ成長ＳｉＣのＣｒによるｎキャリア濃度制御
上本 勉、藤本 英俊、三橋 浩、アシュラフ ウディン（東芝 材料デバイス研究所）・-4 Ｓｉ基板上への３Ｃ－ＳｉＣ(１１１)のヘテロエピタキシャル成長
生駒 圭子、山中 貢、井上 靖秀* （日産自動車基礎研、日産アーク*）・-5 ＣＶＤ法によるＳｉ基板上へのβ－ＳｉＣヘテロエピタキシャル成長
白石 浩之、船田 毅、富山 能省（ＲＩＴＥ 大宮研究室）・-6 Ｓｉ上のβ－ＳｉＣの格子定数に与えるＳｉＣ膜厚の影響
土屋 新、佐山 恭正、富山 能省（ＲＩＴＥ 大宮研究室）・-7 ヘテロエピタキシャル成長
田中 秀樹、西野 茂弘、高橋 幸司、更家 淳司（京都工芸繊維大学工芸学部）・-8 Epitaxial Growth of 3C-SiC on TiC Substrates by Chemical Vapor Deposition
Woo Sik Yoo, John M.Carulli, Jr., Paul A.Mailloux, Nicholas I.Buchan,
Michael A.Tischler, Charles P.Beetz, Jr. and Duncan W.Brown
(Advanced Technology Materials, Inc., U.S.A.)・-9 ＮＨ3ガスを用いたＳｉＣへの窒素気相ドーピング
夫馬 弘雄、村田 年生、三浦 篤志、加納 浩之、多賀 康訓、橋本 雅文（豊田中央研究所）
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懇親会 (１８：３０～２０：００、京大会館)
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１１月１４日（土） ９：００～１６：３０
9：00 セッション・ 結晶成長表面（座長：原 史朗、冬木 隆）
・-1 Ｓｉ表面炭化の分子動力学シミュレーション
北畠 真 (松下電器産業㈱ 中央研究所)・-2 ３Ｃ－ＳｉＣ(００１)表面の原子構造解析
原 史朗、青柳 克信、三沢 俊司*、吉田 貞史*
（理化学研究所、電子技術総合研究所*）・-3 ガス分子線によるＳｉ表面の炭化
吉信 達夫、樽井 陽一郎*、冬木 隆*、松波 弘之*
（大阪大学 産研、京都大学 工学部*）・-4 シリコン基板表面のＳｉＣ炭化層形成における圧力依存性
平林 康男、唐澤 志郎、小林 賢（神奈川県工業試験所）・-5 ＲＦプラズマを用いｽＳｉＣ－Ｂｕｆｆｅｒ層の成長過程
小橋 寿夫、平井 正明、日下 征彦、岩見 基弘、横田 康広*
（岡山大学 理学部、岡山理大*）・-6 Macro/microcavity(MMC)法によるＣＶＤ－ＳｉＣエピ膜の成長機構の解析
洪 儒生、三沢 俊司、吉田 貞史、江頭 靖幸*、小宮山 宏*
（電子技術総合研究所、東京大学*）・-7 ＬＰＣＶＤを用いた原料ガス交互導入によるＳｉＣヘテロエピタキシー
長澤 弘幸、三ッ井 英明、山口 洋一（ＨＯＹＡ 材料研究所）・-8 ＬＰＣＶＤでのＳｉＣ成長における原料ガス交互供給時のフラグメント解析
三ッ井 英明、長澤 弘幸、山口 洋一（ＨＯＹＡ 材料研究所）
（昼食 11：30～12：30）
12：30 セッション・ 物性評価（座長：吉田 貞史、中島 信一）
・-1 ラマン分光による結晶構造・物性評価
中島 信一 (大阪大学 工学部)・-2 半導体の光学的性質の第一原理的計算
林 秀光、福本 敦勇（豊田中央研究所）・-3 超強磁場下での３Ｃ－ＳｉＣの遠赤外磁気光吸収
山中 貢、生駒 圭子、嶽山 正二郎*、河野 淳一郎**、三浦 登**
（日産自動車 基礎研、姫路工大 理学部*、東京大学 物性研**）・-4 ラマン散乱によるＳｉＣ不純物電子状態の研究
播磨 弘、中島 信一（大阪大学 工学部）・-5 ＣＶＤ成長３Ｃ－ＳｉＣに対する放射線照射効果
伊藤 久義、吉川 正人、梨山 勇、三沢 俊司*、奥村 元*、吉田 貞史*
（日本原子力研究所、電子技術総合研究所*）・-6 Ａｌ+注入６Ｈ－ＳｉＣ結晶の結晶性回復
中田 俊武、渡辺 正則、高木 俊宜、西野 茂弘*、
藤井 兼榮**、茶谷原 昭義**
（イオン工学研究所、京都工芸繊維大学*、大阪工業技術試験所**）
（休憩 14：30～14：40）
14：40 セッション ・ デバイス応用（座長：山口 隆夫、加納 浩之）
・-1 Ｓｉパワーデバイスの現状と限界
八尾 勉（日立製作所 日立研究所）・-2 ＳｉＣパワーデバイス －デバイス化への課題－
上野 勝典、渡辺 雅英（富士電機総合研究所）・-3 ＳｉＣ青色ＬＥＤ(ＬＰＥ法)の現状と応用
松下 保彦、上田 康博、上谷 高広、國里 竜也、鈴木 順子、八木 克己
（三洋電機 半導体研究所）・-4 ＣＶＤ法によるＳｉＣ青色ＬＥＤの輝度改善
鈴木 彰、藤井 良久、斉藤 肇、古川 勝紀、中島 重夫
（シャープ 中央研究所）
16：20 クロージング リマークス
鈴木 彰（シャープ 中央研究所）