第1回講演会プログラム


主催:応用物理学会 SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会
日時:平成4年11月13、14日
場所:京都大学工学部 電気総合館 (京都市左京区吉田本町)


11月13日(金) 13:00〜18:00

13:00 プレナリー セッション(座長:吉田 貞史)
        松波 弘之(京都大学工学部)

13:20 セッション ・ バルク結晶成長(座長:西野 茂弘、古賀 和幸)

・-1 バルク結晶成長と結晶評価の最近の進展
     古賀 和幸、狩野 隆司、八木 克己、新名 達彦(三洋電機半導体研究所)

・-2  SiC単結晶ウエハの結晶性評価
     高橋 淳、金谷 正敏 (新日本製鉄エレクトロニクス研究所)

・-3 昇華法による単結晶6H−SiCの作製および評価
     東野 智彦、田中 朋幸、西野 茂弘、更家 淳司(京都工芸繊維大学工芸学部)

・-4 アチソン法による結晶成長
     高尾 毅(大平洋ランダム岩瀬工場)

・-5 3C−SiCバルク単結晶成長
     古川 勝紀、田島 善光、斉藤 肇、藤井 良久、鈴木 彰、中島 重夫(シャープ中央研究所)

(休憩 15:05〜15:15)

15:15 セッション・ エピタキシャル成長(座長:鈴木 彰、山中 貢)

-1 ステップ制御エピタキシーの成長機構
     木本 恒暢、松波 弘之 (京都大学 工学部)

-2 SiC・LPE法の課題と試み
     上本 勉、藤本 英俊、三橋 浩、アシュラフ ウディン(東芝 材料デバイス研究所)

-3 LPE成長SiCのCrによるnキャリア濃度制御
     上本 勉、藤本 英俊、三橋 浩、アシュラフ ウディン(東芝 材料デバイス研究所)

-4 Si基板上への3C−SiC(111)のヘテロエピタキシャル成長
     生駒 圭子、山中 貢、井上 靖秀* (日産自動車基礎研、日産アーク*)

-5 CVD法によるSi基板上へのβ−SiCヘテロエピタキシャル成長
     白石 浩之、船田 毅、富山 能省(RITE 大宮研究室)

-6 Si上のβ−SiCの格子定数に与えるSiC膜厚の影響
     土屋 新、佐山 恭正、富山 能省(RITE 大宮研究室)

-7 ヘテロエピタキシャル成長
     田中 秀樹、西野 茂弘、高橋 幸司、更家 淳司(京都工芸繊維大学工芸学部)

-8 Epitaxial Growth of 3C-SiC on TiC Substrates by Chemical Vapor Deposition
     Woo Sik Yoo, John M.Carulli, Jr., Paul A.Mailloux, Nicholas I.Buchan,
     Michael A.Tischler, Charles P.Beetz, Jr. and Duncan W.Brown
     (Advanced Technology Materials, Inc., U.S.A.)

-9 NH3ガスを用いたSiCへの窒素気相ドーピング
     夫馬 弘雄、村田 年生、三浦 篤志、加納 浩之、多賀 康訓、橋本 雅文(豊田中央研究所)

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     懇親会 (18:30〜20:00、京大会館)

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11月14日(土) 9:00〜16:30

9:00 セッション・ 結晶成長表面(座長:原 史朗、冬木 隆)

・-1 Si表面炭化の分子動力学シミュレーション
     北畠 真 (松下電器産業 中央研究所)

・-2 3C−SiC(001)表面の原子構造解析
     原 史朗、青柳 克信、三沢 俊司*、吉田 貞史*
     (理化学研究所、電子技術総合研究所*)

・-3 ガス分子線によるSi表面の炭化
     吉信 達夫、樽井 陽一郎*、冬木 隆*、松波 弘之*
     (大阪大学 産研、京都大学 工学部*)

・-4 シリコン基板表面のSiC炭化層形成における圧力依存性
     平林 康男、唐澤 志郎、小林 賢(神奈川県工業試験所)

・-5 RFプラズマを用いスSiC−Buffer層の成長過程
     小橋 寿夫、平井 正明、日下 征彦、岩見 基弘、横田 康広*
     (岡山大学 理学部、岡山理大*)

・-6 Macro/microcavity(MMC)法によるCVD−SiCエピ膜の成長機構の解析
      洪 儒生、三沢 俊司、吉田 貞史、江頭 靖幸*、小宮山 宏*
     (電子技術総合研究所、東京大学*)

・-7  LPCVDを用いた原料ガス交互導入によるSiCヘテロエピタキシー
     長澤 弘幸、三ッ井 英明、山口 洋一(HOYA 材料研究所)

・-8 LPCVDでのSiC成長における原料ガス交互供給時のフラグメント解析
     三ッ井 英明、長澤 弘幸、山口 洋一(HOYA 材料研究所)

(昼食 11:30〜12:30)

12:30 セッション・ 物性評価(座長:吉田 貞史、中島 信一)

・-1 ラマン分光による結晶構造・物性評価
     中島 信一 (大阪大学 工学部)

・-2 半導体の光学的性質の第一原理的計算
     林 秀光、福本 敦勇(豊田中央研究所)

・-3 超強磁場下での3C−SiCの遠赤外磁気光吸収
     山中 貢、生駒 圭子、嶽山 正二郎*、河野 淳一郎**、三浦 登**
     (日産自動車 基礎研、姫路工大 理学部*、東京大学 物性研**)

・-4 ラマン散乱によるSiC不純物電子状態の研究
     播磨 弘、中島 信一(大阪大学 工学部)

・-5 CVD成長3C−SiCに対する放射線照射効果
     伊藤 久義、吉川 正人、梨山 勇、三沢 俊司*、奥村 元*、吉田 貞史*
     (日本原子力研究所、電子技術総合研究所*)

・-6 Al+注入6H−SiC結晶の結晶性回復
     中田 俊武、渡辺 正則、高木 俊宜、西野 茂弘*、
     藤井 兼榮**、茶谷原 昭義**
     (イオン工学研究所、京都工芸繊維大学*、大阪工業技術試験所**)

(休憩 14:30〜14:40)

14:40 セッション ・ デバイス応用(座長:山口 隆夫、加納 浩之)

・-1 Siパワーデバイスの現状と限界
     八尾 勉(日立製作所 日立研究所) 

・-2 SiCパワーデバイス −デバイス化への課題−
     上野 勝典、渡辺 雅英(富士電機総合研究所)

・-3 SiC青色LED(LPE法)の現状と応用
     松下 保彦、上田 康博、上谷 高広、國里 竜也、鈴木 順子、八木 克己
     (三洋電機 半導体研究所)

・-4 CVD法によるSiC青色LEDの輝度改善
     鈴木 彰、藤井 良久、斉藤 肇、古川 勝紀、中島 重夫
     (シャープ 中央研究所)

16:20 クロージング リマークス
       鈴木 彰(シャープ 中央研究所)