主催：応用物理学会 ＳｉＣ及び関連ワイドギャップ半導体研究会
日時：平成５年１１月１８、１９日
場所：工業技術院つくば研究センター共用講堂
10:00 開 会
Plenary Session
松波 弘之（京都大学工学部）
Session I バルク結晶成長（10:20〜11:25）
10:20 Introduction：古賀和幸（三洋電機(株)半導体研究所）
10:30 I-１ 高純度ＳｉＣ粉末
宮下雅彦、小谷安夫*、後藤 勝**、加藤美好**
（(株)日本合成化学工業(株)、日合アセチレン(株)*、(株)ニチゴーケミカル**）10:50 I-2 昇華法ＳｉＣ単結晶の成長面極性依存性
高橋 淳、金谷正敏、大谷 昇（新日本製鉄(株)エレクトロニクス研究所）11:10 I-３ 昇華法によるＳｉＣ単結晶の育成
小崎重男、松本 力（東京鉄鋼(株)）
昼 食（11:25〜12:30）
12:30 Poster Session
Session II 窒化物・ダイヤモンド（14:30〜15:50）
14:30 II-1 III族窒化物半導体研究の最近の展望
天野 浩、赤碕 勇（名城大学理工学部）15:10 II-2 ＣＶＤダイヤモンドの結晶成長とデバイスの現状
川原田 洋（早稲田大学理工学部）
休 憩 （15:50〜16:10）
Session III エピタキシャル成長・結晶成長表面（16:10〜17:40）
16:10 Introduction：冬木 隆（京都大学工学部）
16:15 III-1 ＳｉＣのステップ制御エピタキシー
木本恒暢、伊藤 明、秋田浩伸、西野克志、松波弘之（京都大学工学部）16:35 III-2 Ｓｉ基板上への３Ｃ-ＳｉＣ大面積成長
長澤弘幸、山口洋一（HOYA(株)材料研究所）16:50 III-3 Interface Structures of b-SiC CVD Films on a-SiC Substrates
W. S. Yoo, N.Hamaguchi, J.M.Carulli,Jr., N.I. Buchan, M.A. Tischler,
D.W.Brown, F.R. Chien* and S.R. Nutt*
（Advanced Technology Materials, Inc., U.S.A.）17:05 III-4 ＡＦＭによるＳｉＣ表面ラフネスのスケーリング解析
吉伸達夫、岩崎 裕（大阪大学産業科学研究所）17:25 III-5 ３Ｃ-ＳｉＣ（００１）の表面構造
北畠 真、平尾 孝（松下電器産業(株)中央研究所）
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懇親会（ホテルグランド東雲）（18:30〜20:00）
１１月１９日（金） ９：００〜１５：５０
Session IV 物性評価（ 9:00〜10:20）
9:10 Introduction：中島信一（大阪大学工学部）
9:05 IV-1 ＥＳＲによる半導体結晶の評価
磯谷順一（図書館情報大学）9:30 IV-2 ＳＩＭＳによる半導体中の微量不純物の分析
吉岡芳明、塚本和芳（松下テクノリサーチ材料試験部）9:55 IV-3 赤外線散乱トモグラフによるＧａＡｓ結晶の評価とその改良
隈 彰二（日立電線アドバンスリサーチセンター）
休 憩 （10:20〜10:30）
国際会議報告（10:30〜11:00）
10:30 ＳｉＣ：鈴木 彰（シャープ(株)中央研究所）
10:50 窒化物：吉田貞史（電子技術総合研究所）
Session V プロセス・デバイス（11:00〜15:25）
11:00 Introduction：鈴木 彰（シャープ(株)中央研究所）
11:05 V-1 Silicon Carbide Device Status in USA and Future Requirements
J.W.Palmour（Cree Research, Inc.）
昼 食 （11:45〜12:45）
12:45 V-2 ＳｉＣパワーデバイスのシミュレーション
舟木英之、中山明夫、大村一郎（(株)東芝研究開発センター）13:05 V-3 ＳｉＣパワーデバイスの特性解析と高耐圧ダイオードの作製
木本恒暢、小林壮太、漆谷多二男、松波弘之（京都大学工学部）13:25 V-4 ＣＶＤ法によるＳｉＣ青色ＬＥＤ
藤井良久、斎藤肇、辰巳正毅、古川勝紀、鈴木 彰、瀧口治久
（シャープ(株)中央研究所）13:45 V-5 ６Ｈ-ＳｉＣを用いたＭＯＳﾀﾞｲｵｰﾄﾞとｼｮｯﾄｷｰﾀﾞｲｵｰﾄﾞの電気的特性評価
原 一都、戸倉規仁、原 邦彦、夫馬弘雄*、加納浩之*
（日本電装(株)、(株)豊田中央研究所*）
休 憩 （14:05〜14:25）
14:25 V-6 ＳｉＣパワーデバイス用プロセス技術
上野勝典、熊谷明恭、石 渡統、関 康和（(株)富士電機総合研究所）14:45 V-7 b-ＳｉＣ層へのｲｵﾝ注入
平野恭章、堀毛英史、稲田太郎（法政大学工学部）15:05 V-8 ＳｉＣへのイオン注入およびダメージ層の再結晶化
府瀬川和宏、船田 毅、富山能省（RITE大宮研究室）
15:25 Closing Remarks
吉田貞史（電子技術総合研究所）
15:50 閉 会
Poster Session
P-1 ＳｉＣバルク単結晶成長
杉山尚宏、○岡本篤人、堀 三郎（(株)豊田中央研究所）
P-2 ６Ｈ-ＳｉＣラマン散乱による電子有効質量異方性の研究
播磨 弘、上村智喜、中島信一（大阪大学工学部）
P-3
プロトンマイクロビームチャネリングによる３Ｃ-ＳｉＣ多結晶島の測定
関口弘喜、西島俊二、梨山 勇*、三沢俊司、吉田貞史
（電子技術総合研究所、日本原子力研究所*）
P-4 g線照射３Ｃ-ＳｉＣ
ＭＯＳ構造酸化膜中の固定電荷蓄積量の評価法
吉川正人、伊藤久義、梨山 勇、三沢俊司*、奥村 元*、吉田貞史*
（日本原子力研究所、電子技術総合研究所*）
P-5
ＬＰＣＶＤで作成した３Ｃ-ＳｉＣ薄膜のＥＳＲによる評価
河原孝光、和泉富雄、長澤弘幸、山口洋一（東海大学工学部、HOYA(株)材料研究所）
P-6
ＲＩＥによるエピ成長用６Ｈ-ＳｉＣ基板の前処理
村田年生、○夫馬弘雄、三浦篤志、加納浩之、多賀康訓、橋本雅文
（(株)豊田中央研究所）
P-7 シリコンカーバイド熱ＣＶＤの律速過程
金子 聰、宮川宣明、那珂通裕（東京理科大学理学部）
P-8 多結晶ＳｉＣ薄膜の応用
宮崎誠二、上村喜一、小沼義治（信州大学工学部）
P-9
ＭｅＶｲｵﾝ注入による埋込みＳｉＣ層の形成
茶谷原昭義、木内正人、木野村淳、杢野由明、堀野裕治、藤井兼栄
（大阪工業技術研究所）
P-10
高温イオン注入３Ｃ-ＳｉＣの欠陥評価
伊藤久義、青木康、吉川正人、梨山勇、三沢俊司*、奥村元*、吉田貞史*
（日本原子力研究所、電子技術総合研究所*）
P-11
a-ＳｉＣ単結晶への高エネルギーＮｉイオン注入とその熱アニーリング挙動
嶋谷成俊、中江隆則、塩野剛司、川面 澄、荒井重義、堀野裕治*、杢野由明*、
藤井兼栄*、竹下英文**、山本春也**、青木 康**、楢本 洋**
（京都工芸繊維大学工芸学部、大阪工業技術研究所*、日本原子力研究所**）
P-12
３Ｃ-ＳｉＣフォトディテクタの分光感度特性
平林康男、小林 賢、唐沢志郎、三沢俊司*、吉田貞史*
（神奈川県工業試験所、電子技術総合研究所*）
P-13 Fabrication and Characterization of 6H-SiC PIN Diodes
N.Hamaguchi,W.
S. Yoo, N.I. Buchan, and M.A. Tischler
（Advanced Technology Materials, Inc.,
U.S.A.）
P-14 SiC MOSFET基礎特性の理論的解析
長洲正浩（日立製作所日立研究所）
P-15 紫外光照射ＭＯＣＶＤ法によるＧａＩｎＮ混晶のエピタキシャル成長
杉原利典、犬飼 剛、長友隆男、大本 修（芝浦工業大学工学部）
P-16 窒素イオンビームによるＳｉ上の窒化膜形成
楠 勲、猪狩佳幸、大塚健一（東北大学科学計測研究所）
P-17
ＨＶＰＥ法によるｃｕｂｉｃ-ＧａＮのホモエピタキシャル成長
土屋晴稔、岡久拓司、長谷川文夫、奥村 元*、吉田貞史*
（筑波大学物質工学系、電子技術総合研究所*）
P-18 ガスソースＭＢＥ法による立法晶ＧａＮのエピタキシャル成長とその性質
岡久拓司、奥村 元、吉田貞史、三沢俊司（電子技術総合研究所）
P-19 ＲＦラジカル窒素ＭＢＥ法によるＧａＡｓ基板上へのＧａＮ結晶成長
菊地昭彦、星 裕之、岸野克巳（上智大学理工学部）
P-20 多結晶ダイヤモンド薄膜電界効果トランジスタの製作
西村耕造、小山 久、宮田浩一、小橋宏司（(株)神戸製鋼所電子技術研究所）
P-21 Time-of-flight 法によるIb, IIa, IIb
型ダイヤモンドの移動度の測定
村上雅洋、服部励治、白藤純嗣（大阪大学工学部）