主催：応用物理学会 ＳｉＣ及び関連ワイドギャップ半導体研究会
日時：平成５年１０月２７、２８日
場所：アピオ大阪（大阪市立労働会館） 大阪市中央区森ノ宮中央1-17-5
Opening Session
10:00 Introductory Talk
松波 弘之（京都大学工学部）
Session ・ Plenary Session (1)
10:15 ・-1 Optical Characterization of SiC - Band Structure and Impurity States
W.J.Choyke(University of Pittsburgh, USA)
Session ・ Bulk Crystal Growth
10:55 ・-1 Progress in Bulk and Thin Film Growth of Silicon Carbide
N.I.Buchan, N.Hamaguchi, W.S.Yoo, A.Powell, D.Henshall, D.Vyas,
P.M.Mailloux, M.A.Tischler, and D.W.Brown
(Advanced Technology Materials Inc., USA)11:20 ・-2 バルク状立方晶SiCの成長
西野 茂弘（京都工芸繊維大学工芸学部）
昼 食（11:45～13:00）
Poster Session (２０５室)
13:00～15:00 Ｐ-１～Ｐ-２８（別記）
休 憩（15:00～15:15）
Session ・ Epitaxial Growth, Surface
15:15 ・-1 3C-SiC(001)の表面制御エピタキシー
北畠 真（松下電器産業 中央研究所）15:40 ・-2 アンモニアを用いたガスソースMBE法による窒化物薄膜の作製
森安 嘉貴、後藤 広将、久世 直洋、松井 正宏（旭化成工業㈱基礎研究所）16:05 ・-3 RFラジカル窒素MBE法によるサファイア基板上へのGaN結晶成長
星 裕之、菊池 昭彦、岸野 克巳（上智大学理工学部）16:30 ・-4 III族窒化物混晶半導体の価電子帯上端エネルギー
中島 貞之丞、T.Yang、酒井 士郎（徳島大学工学部）16:55 ・-5 6H-SiC(0001)表面のSTM観察
丸本 義明、平井 正明、日下 征彦、岩見 基弘、小澤 太健展*、長村 俊彦*、
中田 俊武**（岡山大学理学部、ユニソク*、イオン工学研究所**）
国際会議報告
17:20 21st Int. Sympo. on Compound Semiconductors(Sept.19-22, San Diego)
木本 恒暢（京都大学工学部）17:40 2nd Workshop on Wide Bandgap Nitrides (Oct.17-18, St.Louis)
尾鍋 研太郎（東京大学工学部）
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懇親会 (１８:３０～２０:３０、アピオ大阪・錦(5F))
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１１月１４日（土） ９：００～１６：３０
Session ・ Plenary Session (2)
10:00 ・-1 Electrical Characterization of Silicon Carbide (SiC)
Used for Electronic Devices
G. Pensl(University of Erlangen-Nurnberg, Germany)
Session ・ Characterization
10:40 ・-1 ICTS、DLTSによる半導体の評価
大串 秀世(電子技術総合研究所)11:05 ・-2 ラマン分光によるSiCの物性評価
中島 信一(大阪大学工学部)11:30 ・-3 3C-SiCにおける点欠陥の評価
伊藤 久義、吉川 正人、梨山 勇、三沢 俊二*、奥村 元*、吉田 貞史*
（日本原子力研究所、電子技術総合研究所*）
昼 食 (11:55～13:00)
Session ・ Device Processes and Fabrication
13:00 ・-1 4H-SiCパワーショットキーダイオード
伊藤 明、木本 恒暢、松波 弘之(京都大学工学部)13:25 ・-2 SiC縦型MOSFETの課題
上野 勝典、漆谷 多二男、橋本 孝一、関 康和（富士電機総合研究所）13:50 ・-3 窒素を高温イオン注入した6H-SiCの結晶性及び電気特性評価
宮嶋 健、戸倉 規仁、井ノ下 龍介、原 一都、原 邦彦、許斐 一郎*、
夫馬 弘雄*、加納 浩之*（日本電装、豊田中央研究所*）14:15 ・-4 ダイヤモンド薄膜MiSダイオードからのエレクトロルミネッセンス
横田 嘉宏、宮田 浩一、小橋 宏司（神戸製鋼所電子技術研究所）
休 憩 (14:40～15:00)
Session ・ Panel Discussion
15:00 「ワイドギャップ半導体デバイスの現状と将来」
司 会：吉田 貞史（電子技術総合研究所）
パネラー：加納 浩之（豊田中央研究所）
(講演順) 大橋 弘通（東芝研究開発センター）
田島 道夫（宇宙科学研究所）
岸野 克巳（上智大学理工学部）
鹿田 真一（住友電気工業㈱伊丹研究所）
Closing
16:30 Closing Remarks and Announcements
Poster Session (10/27, 13:00～15:00, 205室)
Ｐ-１ SiCバルク単結晶の成長方向のKOHエッチングによる結晶評価
古賀 和幸、狩野 隆司、八木 克己、吉年 慶一、山口
隆夫、新名達彦
（三洋電機 マイクロエレクトロニクス研究所）
Ｐ-２ SiC単結晶の育成と結晶性の評価
岡本 篤人、杉山 尚宏、谷 俊彦、伊藤 忠、加納 浩之（豊田中央研究所）
Ｐ-３ 昇華法による6H-SiCのバルク成長
高中 則夫、西野 茂弘、更家 淳司（京都工芸繊維大学工芸学部）
Ｐ-４ 昇華法による3C-SiCのバルク結晶成長
西野 克志、井上 尚也、木本 恒暢、松波 弘之（京都大学工学部）
Ｐ-５ 昇華法による立方晶SiCの成長
吉川 時弘、西野 茂弘、更家 淳司（京都工芸繊維大学工芸学部）
Ｐ-６ SiH2Cl2とC2H2の交互供給による3C-SiC成長
長澤 弘幸、山口 洋一（HOYA R&Dセンター）
Ｐ-７ Si表面の炭化におけるCH3ラジカルの効果
畑山 智亮、冬木 隆、松波 弘之（京都大学工学部）
Ｐ-８ TMSを用いたSi基板上への立方晶SiCのCVD成長
佐野 純央、西野 茂弘、更家 淳司（京都工芸繊維大学工芸学部）
Ｐ-９ Si炭化と3C-SiCエピ膜の結晶性
長谷川 健、白石 浩之、富山 能省（RITE大宮研究室、三菱マテリアル）
Ｐ-１０ 3C-SiCの成長表面層の観察
神山 栄治、谷田貝 悟、長谷川 健、府瀬川 和宏、富山
能省
（RITE大宮研究室、三菱マテリアル）
Ｐ-１１ Si基板上へ低温成長したβ-SiC薄膜の表面形態
柴田 典義、青山 智（(財)ファインセラミックスセンター）
Ｐ-１２ Si表面上でのエチレンビームによる炭化反応
高垣 達朗、猪狩 佳幸、楠 勲（東北大学科学計測研究所）
Ｐ-１３ MeVイオン注入による埋込みSiC層の形成・
茶谷原 昭義、木野村 淳、杢野 由明、堀野 裕治、藤井
兼栄（大阪工業技術研究所）
Ｐ-１４ ECR-MBE法によるサファイヤ基板上へのGaN成長
S.H.Cho、坂本 宏、秋本 克洋、岡田 至崇、川辺
光央（筑波大学物質工学系）
Ｐ-１５ TEGa, MMHyを用いたGaAs(001)基板上へのGaNのMOMBE成長
竹内 淳、土屋 晴稔、栗原 恵*、長谷川
文夫
（筑波大学物質工学系、トリケミカル研究所*）
Ｐ-１６ GaAs(100)基板上の立方晶GaNのMOVPE成長
尾鍋 研太郎、三吉 靖郎、長原 正樹、矢口 裕之、白木
靖寛*、伊藤良一
（東京大学工学部、東京大学先端研*）
Ｐ-１７ 立方晶及び六方晶GaNのMCDによるバンドギャップの評価と
TEMによる界面構造の観察
奥村 元、太田
一生、吉田 貞史（電子技術総合研究所）
Ｐ-１８ サファイア基板上に成長したGaN層の熱応力
小澤 隆弘、加地 徹、加納 浩之、長瀬 宏、小出 典克*、真部
勝英*
（豊田中央研究所、豊田合成）
Ｐ-１９ ステップ制御エピタキシーによる高品質4H-SiC成長層の物性
伊藤 明、秋田 浩伸、木本 恒暢、松波
弘之（京都大学工学部）
Ｐ-２０ n型6H-SiC、4H-SiCのラマン散乱によるキャリア濃度、移動度の評価
播磨 弘、上村 智喜、中島
信一（大阪大学工学部）
Ｐ-２１ LPCVDで作成した3C-SiC薄膜（ESR評価）
河原 孝光、和泉 富雄、長澤 弘幸*、山口
洋一*
（東海大学工学部、HOYA㈱ R&Dセンター*）
Ｐ-２２ 共鳴核反応法によるSiC中の窒素の位置の測定
伊藤 忠、許斐 一郎、東 博純、野田 正治（豊田中央研究所）
Ｐ-２３ 窒素イオン注入した6H-SiC MOSキャパシタのC-V特性評価
山田 登、只野 博、夫馬 弘雄、加納
浩之（豊田中央研究所）
Ｐ-２４ N+注入6H-SiCの結晶性と電気的性質
伊藤 明、井上 尚也、木本 恒暢、松波 弘之、中田 俊武*、渡辺
正則*
（京都大学工学部、イオン工学研究所*）
Ｐ-２５ 金属/SiC界面のSchottky障壁形成における欠陥の役割
寺地 徳之*,**、原 史朗*、大串 秀世*、梶村
皓二*,**
（電子技術総合研究所*、筑波大学**）
Ｐ-２６ ショットキー接合の特性分布
川瀬 大助、岩崎 貴之、大野 俊之（日立製作所日立研究所）
Ｐ-２７ 6H-SiCの熱酸化特性と縦型SiO2/6H-SiC界面の電界効果特性
原 一都、戸倉 規仁、宮嶋 健、竹内 有一、原
邦彦、村田 年生*、夫馬弘雄*
加納 浩之*（日本電装、豊田中央研究所*）
Ｐ-２８ 3C-SiC MOSFETの作製とγ線照射効果
大島 武、吉川 正人、伊藤 久義、梨山 勇、高橋 徹夫*、奥村
元*、吉田貞史*
（日本原子力研究所、電子技術総合研究所*）