主催：応用物理学会 ＳｉＣ及び関連ワイドギャップ半導体研究会
日時：平成７年１２月１４、１５日
場所：日産スポーツプラザ（東京・品川）
10:00 開 会
吉田貞史（電子技術総合研究所）
10:15 SiC Materials Issues
I-1 会議報告（１）：バルク成長
大谷 昇（新日本製鉄(株)エレクトロニクス研究所）I-2 会議報告（２）：エピ成長
木本恒暢（京都大学工学部）I-3 SiC単結晶のマイクロパイプ周りの内部歪みによる干渉パターン
大里 斉、加藤智久、M. Razeghi、奥田高士（名古屋工業大学）総合討論
昼 食（12:00〜13:30）
13:30 Nitride Materials Issues
II-1 会議報告（３）：ＶＰＥ
尾鍋 研太郎（東京大学）II-2 会議報告（４）：ＭＢＥ
G. Feuillet（電子技術総合研究所）II-3 昇華法によるバルク及び厚膜GaNの成長とホモエピタキシー
酒井 士郎、倉井 聡、直井美貴、阿部寿充（徳島大学）総合討論
15:25 II-VI Materials Issues
III-1 II-VI族化合物半導体の研究の現状と課題
田口常正（山口大学）
16:00〜18:00 ポスターセッション（９ＦホールＡ）
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懇親会（９Ｆラウンジ）（18:15〜20:30）
１２月１５日（金） ９：３０〜１６：１０
9:05 Device Issues（光デバイス）
IV-1 会議報告（５）：ＭＲＳ報告
天野 浩（名城大学）IV-2 会議報告（６）：プロセス
皆川重量（日立製作所）IV-3 会議報告（７）：ＬＥＤ、ＬＤ
菊池明彦（上智大学）総合討論
昼 食 （11:45〜13:30）
13:30 Diamond Topic
V-1 負の電子親和力を持つダイヤモンドの冷陰極へのの応用
岡野 健、小泉 聡*、伊藤順司**
（東海大学、*無機材室研究所、**電子技術総合研究所）
13:30 Device Issues（電子デバイス）
VI-1 会議報告（８）：プロセス（イオン注入、電極）
中田俊武（イオン工学研究所）VI-2 会議報告（８）：プロセス（酸化、ＭＯＳ）
吉川正人（日本原子力研究所）VI-3 会議報告（８）：デバイス
八尾 勉、大野俊之（日立製作所）総合討論
15:55 Closing Remarks
松波弘之（京都大学）
Poster Session
P-1 Ｘ線回折法による6H-SiCバルク単結晶の評価
古賀和幸、八木克己、吉年慶一、新名達彦（三洋電機マイクロエレクトロニクス研究所）
P-2 HMDSを用いた常圧CVD法によるSi基板上への3C-SiCの成長
佐野純央、西野茂弘、更家淳司（京都工芸繊維大学工芸学部）
P-3 減圧CVD法によるSi基板上3C-SiCのヘテロエピ成長
石田夕起、高橋徹夫、奥村 元、吉田貞史、関川敏弘（電子技術総合研究所）
P-4
減圧CVD法による３インチSi上への3C-SiCの結晶成長
樽井陽一郎、木の内伸一、高田育紀、内海良和、児島一良（三菱電機先端技術総合研究所）
P-5 3C-SiC薄膜の電気特性ー膜厚依存性
河原孝光、八木邦明、三ツ井英明、長澤弘幸、山口洋一（ＨＯＹＡ Ｒ＆Ｄセンター）
P-6 Si分子線照射による3C-SiC(001)表面の原子配列の制御
北村順也*、原 史朗、大串秀世、吉田貞史、三沢俊司**、徳丸洋三*
（電子技術総合研究所、中央大学*、日本真空技術**）
P-7
高濃度イオン注入によりSi表面に形成されたSiC層のＥＳＲ
高橋雅人、庄 善之、和泉富雄、出口正洋*、北畠 真*、平尾 孝**
（東海大学工学部、松下電器産業中央研究所*、松下テクノリサーチ**）
P-8
電子線照射6H及び4H-SiCのＥＳＲ測定
伊藤久義、大島 武、吉川正人、梨山 勇、奥村 元**、吉田貞史**
（日本原子力研究所高崎研究所、日本大学理工学部*、電子技術総合研究所**）
P-9 ラマン散乱によるｎ型SiCのキャリア濃度、移動度の温度依存性評価
浜本哲也、播磨 弘、中島信一（大阪大学工学部）
P-10 SiC系半導体の熱電特性
岡本庸一、守本 純、宮川 浹（防衛大学）
P-11 Alをイオン注入したｐｎ接合の逆方向特性
岩崎貴之、川瀬大助、大野俊之、八尾 勉（日立製作所日立研究所）
P-12
高温で窒素注入したSiCの電気特性
大島 武、伊藤久義、青木 康、吉川正人、梨山 勇、高橋徹夫*、奥村 元*、吉田貞史*
（日本原子力研究所高崎研究所、電子技術総合研究所*）
P-13 6H-SiCの新たなオーミックコンタクト形成技術
寺地徳之、原 史朗、大串秀世、梶村皓二（電子技術総合研究所）
P-14 6H-SiC
MOS構造の熱酸化膜中の固定電荷の深さ分布
吉川正人、大島 武、伊藤久義、梨山 勇、斉藤一成*、奥村 元**、吉田貞史**
（日本原子力研究所高崎研究所、日本大学理工学部*、電子技術総合研究所**）
P-15 反転型6H-SiC MOSFETチャネル移動度の特性評価
夫馬弘雄、三浦篤志、只野 博（豊田中央研究所）
P-16 イオン注入非晶質6H-SiCの再結晶化に伴う構造変化
石丸 学、原田信介、岡本照昭、中田俊武*、米田知晃*、井上森男*
（九州大学工学部、イオン工学研究所*）
P-17 多結晶SiC薄膜を用いたマイクロセンサの試作
杉山隆生、三輪達哉、河本哲夫、中尾真人、上村喜一、小沼義治（信州大学工学部）
P-18 ﾄﾗｲｵｰﾄﾞﾌﾟﾗｽﾞﾏCVD法による微結晶SiC膜成長へのバイアス効果
蜷川直樹、安井寛治、赤羽正志（長岡技術科学大学電気系）
P-19 b-SiC(001)基板上でのダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長
水落祐二、佐藤敦祥、石倉威文*、山下 敏*、川原田洋
（早稲田大学理工学部、東京ガス*）
P-20 ダイヤモンドMESFETを用いた集積回路作製のための基礎技術の確立と
フリップフロップICメモリーの作製
外園 明、伊藤正宏、神 信孝、野田英行、中村健一*、石倉威文*、山下 敏*、
川原田洋（早稲田大学理工学部、東京ガス*）
P-21 3C-SiC(001)上立方晶GaNのMOVPE成長
橋本茂樹、秋山 傑、矢口裕之、尾鍋研太郎、伊藤良一、白木靖寛*、
長澤弘幸**、山口洋一**
（東京大学工学部、東京大学先端科学技術研究センター*、ＨＯＹＡ**）
P-22 ECRプラズマを用いたガスソースMBE法による立方晶GaNの成長
太田一生*、浜口 寛**、奥村 元、長友隆男*、吉田貞史
（電子技術総合研究所、芝浦工業大学*、東京理科大学**）
P-23 GaAs(111)B面上に成長したジンクブレンドGaNのフォトルミネッセンス
田中秀尚、中平 篤（ＮＴＴ境界領域研究所）
P-24 RF MBE GaN成長中のイオンダメジ効果
趙 晟煥、田中宇乙、秦 一貴、丸山隆浩、秋本克洋（筑波大学物質工学系）
P-24 Hot Wall epitaxy
法によるGaN薄膜のラマン散乱（温度依存性）
坂下博一、播磨 弘、中島信一、石田明広*、山本悦司*、藤安 洋*
（大阪大学工学部、静岡大学工学部*）
P-25 InGaN青色LEDの電気的・光学的性質の温度依存性
藤本正克、瀬戸本龍海*、山田陽一**、田口常正**、中村修二***
（山口県工業技術センター、山陽ハイテック*、山口大学工学部**、日亜化学工業***）
P-26 選択成長GaN光導波路からの光励起誘導放出観測と導波路構造の検討
田中俊明、内田憲治、川中 敏、皆川重量（日立製作所中央研究所）
P-26 GaN系面発光レーザ用の反射率反射鏡の設計と製作
本田 徹、勝部敦史、五月女耕二、白澤智恵、森美由紀、坂口孝浩、小山二三夫、伊賀健一
（東京工業大学精密工学研究所）