主催：応用物理学会 ＳｉＣ及び関連ワイドギャップ半導体研究会
日時：平成８年１０月３１、１１月１日
場所：京大会館（京都市左京区吉田河原町15-9）
10：00 開会の辞 吉田貞史（電総研）
10：15 基調講演 －－座長 西野 茂弘（京都工芸繊維大）－－
10：15 「ハードエレクトロニクスプロジェクト」
荒井和雄（電総研）10：45 「２１世紀のパワーエレクトロニクス」
大橋弘通（東芝）11：15 「高周波大電力デバイスの現状と将来」
太田順道（松下電子）
11：45 ～ 13：15 昼食
13：15 特別講演 －－座長 中島 信一（阪大）－－
13：15 「TEMによる半導体結晶の評価」
岡野哲之、神前隆、薮内康文（松下テクノリサーチ）13：45 「Status of Silicon Carbide Device at Cree Research」
Calvin H. Carter,Jr. (Cree Research.Inc.)
14：30 国際会議報告 －－座長 鈴木 彰（シャープ）－－
高温エレクトロニクス国際会議
田島道夫（宇宙科学研）DRC, EMC
梶山 健二（イオン工学研）ヨーロッパSiC国際会議(ECSCRM)
金谷正敏（新日鉄）
15：30 ポスターセッション：Ｐ-１ ～ Ｐ-42 （別記）
結晶成長、評価、物性解析、デバイスプロセス、デバイス特性、
SiC、GaN系、ダイヤモンド、その他
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懇親会（於：京大会館）（18:15 ～ 20:30）
１１月１日（金） ９：３０～１６：００
9：30 パネルデｲスカッション
「SiC電子デバイス実現に向けて、今、何をなすべきか」
コーデｲネーター 吉田 貞史（電総研）
9：30 SiCパワーデバイスの現状について 八尾 勉（日立）
9：55 基板結晶 矢代弘克（新日鉄）
10：20 エピタキシャル成長 松波弘之 (京大）
10：45 デバイス設計--SiC MOSFET-- 原邦彦（デンソー）
11：10 デバイスプロセス 上野勝典（富士電機）
11：35 総合討論
12：00 ～ 13：15 昼食
13：15 ナイトライド、ダイヤモンドセッション 座長 朝日一（阪大）
13：15 GaN系材料の発光特性と光物性 中村修二（日亜化学）
13：40 SiC 基板上のGaN系結晶成長
「GaN量子ドットの形成とその光学特性」
田中 悟、平山秀樹、青柳克信（理研）
「レーザー用基板としての検討」
倉又朗人、堀野 和彦、堂免 恵、棚橋 俊之（富士通研）
14：30 GaN系電子素子の現状 奥村 元（電総研）
14：55 ダイヤモンド電子デバイス 川原田 洋（早稲田大）
15：20 総合討論
15：50 閉会の辞 西野茂弘（京都工芸繊維大学）
16：00 終了
Poster Session
P-1 LPCVD法によるSi基板上への3C-SiCの結晶成長－Alドーピング－
樽井 陽一郎，木の内 伸一，木股 雅章，尾関 龍夫（三菱電機(株)
先端技術総合研究所）
P-2 減圧CVD法による3C-SiCヘテロエピ膜の表面モフォロジー
高橋 徹夫，石田 夕起，奥村 元，吉田 貞史，関川
敏弘（電子技術総合研究所）
P-3 減圧CVD法によるSi基板上3C-SiCヘテロエピ膜の特性評価
石田 夕起，高橋 徹夫，奥村 元，吉田 貞史，関川
敏弘（電子技術総合研究所）
P-4 SiC炭化膜形成後のSi基板上に形成したボイドの観察
鎌田 功穂，土田 秀一，泉 邦和（電力中央研究所 横須賀研究所 ）
P-5 Si2Cl6+C3H8を用いたSi基板上への3C-SiCのCVD成長
三柳 俊之，西尾 勇希，西野 茂弘（京都工芸繊維大学 工芸学部
）
P-6 HMDSを用いたSIMOX基板上へのβ-SiCのエピタキシャル成長
小林正貴、松本光二、西野茂弘（京都工芸繊維大学 工芸学部 ）
P-7 RFプラズマCVD法によるメチルトリクロロシランからのシリコンカーバイドの薄膜成長
金子 聰，宮川 宣明，曽根 逸人，飯島 誠（東京理科大学
理学部）
P-8 シリコンカーバイドのCVD成長過程の熱重量天秤による重量その場観察
金子 聰，宮川 宣明，曽根 逸人（東京理科大学 理学部）
P-9 MBEによる初期成長層上に形成した減圧CVDによる3C-SiC
内田 正雄，出口 正洋，北畠 真，北川 雅俊（松下電器産業(株)
中央研究所）
P-10 3C-SiC/Siヘテロエピタキシーの初期成長機構
畑山 智亮，冬木 隆，松波 弘之（京都大学 大学院工学研究科 ）
P-11 パルスレーザー光照射による6H-SiC結晶の作成
美田 佳三，小林 融弘（大阪大学 基礎工学部）
P-12 昇華法によるSiC単結晶成長端面のステップ観察
杉山 尚宏，岡本 篤人，奥村 公平，谷 俊彦，神谷 信雄（(株)豊田 中央研究所）
P-13 昇華法による6H-SiCのバルク成長
佐々木信、三谷岳彦、西野茂弘（京都工芸繊維大学 工芸学部）
P-14 近接法による昇華エピタキシャル成長
吉田哲哉、北川学、S.K.Lilov、西野茂弘（京都工芸繊維大学 工芸学部）
P-15 Real-time Monitoring of an Oriented Diamond Nucleation Process
Xi Li,
Yasuaki Hayashi, Shigehiro Nishino
( Kyoto Institue of Technology, Department
of Engineering and Design )
Ｐ-16 3C-SiC(001)表面におけるダイマー間バックリングによるc(4x2)原子配列の発現
北村 順也*,**，原 史朗*，大串
秀世*，吉田 貞史*，三沢 俊司***，梶村 皓二*,**
（電子技術総合研究所*，筑波大学連携大学院** ，日本真空超材研***）
Ｐ-17 熱処理したα-SiC(0001)Si面の表面構造
塚本 健之，平井 正明，日下 征彦，岩見 基弘，小澤太 健展*，長村
俊彦*，中田俊武**
（岡山大学 理学部，(株)ユニソク*，(株)イオン工学研究所**）
P-18 6H-SiC{0001}面の表面再配列
北畠 真（松下電器産業(株) 中央研究所）
P-19 イオン注入による欠陥層を利用したSiCの熱酸化膜形成
米田 知晃，中田 俊武，梶山 健二，渡辺 正則，井上 森雄，北畠 眞*，出口
正弘*，内田正雄*
（(株)イオン工学研究所，松下電器産業(株) 中央研究所*）
P-20 SiC結晶の逆格子マッピングによる評価
梶山 健二，中田 俊武（イオン工学研究所）
P-21 6H-SiCのマイクロパイプ周辺に存在する内部応力
加藤 智久，大里 齊，奥田 高士（名古屋工業大学 材料工学科）
P-22 SiCウェハーの低温顕微フォトルミネッセンスマッピング
熊谷 欣一*，田島 道夫，中田 俊武**，井上 森雄**，中村
彬*
（宇宙科学研究所，東京理科大学*，(株)イオン工学研究所**）
P-23 SiCバルク結晶上に作製したSchottky Barrier Diodeの電気的特性評価
西川 猛，星野 泰三，金谷
正敏（新日本製鐵(株) 先端技術研究所）
P-24 逆スパッタによる6H-SiC上ショットキー電極の形成
木ノ内 伸一，樽井 陽一郎，木股 雅章，尾関 龍夫（三菱電機⑭
先端技術総合研究所）
P-25 Si基板上に成長した3C-SiC膜の結晶性と電気的評価
長澤 弘幸，八木 邦明，河原 孝光（HOYA⑭R&Dセンター）
P-26 反転型6H-SiC MOS-FETの特性
矢野 裕司，井上 尚也，木本 恒暢，松波 弘之（京都大学 大学院工学研究科）
P-27 単結晶SiCの高圧熱処理
平林 康男，降屋 幹男，熊谷 正夫*，薮田
湖納美*
（神奈川県産業技術総合研究所，神奈川県高度技術支援財団*）
P-28 自由電子レーザを用いたSiCのアニーリング
大山 秀明，鈴木 敏司，西 和久，三露 常男，冨増
多喜夫（(株)自由電子レーザ研究所）
P-29 Al注入したSiC pn接合の特性と高温アニール
岩崎 貴之，大野 俊之，八尾 勉 （(株)日立製作所 日立研究所）
P-30 シリコン表面炭化層のESR
廣澤 惠司，長澤 弘幸*，八木 邦明*，和泉
富雄（東海大学 工学部，HOYA(株)R&Dセンター*）
P-31 Thermal Annealing Effect of Silicon Carbide Implanted with Gallium
Ion
Y. Tanaka, N. Kobayashi, M. Hasegawa, S. Yoshida, Y. Ishida, T.
Nishijima,
H. Sekiguchi, N. Hayashi, K. Oyoshi*, S.
Hishita*
（Electrotechnical Laboratory, National Inst. Res. Inorganic
Mater.*）
P-32 イオン注入3C-SiC中の欠陥の陽電子消滅測定
大島 武，伊藤 久義，青木 康，吉川 正人，梨山 勇，上殿
明良*，守屋 剛*，河野孝央*，
谷川庄一郎*，高橋 徹夫**，奥村 元**，吉田
貞史**
（日本原子力研究所高崎研究所，筑波大学物質工学系*，電子技術総合研究所**）
P-33 ラマン散乱による低抵抗n型SiCの評価
浜本 哲也，播磨 弘，中島 信一（大阪大学 大学院工学研究科）
P-34 半導体接地極を用いた電力ケーブルの地絡事故防止
樋口 武光（関西電力⑭ 総合技術研究所 ）
P-35 GaNのMOVPE成長におけるAl2O3基板の前処理
本田 徹，五月女 耕二，白沢 智恵，森 美由紀，持田 宣晃，井上 彰，坂口
孝浩，
小山 二三夫，伊賀 健一（東京工業大学 精密工学研究所）
P-36 MOCVD法による3C-SiC/Si(001)上への立方晶GaNの成長
石田 昌宏，橋本 忠朗，寺越 喜多美*，今藤 修，油利 正明，吉川
昭男，伊藤国雄，
杉野 隆*，白藤 純嗣*（松下電子工業(株) 電子総合研究所，大阪大学 大学院工学研究科*）
P-37 GaN成長におけるサファイア基板のミスオリエンテーションの影響
斎藤 博和，宮脇 誠，森田 毅，長友 隆男，大本 修（芝浦工業大学 工学部
）
P-38 GaAs基板上の立方晶GaNエピ膜の表面再配列構造の観察
太田 一生*，浜口 寛**，奥村 元，長友 隆男*，吉田
貞史
（電子総合研究所，芝浦工業大学*，東京理科大学**）
P-39 立方晶GaNの表面再配列構造と成長条件の適正化
浜口 寛*，Guy Feuillet，太田 一生**，奥村 元，秩父 重英*，中西
久幸*，吉田貞史
（電子技術総合研究所，東京理科大学*，芝浦工業大学**）
P-40 High Resolution XRD Analysis of Cubic GaN Grown by ECR MBE-Pole Figures
and Reciprocal Lattice Mapping
K. Balakrishnan, G. Feuillet, K. Ohta*, H.
Hamaguchi**, H. Okumura, S. Yoshida
（Electrotechnical Laboratory, Shibaura
Inst. Technol.*, Sci. Univ. Tokyo**）
P-41 各種基板上へのGaNのイオン除去ECR-MBE成長
岩田 拡也，朝日 一，浅見 久美子，黒岩 玲子，権田
俊一（大阪大学 産業科学研究所）
P-42 高電流注入下におけるInGaN青色LEDのキャリア輸送と発光過程
藤本 正克，田口 常正*，工藤 広光*，山田 陽一*，中村
修二**，四宮 源市**
（Industrial Technol. Inst., Yamaguchi Univ.*, Nichia
Chemical**）
Ｐ-43 Ga2S3およびIn2S3を用いたInGaN粉末の作製
塚本 直人，蟹江 壽（東京理科大学 基礎工学研究科 ）
Ｐ-44 ラマン散乱によるn型GaNのキャリア濃度，移動度の評価
播磨 弘，浜本 哲也，中島
信一（大阪大学 大学院工学研究科）