主催：応用物理学会 ＳｉＣ及び関連ワイドギャップ半導体研究会
日時：平成９年１１月２６日（水）、２７日（木）
場所：松下ＡＶ＆ＣＣシステムズスクエア、ハイビジョンホール
（東京都品川区東品川４ー５ー１５）
9:30〜9:40 オープニング 松波弘之（京都大）
9:40〜11:40 I. バルク結晶（座長：西野茂弘（京都工繊大））
1. 大谷 昇（新日鐵） ：国際会議報告(ICSCIII-N'97): バルク結晶成長関連
2. 酒井士郎（徳島大） ：窒化物関連国際会議報告-バルクGaN を中心として-
3. 龍見雅美（住友電工）：GaAsバルク結晶の現状と課題
4. 柿本浩一（九州大） ：シリコンバルク結晶成長時の熱と物質の輸送現象
discussion−−−−− 11:40〜12:50 昼食 −−−−−
12:50〜13:50 II. Special Talk（座長：木本恒暢（京都大））
1. Prof. G. Pensl et al. (University of Erlangen, Germany)：
Characterization of Impurity Centers in Bulk SiC and
at the Interface of SiC/SiO2 MOS Structures
2. Prof. W. J. Choyke et al. (University of Pittsburgh, USA)：
Recent Results in SiC --- Higher Lying Conduction Bands,
Persistent Defects due to Ion Implantation and
the Phosphorus Donor13:50〜15:00 III. 窒化物エピタキシー、プロセス及び物性評価
（座長：尾鍋研太郎（東大））天野 浩（名城大学）：GaN物性関連国際会議報告
家近 泰（住友化学）：CVD関連国際会議報告
（SiC, III-Nおよび関連化合物国際会議の話題を中心にして）
奥村 元（電総研） ：ICSCIII-N'97, ICNS'97 ＭＢＥ関連会議報告
discussion−−−−− 15:00〜15:20 ブレーク −−−−−
15:20〜16:40 IV. SiCエピタキシー及び物性評価
（座長：北畠真（松下電器））1. 播磨 弘（阪大） ：Int.Conf. on SiC,III-Nit.Rel.Mat.'97報告
（SiC物性評価関連）
2. 高橋徹夫（電総研） ：ICSCIII-N'97会議報告
（ヘテロエピタキシー及び物性評価）
3. 土田秀一（電中研） ：ICSCIII-N'97会議報告
（SiCホモエピタキシャル成長）
4. 関野滝夫（住友金属鉱山）：酸化物結晶基板の表面加工について
discussion16:40〜18:25 ポスターセッション（後掲）
…………………………………………………………………………………………………………
懇親会（18:30〜20:30）
１１月２７日（木） ９：００〜１６：３０
9:00〜10:30 V. SiCプロセス（座長：中田俊武（イオン工研））
1. 木本恒暢（京都大） ：ICSCIII-N'97イオン注入、ＭＯＳ特性報告
2. 大野俊之、八尾 勉（日立）：ICSCIII-N'97報告（電極）
3. 服部健雄（武蔵工大） ：SiO2/Si界面構造の研究
discussion−−−−− 10:30〜10:50 ブレーク −−−−−
10:50〜12:10 VI. 窒化物デバイス及びSiC高周波デバイス
（座長：長谷川文夫（筑波大））1. 鈴木 彰（シャープ） ：第２回窒化物半導体国際会議(ICNS'97)報告
（デバイス関連）
2. 太田順道（松下電工） ：ICSCIII-N'97におけるSiC高周波デバイス関連報告
3. 青木芳雄、深谷 潤（富士通ｶﾝﾀﾑﾃﾞﾊﾞｲｽ）：GaAsパワーFETsの現状
discussion−−−−− 12:10〜13:15 昼食 −−−−−
13:15〜13:45 VII. ダイヤモンド
1. 藤森直治（住友電工）：ダイヤモンドの単結晶成長とエレクトロニクス応用の現状
13:45〜14:15 VIII. ﾜｲﾄﾞｷﾞｬｯﾌﾟ半導体関連ﾅｼｮﾅﾙﾌﾟﾛｼﾞｪｸﾄ概要
（座長：奥村元（電総研））1. 荒井和雄（電総研） ：「ハードエレクトロニクス」Ｒ＆Ｄの概要
2. 中田俊武（イオン工研）：「エネルギー使用合理化燃焼等制御システム技術開発」プロジェクト−−−−− 14:15〜14:35 ブレーク −−−−−
14:35〜16:20 IX. パワーデバイス（座長：四戸孝（東芝））
1. 原 邦彦（デンソー）：ICSCIII-N'97 Sweden報告 −パワーＦＥＴ関連トピックス−
2. 上野勝典（富士電機）：SiCパワー素子への課題（最近の報告を中心に）
3. 中川明夫（東芝） ：Ｓｉパワーデバイスの現状
discussion16:20〜16:30 クロージング 吉田貞史（電総研）
■ポスターセッション■■■■■
【バルク結晶】
01. 昇華近接法によるSiCのエピタキシャル成長
吉田 哲哉，西尾 勇希，S.K.Lilov，西野 茂弘
（京都工芸繊維大学
電子情報工学科）
02. 昇華法によるSiC単結晶成長中の転位の移動
杉山 尚宏，岡本 篤人，谷 俊彦，神谷 信雄
（(株)豊田中央研究所）
03. バルクSiCの欠陥形成メカニズム
佐々木 信，西野 茂弘，中島 信一*，播磨 弘*
（京都工芸繊維大学
電子情報工学科，大阪大学 工学部*）
【ホモエピ】
04. 6H-SiC基板の成長前熱処理の検討
樽井 陽一郎，今泉 昌之，木ノ内 伸一，杉本 博司，高見 哲也，尾関
龍夫
（三菱電機(株) 先端技術総合研究所）
05. ＨＯＴ ＷＡＬＬ ＣＶＤ法を用いたα-SiCのエピタキシャル成長
小林 正貴，西野 茂弘
（京都工芸繊維大学
電子情報工学科）
06. 6H-SiC(0001)表面再配列構造と表面構造制御エピタキシー
北畠 真，高橋 邦方
（松下電器産業(株)
中央研究所）
【３Ｃエピ成長】
07. ＬＰＣＶＤ法を用いた3C-SiC薄膜の作製
奈佐 利久*,**，児島 一聡*，吉川 正人*，梨山 勇*，米山 賢**，三友
宏志**
（日本原子力研究所 高崎研究所*，群馬大学大学院 工学研究科**）
08. ＣＶＤ法による3C-SiC on Si単結晶薄膜の作製
K.Kojima, M.Yoshikawa, T.Nasa,
I.Nasiyama
（Japan Atomic Energy Research Institute)
09. 3C-SiCのＣＶＤ/ＭＢＥ成長
内田 正雄，北畠 真，北川 雅俊
（松下電器産業(株) 中央研究所）
10. ＤＭＣＳを用いた低電子温度領域における結晶SiC膜の低温成長
木村 雅秀，真田 謙一郎，安井 寛治，赤羽
正志
（長岡技術科学大学 電気系）
11. Si(100)面におけるSiC形成初期過程の研究
楠 勲，斎藤 美子，猪狩 佳幸，高岡 毅
（東北大学
科学計測研究所）
12. エチレンによるSi(001)表面の炭化過程
小杉 亮治，隅谷 宗太，高桑 雄二，虻川 匡司，鈴木 章二*，佐藤
繁*，河野省三
（東北大学 科学計測研究所，理学部*）
13. Si基板表面上の初期炭化機構の考察
鎌田 功穂，土田 秀一，泉 邦和
（(財)電力中央研究所 横須賀研究所）
14. ＬＰＣＶＤ法により作製した3C-SiC薄膜のＥＳＲ評価
小林 恵介，和泉 富雄，八木 邦明*，長澤 弘幸*
（東海大学
工学部，ＨＯＹＡ(株) Ｒ＆Ｄセンター*）
15. 3C-SiCヘテロエピタキシャル成長における新しいＡＰＤ観察法の提案
高橋 徹夫，石田 夕起，奥村 元，吉田 貞史，関川
敏弘
（電子技術総合研究所）
16. 3C-SiC(001)表面における分子線供給によるSi原子の吸着率自己変化の動的過程
北村 順也*,**，原 史朗*，大串
秀世*，吉田 貞史*，三沢 俊司***，梶村皓二*,**
（電子技術総合研究所*，筑波大学 連携大学院**，日本真空 超材研***）
17. 水素切断による3C-SiC薄膜の形成：高温エピ成長用の基板作成
梶山 健二，米田 知晃，山本 真弘*，原
徹**
（イオン工学研究所，大阪電気通信大学*，法政大学**）
【表面】
18. 3C-SiC(001)-c(2x2)炭素終端表面の原子配列構造
原 史朗*，北村 順也*,**，大串 秀世*，吉田 貞史*，三沢
俊司***，梶村皓二*,**
（電子技術総合研究所*，筑波大学 連携大学院**，日本真空 超材研***）
19. (0001)4H-SiC基板の表面評価
川口 健一，山本 哲也，鈴木 誠二，Kerry C.Kimes，高橋
和彦
（三洋電機(株) 筑波研究所）
20. SiC表面ならびに自然酸化物の赤外分光による評価
土田 秀一，鎌田 功穂，泉 邦和
（(財)電力中央研究所
横須賀研究所）
【物性評価】
21. 6H-SiCマイクロパイプ周辺に存在する内部応力の発生モデル
加藤 智久，大里 斎，岡本 篤人*，杉山 尚宏*，奥田
高士
（名古屋工業大学 材料工学科，豊田中央研究所*）
22. ＲＢＳ/チャネリング法による(1-100)SiC結晶の極性評価
佐藤 政孝，岡本 浩一*，中池 勇樹*，栗山 一男*，金谷
正敏**
（法政大学 イオンビーム工学研究所，工学部*，新日本製鉄 先端技術研究所**）
23. Theoretical studies of the Hall mobility anisotropy in n-type 4H-
and6H-SiC
T.Kinosita，K.M.Itoh，J.Muto，M.Schadt*，G.Pensl* and
K.Takeda**
（Keio University，Universitat Erlangen-Nurnberg*，Waseda
University**）
24. Si基板上3C-SiC中の過剰キャリアライフタイムの温度依存性
市村 正也*，山田 登**，田尻 寛亨，荒井
英輔
（名古屋工業大学 電気情報工学科，共同研究センター*，豊田中央研究所**）
25. ＰＬ時間減衰法によるSiC結晶評価
小林 節子，四戸 孝，八幡 彰博，大橋 弘通
（(株)東芝 研究開発センター
先端半導体デバイス研究所）
26. ラマン散乱によるSiCダイオードの動作時温度評価
細田 亨，播磨 弘，中島 信一
（大阪大学 工学部）
【デバイス化プロセス】
27. 半導体SiCにおけるレーザープロセッシング
江龍 修，中嶋 堅志郎
（名古屋工業大学 電機情報工学科）
28. イオン注入後のアニール条件と表面粗さとの相関
辻 崇，斎藤 明，上野 勝典
（(株)富士電機総合研究所
材料技術研究所）
29. AlあるいはBを注入した4H-SiCの残留欠陥
大野 俊之，岩崎 貴之，菅原 良孝，浅野 勝則，八尾 勉
（(株)日立製作所
日立研究所，関西電力(株) 総合研究所）
30. SiC(1-100)へのイオン注入
岡本 浩一，中池 勇樹，佐藤 政孝*，栗山 一男，金谷 正敏**
（法政大学
工学部，法政大学 イオンビーム工学研究所*，新日本製鉄 先端技術研究所**）
31.
6H-SiCへのSc及びGaのイオン注入
T.Henkel，Y.Tanaka，N.Kobayashi，I.Koutsaroff，H.Okumura,S.Yoshida
and T.Ohshima*
（Electrotechnical Laboratory，Japan Atomic Energy Research
Institute*）
32. Siへの高エネルギーCイオン注入による埋め込みSiC層の形成
白倉 寛八，神田 沢水，北原 正博，稲田 太郎
（法政大学
工学部）
33. H+注入によるSiCの薄膜剥離現象
植野 孝，細野 剛，花元 克己，城戸 義明，小野 了一，中山
康之，
佐々木宗生*，西野 茂弘**
（立命館大学 理工学部，滋賀県工業技術総合センター*，京都工芸繊維大学**）
34. イオン照射による6H-SiC(0001)Siの増速熱酸化膜の電気的特性
米田 知晃，中田 俊武，畑山 智亮，渡辺 正則，井上
森雄，北畠 眞*，
出口 正洋*，内田 正雄*
（(株)イオン工学研究所，松下電器産業(株) 中央研究所*）
【デバイス技術】
35. Hf/6H-SiC界面の低Ｓｃｈｏｔｔｋｙ障壁形成
寺地 徳之*,**，原 史朗*，大串 秀世*，梶村
皓二*,**
（電子技術総合研究所*，筑波大学 連携大学院**）
36. ＬＰＣＶＤ法により作製した3C-SiCエピ膜のショットキー障壁特性
石田 夕起，高橋 徹夫，奥村 元，吉田 貞史，関川
敏弘
（電子技術総合研究所）
37. アモルファスSiCによるターミネーションを用いたショットキーダイオードの特性
松本 光二，陳 義，J.Kuzmik，西野
茂弘
（京都工芸繊維大学 電子情報工学科）
38. 6H-SiC ＭＥＳＦＥＴの高温（400℃）動作特性
戸田 忠夫，上田 康博，茨木 晃
（三洋電機(株)
マイクロエレクトロニクス研究所）
【窒化物半導体】
39. アンモニアを窒素源として用いたＭＢＥ法によるGaNの成長機構
森島 進一，佐々木 仁美，遠藤 俊介，丸山 隆浩，秋本
克洋
（筑波大学 物質工学系）
40. In Situ analysis of RF-MBE growth of hexagonal GaN epilayers on sapphire
(0001)
K.Balakrishnan，H.Okumura and S.Yoshida
（Electrotechnical
Laboratory）
41. Structural investigation of MBE grown hexagonal GaN epilayers by high
resolution XRD and TEM
K.Balakrishnan，H.Okumura and
S.Yoshida
（Electrotechnical Laboratory）
42. 立方晶GaN成長におけるAsの効果
浜口 寛*，小泉 貴義**，多田 健司*，奥村 元，石田 夕起，秩父 重英*，
中西
久幸*，吉田 貞史
（電子技術総合研究所，東京理科大学*，芝浦工業大学**）
43. 高品質・厚膜立方晶GaNのＨＶＰＥ/ＭＯＭＢＥハイブリッド成長
土屋 晴稔，砂場 健児，南 雅人，末益 崇，長谷川
文夫
（筑波大学 物質工学系)
44. 原子状水素によるGaAs(001)面の原子レベルでの平坦化と高品質立方晶GaNのエピタキシー
永野 元、秦 志新、勝 康夫、賈
岸偉、小林 正和、下斗米 道夫、加藤 嘉則、吉川明彦
（千葉大学 工学部）
45. GaAs(100)基板上にＭＯＶＰＥ成長した立方晶GaNのフォトルミネッセンス特性
呉 軍，矢口 裕之，尾鍋 研太郎，白木
靖寛*，伊藤 良一
（東京大学大学院 物理工学専攻，東京大学 先端科学技術研究センター*）
46. 顕微ラマン分光を用いた3C-SiC基板上に成長したGaNの結晶構造解析
矢口 裕之，呉 軍，長沢 弘幸*，山口 洋一*，尾鍋
研太郎，白木 靖寛**，伊藤良一
（東京大学大学院 物理工学専攻，ＨＯＹＡ(株)*，東京大学 先端科学技術研究センター**）
47. ＲＦ−ＭＢＥ法による立方晶AlGaN, AlNの成長
小泉 貴義*，浜口 寛**，多田 健司**，奥村 元，石田 夕起，長友
隆男*，吉田貞史
（電子技術総合研究所，芝浦工業大学*，東京理科大学**）
48. GaP/GaN超格子のガスソースＭＢＥ成長
反保 衆志，朝日 一，岩田 拡也，浅見 久美子，黒岩 玲子，金
成珍，権田俊一
（大阪大学 産業科学研究所）
49. ガラス基板上GaNからの強いＰＬ発光の評価
岩田 拡也，朝日 一，浅見 久美子，反保 衆志，黒岩 玲子，権田
俊一
（大阪大学 産業科学研究所）
50. ラマン散乱によるp型GaNのキャリア濃度評価
井上 俊明，播磨 弘，中島 信一
（大阪大学 工学部）
51. Persistent photoconductivity in MBE grown
GaN
C.V.Reddy，K.Balakrishnan，H.Okumura and
S.Yoshida
（Electrotechnical Laboratory）
52. GaAs(001)基板上にＲＦ−ＭＢＥ法で成長した立方晶GaNエピ膜のホール効果による評価
Ivoyl P.Koutzarov，浜口
寛*，Alain Fave，奥村 元，吉田 貞史
（電子技術総合研究所，Science University of Tokyo*）
53. 選択成長技術による窒化物結晶の転位密度低減と横モード制御構造への検討
田中 俊明，青木 茂，川中 敏
（(株)日立製作所
中央研究所）
54. 取り下げ
【ダイヤモンド】
55.
電子デバイスを目指した高品質ホモエピタキシャルＣＶＤダイヤモンド薄膜の合成
竹内大輔*、渡辺幸志*,**、林和志*、原史朗*、関口隆史***、大串秀世*、梶村皓司*,**
（電子技術総合研究所*、筑波連携大学院**、東北大学
金属材料研究所***）
56. ダイヤモンド被覆超微細Si柱からの電界電子放出
村上 裕彦
（日本真空技術(株) 筑波超材料研究所）