ＳｉＣ及び関連ワイドギャップ半導体研究会
第７回講演会 プログラム

主催：応用物理学会ＳｉＣ及び関連ワイドギャップ半導体研究会
場所：京都工芸繊維大学、大学センターホール
日時：1998年11月12、13日

7th Meeting on SiC and Related Wide Bandgap Semiconductors
Kyoto Institute of Technology, Center Hall
Nov.12-13, 1998

１１月１２日（木）　９：３０-１８：１５
（懇親会１８：３０-２０：３０ ）
(Nov. 12, Thursday, 9:30-18:15, Reception 18:30-20:30)

９：３０ 開会の辞　(Opening Address)
　　　　中島信一 (大阪大学）

I. 招待講演1 (Invited Talk, 1) （９：３５-１２：３０）

　９：３５　Progress in SiC Materials and Resulting Devices
　　　　J.W. Palmour, C.H. Carter,Jr., V.F. Tsvetkov, D. Henshall, O. Kordina,
　　　　K. Irvine, R. Singh, S.T. Allen and S.T. Sheppard (Cree Research, USA)

１０：１０　Recent Achievements in the Development of Unipolar SiC Electronic Devices
　　　　D. Stephani (Siemens AG, Germany)

１０：４５-１１：００　休憩 (Break)

１１：００　SiCのバルク成長の現状と問題点
(Present Status of SiC Boule Growth)
　　　　西野茂弘（京都工芸繊維大学）

１１：３０　薄膜界面の原子構造と方位予測
(Atomic Structure and Orientation Relationship of Thin Film Interface)
　　　　幾原雄一（東京大学）

１２：００　減圧MOVPE 法によるSiC基板上のGaN系レーザダイオード
(GaN-based Laser Diode on SiC Substrate Grown by Low-pressure MOVPE)
　　　　棚橋俊之、倉又朗人、窪田晋一、副島玲子、堂免恵、堀野和彦（富士通研究所）

１２：３０-１４：００　昼食 (Lunch)

II. 招待講演２ (Invited Talk, 2) （１４：００-１５：０５）

１４：００　Electrical Properties of 4H and 6H SiC: Impurity Incorporation and Characterization
　　　　Adolf Schoener (IMC AB, Sweden)

１４：３５　SiC中の不純物状態に関する第一原理計算
(First-principles calculations of impurity states in SiC)
　　　　福本敦勇（豊田中央研究所）

III. 国際会議報告　(International Meeting Report) （１５：０５-１５：４５）

１５：０５　第２回欧州SiC会議（ECSCRM'98）に参加して
(Attending the 2nd European Conference on Silicon Carbide and Related Materials（ECSCRM'98) )
　　　　梨山　勇、大島　武（日本原子力研究所）

１５：２５　Second International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes - A Report
　　　　Krishnan Balakrishnan (Electrotechnical Laboratory)

IV. ポスターセッション　(Poster session for contributed papers) １５：４５-１８：１５
(プログラムは下記参照) (Program, refer to below)

１８：３０-２０：３０ 懇親会（於: カンポール京都）
(Reception at Hotel Kampol Kyoto)　

１１月１３日（金）９：００-１7：２５
(Nov. 13, Friday, 9:00-17:25)

V. 招待講演３ (Invited Talk, 3) （９：００-１０：３０）

９：００　3C-SiC/Siヘテロエピタキシャル薄膜
(3C-SiC/Si heteroepitaxial thin film)
　　　　北畠　真、内田正雄、高橋邦方（松下電器産業）

９：３０　SiCホモエピタキシャル成長の現状と課題
(Present Status and Future Challenges of SiC Homoepitaxial Growth)
　　　　木本恒暢、松波弘之（京都大学）

１０：００ III-V族窒化物半導体の選択成長
(Selective area epitaxy of III-V nitrides semiconductors)
　　　　平松和政（三重大学）

１０：３０-１０：５０　休憩 (Break)

VI. 招待講演４ (Invited Talk, 4)（１０：５０-１２：５０）

１０：５０　高温環境下でも動作するシリコン集積回路
(Silicon Integrated-Circuit Operating even in High-Temperature Environment)
　　　　右高正俊（豊田工業大学）

１１：２０　SiCパワーデバイスへの期待と開発状況
(Impacts and Recent Progress of SiC Power semiconductor devices)
　　　　菅原良孝（関西電力）

１１：５０　Aluminum Nitride as Gate Dielectric for Silicon Carbide MIS Devices
　　　　Carl-Mikael Zetterling (Kyoto Univ. and KTH, Royal Institute of Technology, Sweden)

１２：２０　High temperature operation MESFET using GaN
　　　　Seikoh Yoshida (Furukawa Electric)

１２：５０-１４：００　昼食 (Lunch)

VII. 招待講演5 (Invited Talk, 5)　（１４：００-１５：３０）

１４：００　全反射赤外吸収分光法によるSiC表面の評価
(Infrared ATR spectroscopy of SiC surfaces)
　　　　土田秀一、鎌田功穂、直本保、泉邦和（電力中央研究所）

１４：３０　CAICISS によるSiC基板表面構造評価
(Characterization of SiC surface crystallinity by CAICISS)
　　　　江龍修、中嶋堅志郎（名古屋工業大学）

１５：００　GaNエピタキシャル膜の極性と終端構造の評価
(Characterization of polarity and terminating structure of epitaxially grown GaN films)
　　　　清水三郎、園田早紀、鈴木康正、奥村　元*、K. Balakrishnan*、白樫淳一*、
　　　　西原　隆**、林　茂樹**、篠原　真**（日本真空技術、電子技術総合研究所*、島津製作所**）

VIII. ナショナルプロジェクト報告　(National Project Report)（１５：３０-１６：００）

１５：３０　重要地域技術研究開発「エネルギー使用合理化燃焼等制御システム技術開発」の開発状況
(Progress in ﾓR&D on Combustion Control Systems for Energy Conservationﾓ)
　　　　渡辺正則（イオン工学研究所）

１５：４０　「超低損失電力素子技術」研究開発概要
(R&D of Ultra-Low-Loss Power Device Technologies)
　　　　荒井和雄（電子技術総合研究所）

１５：５０　フロンティアカーボンの研究テーマと研究体制
(On the Scheme of Frontier Carbon Technology Project)
　　　　平尾孝（大阪大学）

１６：００-１６：１０　休憩 (Break)

IX. 総合討論 (Panel Discussion)（１６：１０-１７：２０）

テーマ：SiCデバイス化への基礎技術 --界面制御--、　司会　吉田貞史（埼玉大学）

1. 酸化層（絶縁体）/SiC界面制御（35分）

デバイスサイド：四戸孝（東芝）、奥野英一（デンソー）、鳥海明（東芝）
物理サイド：吉川正人（原研）、木本恒暢（京大）

2. 金属/SiC界面制御（35分）　

デバイスサイド：八尾勉（日立: パワー）、戸田忠夫（三洋: 高温デバイス、センサ）、杉本博司（三菱: パワー）、北村昌良（新日本無線: 高周波）
物理サイド：原史朗（電総研）、小出康夫（京大）

１７：２０　閉会の辞 (Closing Remarks)
　　　　松波弘之 (京大）

一般講演（ポスター）プログラム 　(Poster Program)

  • P1 有機珪素化合物（HMDS）を用いたSi基板上への3C-SiC薄膜成長
    　　　(Growth of 3C-SiC film on Si substrate using Si2(CH3)6 )
    　　　藤岡洋一、島田浩利、民田浩靖、米井健治（芝浦工業大学）
  • P2 DMSを用いた低電子温度領域における3C-SiC on Siエピタキシャル成長
    　　　(Epitaxial Growth of 3C-SiC on Si in a Low Electron-Temperature Plasma Using Dimethylsilane)
    　　　A.M.B. Hashim、朝田邦夫、安井寛治、赤羽正志（長岡技術科学大学）
  • P3 Si2Cl6+C3H8+H2 を用いたα-SiCの結晶成長及びその評価
    　　　(Characterization of α-SiC Epitaxial Layer Prepared by CVD using Si2Cl6+C3H8+H2 System)
    　　　西尾勇希、大嶋悟、西野茂弘（京都工芸繊維大学）
  • P4 昇華近接法による4H-SiC のエピタキシャル成長
    　　　(Epitaxial Growth of 4H-SiC by Sublimation Close Space Method)
    　　　松本光二、古庄智明、西尾勇希、西野茂弘（京都工芸繊維大学）
  • P5 HMDS を用いたSi基板上の3C-SiC のヘテロエピタキシャル成長
    　　　(Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si Using HMDS)
    　　　陳義、増田泰一、西尾勇希、白藤立、西野茂弘（京都工芸繊維大学）
  • P6 昇華法による大口径6H-SiC の結晶成長
    　　　(Crystal Growth of Large Diameter 6H-SiC Boule by Sublimation Method)
    　　　西口太郎，清水利之，岡田真一，佐々木信，塩見弘，西野茂弘（京都工芸繊維大学）
  • P7 縦型２ゾーンRF加熱CVD装置によるSi基板上3C-SiC 成長
    　　　(3C-SiC/Si heteroepitaxial growth using vertical CVD apparatus with two-zone RF coil)
    　　　毛里昌弘*、高橋徹夫、石田夕起、奥村元、吉田貞史、関川敏弘（電子技術総合研究所、日本大学*）
  • P8 RFプラズマCVD法によるシリコンカーバイド膜の生成機構
    　　　(Plasma-enhanced chemical vapor deposition of a-SiC films)
    　　　金子聰、宮川宣明、曾根逸人、山崎弘祥（東京理科大学）
  • P9 プラズマCVD法によるグラファイト基板上でのSiC薄膜合成
    　　　(Synthesis of SiC thin film on graphite substrate by PECVD method)
    　　　白木浩司，木島弌倫、中平敦、田中嘉一郎、浦添利治（京都工芸繊維大学）
  • P10 格子整合15R-SiC 基板上3C-SiC単結晶エピタキシャル成長層の結晶性評価
    　　　(Characterization of single crystalline 3C-SiC epilayer on lattice-matched 15R-SiC substrate)
    　　　中村俊一、畑山智亮*、木本恒暢、松波弘之（京都大学、奈良先端科学技術大学院大学*）
  • P11 SiCオフ基板上の液相成長
    　　　(Liquid phase epitaxy on SiC off-orientation wafer)
    　　　鎌田功穂、直本保、土田秀一、泉邦和（電力中央研究所）
  • P12 SiCのプラズマ焼結におけるプラズマ作動ガスの影響
    　　　(Effect of plasma working gas on plasma sintering of Silicon Carbide)
    　　　清水啓介，木島弌倫、中平敦、田中嘉一郎、浦添利治（京都工芸繊維大学）
  • P13 SiCのマイクロ波焼結条件の検討
    　　　(Effects of microwave conditions on SiC sintering)
    　　　浅岡賢司、木島弌倫、中平敦、田中嘉一郎、浦添利治（京都工芸繊維大学）
  • P14 Siへの高エネルギーCイオン注入による埋め込みSiC層の形成
    　　　(Formation of buried SiC layers in Si by high-energy C+ implantation)
    　　　神田沢水、岩田大、稲田太郎（法政大学）
  • P15 高エネルギーでAlをイオン注入した4H-SiCの活性化アニール
    　　　(Activation Annealing of High-Energy Al-Implanted SiC)
    　　　杉本博司、樽井陽一郎、今泉昌之、高見哲也、尾関龍夫、関根幸平*（三菱電機、イオン工学研究所*）
  • P16 Effect of sequentially co-implanted C on the B acceptors in 4H-SiC
    　　　(4H-SiCにおいてBアクセプタにC原子を組み合わせイオン注入した結果)
    　　　Rajesh Kumar，Yoshitaka Nakano* and Kunihiko Hara (DENSO, Toyota Central R&D Laboratories*)
  • P17 イオン照射による6H-SiC(0001)Si の増速熱酸化膜の電気的特性
    　　　(Electric properties of thermal oxide layer on 6H-SiC (0001)Si enhanced using ion-irradiation)
    　　　米田知晃、渡辺正則、菱田有二、北畠眞*，（イオン工学研究所、松下電器産業*）
  • P18 水素注入による6H-SiC の薄膜剥離評価
    　　　(Evaluation of thin layer splitting induced by hydrogen implantation in 6H-SiC)
    　　　植野孝、花元克巳、北畠逸平、杉野献一、中山康之、佐々木宗生*、西野茂弘**（立命館大学、滋賀県工業技術総合センター*、京都工芸繊維大学**）
  • P19 SiCへのGa, C 共注入効果に関する研究
    　　　(The effect of Ga and C Co-Implantation in SiC)
    　　　田中保宣、小林直人、長谷川雅考、小倉政彦、吉田貞史、奥村元、田上尚男、西島俊二、林伸行（電子技術総合研究所）
  • P20 Characterization of surface steps on single crystalline 3C-SiC thin films by XTEM
    　　　W. Bahng, H. Matsuhata, T. Takahashi, Y. Ishida, H. Okumura, S. Yoshida*, H. Sawada** and H. Ichinose** (Electrotechnical Laboratory, Saitama Univ.*, Univ. of Tokyo**)
  • P21 LPCVD 法により作製した3C-SiCのESR評価
    　　　(ESR of 3C-SiC film formed by LPCVD method)
    　　　清田真琴、小林恵介、和泉富雄（東海大学）
  • P22 マイクロパイプ欠陥起点の分析
    　　　(Investigation of Micropipe Defect's Origin)
    　　　岡本篤人、杉山尚宏、谷俊彦、神谷信雄（豊田中央研究所）
  • P23 Si基板上3C-SiCのミッドギャップレベルの評価
    　　　(Search for midgap levels in 3C-SiC/Si)
    　　　山田登*、加藤正史、市村正也**、荒井英輔、徳田豊***（豊田中央研究所*、名古屋工業大学、愛知工業大学***）
  • P24 RBS/channeling 法によるSiC 中のGa不純物格子位置の決定
    　　　(Identification of lattice site of Ga impurities in 4H-SiC(1100) by RBS/channeling with preferential scattering technique)
    　　　中池勇樹、佐藤政孝、岡本浩一、栗山一男、金谷正敏*（法政大学、新日本製鐡*）
  • P25 光弾性効果を用いたSiCウエハー中マイクロパイプの非破壊検出
    　　　(Nondestructive Detection of Micropipes in SiC Wafer Using Photoelastic Effect)
    　　　山田正良、儲涛（京都工芸繊維大学）
  • P26 4H-SiCマイクロパイプ周辺の電気的特性のラマン画像測定
    　　　(Raman Image Characterization of Electric Properties of 4H-SiC near a micropipe)
    　　　細田亨，播磨弘，中島信一（大阪大学）
  • P27 β-SiCにおける積層欠陥と格子歪みとの相関
    　　　(Correlation between Stacking Fault and Lattice Strain in Beta-SiC Specimens)
    　　　白幡直人，木島弌倫、中平敦、田中嘉一郎、浦添利治（京都工芸繊維大）
  • P28 SiC ショットキーダイオードの順方向特性
    　　　(Forward characteristics of SiC Schottoky Diodes)
    　　　小野瀬秀勝、大野俊之、菅原良孝*、浅野勝則*、林智基*、八尾勉（日立製作所、関西電力*）
  • P29 縦型CVD 法により作製した3C-SiC 薄膜のショットキー特性
    　　　(Schottky Barrier Characteristics of 3C-SiC grown by vertical CVD method)
    　　　児島一聡、吉川正人、岡田漱平，梨山勇（日本原子力研究所）
  • P30 LPCVD 法により作製した3C-SiC エピ膜のショットキー障壁特性(II)
    　　　(Schottky Barrier Characteristics of 3C-SiC epilayers grown by LPCVD method (II) )
    　　　石田夕起、高橋徹夫、奥村元、吉田貞史、関川敏弘（電子技術総合研究所）
  • P31 エピタキシャル成長により形成したkV 級SiC pn 接合ダイオードの特性評価
    　　　(Characteristics of kV-class SiC epitaxial pn junction diodes)
    　　　宮本直、木本恒暢、松波弘之（京都大学）
  • P32 ゲート酸化膜の作製条件とSiC MOSFET 特性の関係
    　　　(Relation between Fabrication Methods of Gate Oxide and Characteristics of SiC MOSFET)
    　　　大島武、伊藤久義、吉川正人、児島一聡、梨山勇、岡田漱平（日本原子力研究所）
  • P33 ウエット酸化/アニールによるSiC MOS 界面特性の改善とMOSFET 特性の相関
    　　　(Relationship between SiC MOS interface properties improved by wet oxidation/anneal and MOSFET performance)
    　　　矢野裕司、片渕文人、木本恒暢、松波弘之（京都大学）
  • P34 4H-SiC MOSキャパシタの電気特性に対する高温水素アニールの効果
    　　　(Effect of high temperature hydrogen annealing on electrical characterisitics of 4H-SiC MOS capacitors)
    　　　福田憲司、永井清子、関川敏弘、吉田貞史、荒井和雄、吉川正人*（電子技術総合研究所、日本原子力研究所*）
  • P35 C-V and I-V Characteristics of MIS Capacitors with AIN Gate Insulators Grown by MBE on 4H-SiC Substrate
    　　　K. Fukuda , T. Koizumi, H. Okumura, K. Nagai , T. Sekigawa , S. Yoshida and K. Arai (Electrotechnical Laboratory)
  • P36 SiC系多元焼結半導体の熱電特性
    　　　(Themoelectric Properties of Sintered SiC Semiconductor)
    　　　稲井博志、有賀敦、岡本庸一、河原敏男、守本純（防衛大学校）
  • P37 3C-SiC(001)ヘテロエピタキシャル膜の輻射率測定
    　　　(Emissivity measurements of 3C-SiC(001) films)
    　　　北村順也*,**、原史朗*、大串秀世*、吉田貞史*、三沢俊司***、梶村皓二*,**（電総研*、筑波大連携大学院**、日本真空***）
  • P38 表面改質をおこなった6H-SiC のAFM 観察
    　　　(AFM Observation of 6H-SiC Surface Modified by RIE and Sputtering)
    　　　大嶋悟、西尾勇希、西野茂弘（京都工芸繊維大学）
  • P39 3C-SiC(001)-3×2 再配列におけるセルの乱れと局在準位
    　　　(Cellular disorder and localized states of (3×2) reconstruction on 3C-SiC(001) surface)
    　　　原史朗*、北村順也*,**、大串秀世*、吉田貞史*、梶村皓二*,**、三沢俊司***、H.W. Yeom****、R.I.G. Uhrberg******（電総研*、筑波大連携大学院*、日本真空***、東京大学****、Link嗔ing Univ.*****）
  • P40 LPE法によるSiC 成長層の表面モフォロジー
    　　　(Surface Morphorogy of SiC Liquid Phase Epitaxial Layer)
    　　　西澤伸一、房　 、根岸明、吉田貞史*、荒井和雄（電子技術総合研究所、埼玉大学*）
  • P41 α-SiC(0001) の可逆的表面構造遷移と高真空中における結晶成長
    　　　(Reversible Surface Structure Transitions of α-SiC(0001) and Growth in Ultra High Vacuum)
    　　　畑山智亮、冬木隆、中村俊一*、黒部憲一*、木本恒暢*、松波弘之*（奈良先端科学技術大学院大学、京都大学*）
  • P42 CVD による6H-SiC ホモエピタキシャル膜の表面モフォロジー
    　　　(Surface Morphology of 6H-SiC Homoepitaxial Layers by CVD)
    　　　高橋邦方、内田正雄、北畠真（松下電器産業）
  • P43 ヘテロエピタキシャル3C-SiC 表面の結晶粒観察
    　　　Observation of grain on heteroepitaxial 3C-SiC surface
    　　　内田正雄、高橋邦方、北畠真（松下電器産業）
  • P44 Step Structure on SiC Epilayer Surface Analyzed by AFM
    　　　Z. Y. Chen, T. Kimoto, H. Matsunami（Kyoto Univ.）
  • P45 水蒸気アニール法を用いた3C-SiC MOS 構造の作製
    　　　(Fabrication of 3C-SiC MOS structures using water vapor annealing)
    　　　吉川正人、大島武、岡田漱平、梨山勇、石田夕起*、奥村元*、吉田貞史**（日本原子力研究所、電子技術総合研究所*、埼玉大学**）
  • P46 界面電気特性制御のための局所クリーンプロセスシステムの開発
    　　　(Development of local-clean process system for controlling electrical properties at interfaces)
    　　　高井まどか、原史朗（電子技術総合研究所）
  • P47 ｎ型4H−SiC上へのNi薄膜の高温形成
    　　　(High temperature deposition of Ni thin films on n-type 4H-SiC)
    　　　昌原鎬、川口健一、鈴木誠二、山本哲也、高橋和彦（三洋電機）
  • P48 Lowering Alloy Temperature for Ni Ohmic Contacts
    　　　T. Toda, Y. Ueda, M. Hata, Y. Nomura and A. Ibaraki (SANYO Electric)
  • P49 水素及びヘリウム混入のMBE GaN 結晶成長への影響
    　　　(Effect of hydrogen and helium on GaN crystal growth using MBE)
    　　　西岡義人、野畑真純、千葉恭男、小林靖英、寺口信明*、鈴木彰*、名西　之（立命館大学、シャープ*）
  • P50 RF-MBE 法によるサファイア基板上GaN 薄膜成長の成長初期条件に関する検討
    　　　(Study on the initial growth conditions in the growth of GaN thin films on sapphire substrates by RF-MBE method)
    　　　倉井聡、杉田泰一、久保秀一、河辺章、山田陽一、田口常正（山口大学）
  • P51 Comparison of GaN and AIN buffer layers grown by plasma assisted MBE on 6H-SiC substrate
    　　　G. Ferro, H. Okumura and S. Yoshida (Electrotechnical Laboratory)
  • P52 Study on the influence of structural properties on electrical characteristics of MBE grown hexagonal GaN
    　　　K. Balakrishnan, S. Takahira, P. Fons, H. Okumura and S. Yoshida (Electrotechnical Laboratory)
  • P53 熱ピロリン酸を用いたGaNのウエットエッチング
    　　　(Wet Chemical Etching of GaN Using Pyrophosphoric Acid)
    　　　鈴木晃、清水三聡*、渡辺正信*、白樫淳一*、K.バラクリシュナン*、奥村元*、黒須楯生（東海大学、電子技術総合研究所*）
  • P54 III族源としてケミカルビームを用いたRF MBE III-nitrides成長
    　　　(Growht of III-nitrides by RF-MBE using chemical Beams as III-group element sources)
    　　　趙　晟煥、奥村　元、吉田貞史（電子技術総合研究所）
  • P55 RF-MBE法による立方晶AlGaN,AlNの成長
    　　　(Growth of cubic AlGaN and AlN by RF-MBE)
    　　　小泉貴義*、趙晟煥、奥村元、石田夕起、長友隆男*、吉田貞史（電子技術総合研究所、芝浦工業大学*）
  • P56 MOMBE法におけるc-GaN結晶の優先的成長とGaN/3C-SiCヘテロエピタキシャルへの応用
    　　　(Preferential Growth of Cubic GaN in Metalorganic Molecular Beam Epitaxy and Its Application for Heteroepitaxial Growth on 3C-SiC Substrates)
    　　　須田 淳、黒部 立郎、松波 弘之（京都大学）
  • P57 低温成長による青紫色波長域GaNリッチGaNP
    　　　(Blue-violet wavelength region GaN-rich GaNP by growing at low temperatures)
    　　　反保衆志，朝日一、岩田拡也、浅見久美子、権田俊一（大阪大学産業科学研究所）
  • P58 ガスソースMBE成長多結晶GaNからの強いホトルミネセンス発光
    　　　(Strong photoluminescence emission from polycrystalline GaN grown by gas source MBE)
    　　　広木正伸，朝日一、反保衆志、岩田拡也、浅見久美子、田畑仁、川合知二、権田俊一（大阪大学産業科学研究所）
  • P59 GaNのエッチピットの観察
    　　　(Obsevation of etch pits on GaN)
    　　　加地　徹、冨田一義、伊藤健治、只野　博（豊田中央研究所）
  • P60 共焦点顕微ラマン法によるGaN系LED素子構造のｎ,ｐ層キャリア濃度評価
    　　　(Confocal Raman microprobing of carrier concentration in n- and p-GaN layers in LED structures)
    　　　井上俊明、播磨弘、曽根義博、中島信一（大阪大学）
  • P61 欠陥密度の異なるn-GaNに形成したNiショットキ−接触の電気的特性
    　　　(Effect of defect density on the electrical characteristics of Ni/n-GaN contacts)
    　　　塩島謙次, J.M.Woodall*, C.J.Eiting**, P.A.Grudowski**, R.D.Dupuis**（NTT, Purdue Univ.*, Univ. Texas at Austin**）
  • P62 低濃度メタンガスを用いた高品質ダイヤモンド薄膜の合成
    　　　(High quality diamond films grown by mcrowave plasma CVD method using low CH4 concentration in a CH4 and H2 mixed gas system)
    　　　大串秀世*、竹内大輔*、山中貞則*,**、渡辺幸志*,**、梶村皓二*,**（電子総合技術研究所*、筑波大学**）
  • P63 表面波励起マイクロ波プラズマCVD法によるダイヤモンド薄膜の作製
    　　　(Synthesis of Diamond Thin Film by a Surface-Wave-Excited Microwave Plasma CVD Method)
    　　　永廣雅昭、中村英人、林康明、西野茂弘（京都工芸繊維大学）
  • P64 紫外顕微ラマン分光法によるダイヤモンド状炭素膜の評価
    　　　(Characterization of Diamond Like Carbon Films by UV Raman Micro Probe)
    　　　曽根義博、西方健太郎、播磨弘、中島信一、中村英人*、林康明*、西野茂弘*（大阪大学、京都工芸繊維大学*）
  • P65 FT-IR によるZnSe 中の不純物準位の研究
    　　　(Study on the impurity levels in ZnSe by FT-IR)
    　　　山田耕市、中田博保、大山忠司（大阪大学）