主催：応用物理学会
日時：平成１１年３月３０日（火）１４：００〜１７：４５
場所：東京理科大学野田キャンパス
1 Introductory Talk（20分）
吉田貞史（埼玉大工）
2 高周波デバイスの現状と課題（25分）
北村昌良（新日本無線）
3 高性能パワーFETは可能か（30分）
上野勝典（富士電機総研）
4 パワーデバイスの課題 -SiO2とSiC界面の物性-（30分）
奥野英一（デンソー基礎研）
-------- 休 憩 15:45 〜 16:00 ----------
5 プロセス技術概観 -電極形成とエッチングを中心に-（25分）
杉本博司（三菱先端総研）
6 伝導度制御技術 -イオン注入を中心に-（25分）
大野俊之（日立日立研）
7 バルクSiCの結晶成長の現状（25分）
西野茂弘（京都工繊大工）
8 ホモエピタキシャル成長の現状と将来展望（30分）
松波弘之（京大工院）