主催：応用物理学会
日時：平成15年３月27日 13:00〜17:45
場所：神奈川大学横浜キャンパス
1 はじめに −シンポジウムの趣旨―（５分）
鈴木彰（立命館大）
2 パワーダイオードの応用展開（25分）
泉邦和、土田秀一（電力中研）
3 電力用トランジスタの応用展開（25分）
小野瀬秀勝（日立・日立研）
4 民生デバイスの応用展開（25分）
北畠真（松下くらし環境DC）
5 高周波デバイスの応用展開（25分）
新井学（新日本無線）
6 超低損失電力デバイスの開発現状と展望(２５分）
荒井和雄(産総研）
-------- 休 憩 15:10 〜 15:25 ----------
7 SiC単結晶基盤開発の現状（25分）
西澤伸一(産総研）
8 SiCエピタキシャル成長の現状と課題（25分）
木本恒暢、松波弘之（京大院）
9 実用化に向けて、SiCプロセス技術の現状と課題（25分）
杉本博司、樽井陽一郎、今泉昌之、大塚健一、高見哲也 (三菱電機・先端総研）
10 SiCデバイスの信頼性評価（25分）
奥野英一（デンソー・基礎研）
11 SiCパワーデバイスの設計・評価技術（25分）
四戸孝（UPR, 素子協, 東芝・研究開発センター）
12. まとめ―SiCデバイスの将来展望―(１５分）
松波弘之(京大院）