主催：応用物理学会
日時：平成９年３月３０日 13:00〜16:45
場所：日本大学船橋校舎
1 Introductory Talk：ハードエレクトロニクス（５分）
吉田貞史（電総合研）
2 半導体SiCの可能性（25分）
松波弘之（京大工院）
3 カーエレクトロニクスからの期待（20分）
木下繁則（富士電機総研）
4 電力分野からの期待（20分）
泉 邦和（電力中研横須賀研）
5 通信用エレクトロニクスからの期待（20分）
太田順道（松下電子電総研）
-------- 休 憩 14:30 〜 14:45 ----------
6 大口径SiC単結晶ウエハの開発（25分）
大谷昇、勝野正和、高橋淳、八代弘克、金谷正敏、篠山誠二（新日鐵先端研）
7 Si基板上への3C-SiCのエピタキシャル成長（20分）
西野茂弘（京都工繊大工芸）
8 金属／SiC接合特性（25分）
梶山健二、中田俊武（イオン工研）
9 イオン注入技術の現状（25分）
大野俊之（日立日立研）
10 SiC-MOSFETの現状と課題（25分）
恩田正一、原邦彦（デンソー）