公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会主催
第143回結晶工学分科会研究会

深紫外固体発光デバイス開発・応用の最前線


◇ 日時:2015年6月5日(金)10:00〜16:50
◇ 場所:東京都市大学 世田谷キャンパス 5号館小講堂  →アクセス

   〒158-8557 東京都世田谷区玉堤1-28-1
    (東急大井町線「尾山台(東京都市大学世田谷キャンパス前)」駅下車 徒歩12分)


 近年、脱水銀の流れが加速し、医療・食品・浄水・空調分野等で殺菌およびウイルス不活性化に用いられている低圧水銀ランプを新規材料開発により固体素子化する研究が進んでいます。今回、そのキーマテリアルである窒化アルミニウム・ガリウム系結晶の「成長用基板」、「素子構造形成」、「応用」に光を当てて、研究の第一線で活躍する方々の講演を通して深紫外固体発光デバイスの現状理解と問題抽出、今後の研究トレンドについて議論を深める研究会を企画しました。


***プログラム***

10:00〜10:05 結晶工学分科会幹事長 挨拶  
10:05〜10:50 深紫外LEDの高出力化 〜現状と課題〜 和田 貢 (日機装技研)
10:50〜11:35 AlGaN深紫外LED高効率化の進展と展望 平山 秀樹 (理研)
11:35〜12:20 CO-N2熱処理法を用いたサファイア基板上への
高品質AlN薄膜作製術と応用展開
三宅 秀人 (三重大学)
12:20〜13:30 昼休み
13:30〜14:15 昇華法AlN基板上UVC-LED 永瀬 和宏 (旭化成)
14:15〜15:00 HVPE基板上紫外LEDの開発 木下 亨 (トクヤマ)
15:00〜15:20 休 憩
15:20〜16:05 AlN基板上AlGaN量子井戸の
MOVPE成長と光物性評価
川上 養一 (京都大学)
16:05〜16:50 無極性/有極性AlN系深紫外LED:
 結晶成長と発光機構
谷保 芳孝 (NTT)

   
  研究会は終了しました
   

上記講演会の問合せ先:
熊谷 義直 (東京農工大学) E-mail: 4470kuma@cc.tuat.ac.jp
川村 史朗 (物質・材料研究機構) E-mail: kawamura.fumio@nims.go.jp
岡山 昇平(応用物理学会 事務局) TEL: 03-5802-0863(分科会直通) E-mail:divisions@jsap.or.jp


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