公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会主催
第145回結晶工学分科会研究会

ワイドギャップ半導体を支えるバルク基板とエピ技術


◇ 日時:2016年6月3日(金)10:00〜16:50
◇ 場所:名古屋大学 東山キャンパス 坂田・平田ホール(理学南館)  →アクセス

    〒464-8601 名古屋市千種区不老町
    (地下鉄名古屋大学駅 3番出口、北上してすぐの信号を右折(渡る) 徒歩 3分)


 ここ数年、SiCパワーデバイスの実用化など、ワイドギャップ半導体はいよいよ本格的な実用段階を迎えつつある。その一方で、車載用のデバイスの今後の方向性や、ダイヤモンドデバイスの進展等については、まだまだ紆余曲折が予想される。本研究会では、すでに実用化を達成し、今後さらなる進展が期待されている基板材料から今後の応用が期待される新材料まで基板開発の状況、それに伴ってエピ技術がどのように進展しているか、について第一線の研究者の方々から解説頂く。今後の研究トレンドについて議論を深める研究会となるよう企画しました。


***プログラム***

10:00〜10:05 結晶工学分科会幹事長 挨拶  
10:05〜10:50 HVPE法によるn型AlNバルク基板作製の検討 熊谷 義直 (東京農工大学)
10:50〜11:35 ヘテロエピタキシャル成長技術を用いた
高品質・大面積ダイヤモンド基板の開発
澤邊 厚仁 (青山学院大学)
4 11:35〜12:20 大型高品質単結晶ダイヤモンドの高圧高温合成と欠陥制御   角谷 均 (住友電気工業)
12:20〜13:30 昼休み
5 13:30〜14:15 Ga2O3基板とホモ/ヘテロエピタキシャル成長技術 佐々木 公平 (タムラ製作所)
6 14:15〜15:00 酸性アモノサーマル法による高品位バルクGaN結晶成長 斉藤 真 (東北大学)
15:00〜15:20 休 憩
7 15:20〜16:05 SiCバルク基板の大口径化・高品質化 大谷 昇 (関西学院大学)
8 16:05〜16:50 GaN on Siヘテロエピタキシャル成長 江川 孝志 (名古屋工業大学)

  
  講演会は終了しました
 
   
   

上記講演会の問合せ先:
川村 史朗(物質・材料研究機構) E-mail: KAWAMURA.Fumio@nims.go.jp
栗原 香(三菱化学) E-mail: Kurihara.Kaori@mp.m-kagaku.co.jp
熊谷 義直(東京農工大学) E-mail: 4470kuma@cc.tuat.ac.jp
岡山 昇平(応用物理学会 事務局) TEL: 03-5802-0863(分科会直通) E-mail:divisions@jsap.or.jp


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