公益社団法人 応用物理学会 結晶工学分科会主催

第5回 結晶工学未来塾
キャリアデザインを考える(U)
−海外で働くとはどういうことか−
   &研究ポスター発表会


日時:2016年11月7日(月)13:00〜18:00
場所:東京農工大学 小金井キャンパス 新1号館1階グリーンホール →アクセス
     東京都小金井市中町2-24-16(JR中央線「東小金井駅」下車,徒歩約10分)



 結晶工学未来塾では,若手啓発を目的とした講演会を毎年開催しています.聴講者は結晶工学の大学院生、若手研究者を主な対象としていますが、実際には幅広く、理系の高校生、大学生、また、以前若手だった研究者の皆様まで、興味を持っていただける内容となっています。
 今回は,「海外で働くとはどういうことか」というテーマで開催します.実際に海外生活を経験された2名の講師にご講演いただき,広い視野でキャリアプランについて考えるきっかけにしたいと思います.
  乙木氏:株式会社サイオクス 事業開拓室 部長,長きにわたり化合物半導体電子デバイスの研究開発を牽引.
  竹内氏:名城大学教授,窒化物半導体を中心とするIII-V族化合物半導体光デバイスの研究開発に20年以上従事.海外企業でのご経験.
お二人とも研究者としての実績が素晴らしいことはもちろん、お話が大変面白く、内容盛りだくさんと期待できます.海外勤務を考えている方も、留学が人生の選択肢になかった方もきっと満足されると考え、企画しました.
 また,毎年恒例の結晶工学分科会会員による研究ポスター発表会を同時開催します.結晶工学に関する学術的な基礎研究から最先端の応用研究までを,講師や分科会幹事をはじめ様々な分野の方々と議論する場となればと思います.結晶工学の発展に寄与しうる若手会員の優秀な発表に対しては「分科会発表奨励賞」を授与します.皆様の積極的な投稿をお待ちしています.



< プログラム >

1 はじめに   13:00〜13:10 鍋谷 暢一 (分科会幹事長)
2 講演:
 グローバリゼーション下における21世紀の働きかた
  −工業の視点から考える−
13:10〜14:10 乙木 洋平(潟Tイオクス)
休  憩
3 研究ポスター発表会
 ショートプレゼンテーション +ポスター発表
14:20〜16:40
休  憩
4 講演:
 海外勤務のメリット・デメリット
  −5年半の経験から得たもの−
16:50〜17:50 竹内 哲也
(名城大学)
5 分科会発表奨励賞授与式 17:50〜18:00

未来塾は終了しました



問合せ先
  栗原 香(三菱化学)TEL: 029-841-9128, E-mail: Kurihara.Kaori@mp.m-kagaku.co.jp
  尾沼 猛儀(工学院大学)TEL: 042-628-4704, E-mail: onuma@cc.kogakuin.ac.jp
  竹内 正太郎(大阪大学)TEL: 06-6850-6302, E-mail: takeuchi@ee.es.osaka-u.ac.jp
  岡山 昇平(応物事務局)TEL: 03-5802-0863, FAX: 03-5802-6250, E-mail: divisions@jsap.or.jp



ポスター発表プログラム



1サファイア基板上AlNエピタキシャル層へのGa添加の効果

名城大学理工学研究科材料機能工学専攻 小笠原 多久満

2 Eu添加GaNにおけるEu発光中心の励起プロセス評価

大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻 稲葉 智宏

3 EBIC法を用いた窒化物半導体の評価

立命館大学理工学研究科 奥 恵里奈

4 Pb-(Bi,Sb)-Teトポロジカル絶縁体の結晶作製と評価

東京大学生産技術研究所 服部 裕也

5 Light-Emitting Diode性能向上における溶液成長の必要性と従来理論の訂正

反射層付Light-Emitting Diode (DBR-LED) 創始者 諏澤 寛源

6 HVPE法AlN単結晶基板表面のSi蓄積の原因調査および制御の検討 

東京農工大学大学院工学府 佐藤 圭介

7

多結晶 Al 添加 ZnO 透明導電膜における成長初期状態と配向秩序形成 

高知工科大学総合研究所 野本 淳一

8 ハライド気相成長法によるc-In2O3の高温成長

東京農工大学大学院工学府 沼田 至優

9 MBE法による強磁性窒化物NixFe4-xN(x=0, 1, 3, 4)薄膜のエピタキシャル成長

筑波大学数理物質科学研究科 高田 郁弥

10 InGaAs/GaAsP歪量子井戸におけるミスフィット転位の観察

東京大学 トープラサートポン カシディット

11 モノリシックIII-V/Si多接合太陽電池に向けたGaAsPN混晶の結晶成長
豊橋技術科学大学 山根 啓輔
12 半極性InGaN量子井戸半導体レーザにおける導波路モードの理論研究

金沢工業大学 坂井 繁太

13 酸素をキャリア・反応ガスに用いたMOCVD法によるCuO薄膜の作製

芝浦工業大学大学院理工学研究科電気電子情報工学専攻 藤原 一樹

14 常圧MOCVD法によるc-sapphire及び(111) MgO基板上へのNiO薄膜の作製
芝浦工業大学大学院理工学研究科電気電子情報工学専攻 酒井 駿吾
15 GOI上歪み円形マイクロブリッジの発光特性
東京都市大学 大野 剛嗣
16 希土類酸化物結晶Tb (Eu) -Al-Oの光学特性 
群馬大院理工 大西 勇也
17 高速成長(0.43 μm/h)させたGaInN量子井戸の弱・強励起PL評価

名城大学大学院 市川 竜弥

18 中間バンド型太陽電池に向けたZnO/ZnTeOヘテロ接合の作製

山梨大学大学院医学工学総合教育部電気電子システム工学専攻 小野田 翔太

19 ZnTeのn型層および電極の作製と電気的特性の評価
山梨大学大学院医学工学総合教育部電気電子システム工学専攻 張 振宇
20 ZnTeO混晶のエピタキシャル成長および構造評価

山梨大学大学院医学工学総合教育部 神田 将平

21 Si(110)基板上SiGe膜の歪み緩和におけるイオン注入の効果

東京都市大学 加藤 まどか

22 Tb,Euガーネット蛍光体の作製と発光特性 

群馬大学大学院理工学府電子情報部門 澤田 健士

23 円形ブラッグ・グレーティングを有するGeマイクロディスクの共振PL

東京都市大学 橋本 秀明

24 選択的イオン注入法による一軸性歪みGeの作製
東京都市大学工学研究科電気電子工学専攻 此島 志織
25 Mgイオン注入GaN単結晶中のラザフォード後方散乱法による格子変位の評価

法政大学大学院理工学研究科電気電子工学専攻 西片 直樹

26 シリコン結晶中の不純物濃度測定の35年−第二世代の赤外吸収

東京農工大学、大阪府立大学 井上 直久

27 シリコン結晶:LSIからパワーデバイスまでの欠陥制御の40年−赤外欠陥動力学
東京農工大学、大阪府立大学 井上 直久
28 パルスインジェクション法を用いたCu2O結晶成長
工学院大学 高橋 幹夫
29 PデルタドーピングがGe量子ドットの発光特性、形状に与える影響
東京都市大学総合研究所 水谷 昂平
30 サファイア基板上ZnTe薄膜の分子線エピタキシー成長

早稲田大学先進理工学研究科 中須 大蔵

31 Al薄膜上GaN成長における低温GaN緩衝層挿入の影響

工学院大学 星川 侑也

32 半極性結晶を用いたUVC-LEDへの進展

理研、埼玉大学 大島 一晟

33 p-Ga0.5In0.5Pにおける複数種LOフォノン系量子干渉効果 および、フォノン系電磁誘起透明化のスペクトル計算

千葉大学 坂本 裕則

34 MOHVPE装置のフローチャネル部材材質に対するHClの耐腐食性

名古屋大学工学研究科 叶 正

35 トリハライド気相成長法を用いた擬平衡結晶面とウルフ図作成

東京農工大学大学院工学府応用化学専攻 磯 憲司

36 無極性、半極性面バルクGaN基板上へのTHVPE成長 

東京農工大学大学院工学府応用化学専攻 松田 華蓮

37 トリハライド気相成長法を用いたN極性窒化ガリウムの高温成長

東京農工大学大学院工学府応用化学専攻 引田 和宏

38 p-GaNショットキー電極の電流輸送機構の理解

福井大学大学院工学研究科 青木 俊周

39 AlGaN系深紫外LD実現へ向けた試み

埼玉大学、理研 松本 卓磨

40 トリハライド気相成長法によるInGaN厚膜の高温成長

東京農工大学工学府応用化学専攻 江間 研太郎


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