公益社団法人応用物理学会結晶工学分科会主催
第147回結晶工学分科会研究会(応用電子物性分科会との連携研究会)

ワイドバンドギャップ半導体デバイス
〜窒化物・SiCにおける成長・プロセス欠陥の評価と制御〜


◇ 日時:2017年6月9日(金)10:30〜16:45
◇ 場所:大阪大学大学院基礎工学研究科シグマホール  →アクセス
(〒560-8531 大阪府豊中市待兼山町1-3
阪急宝塚線「石橋駅」徒歩20分もしくは大阪モノレール「柴原駅」徒歩8分)


 ワイドバンドギャップ半導体は、これまでにない省エネルギーデバイスを生み出し、グリーン社会実現の鍵となる技術分野です。今回は、結晶・界面、プロセスにおける課題を理解し、ワイドバンドギャップ半導体デバイスの今後の展望について議論することを目的として、「応用電子物性分科会と結晶工学分科会との連携研究会」を企画しました。
 初日は、有望な材料を網羅的に取り上げ、各材料における成長およびデバイスプロセスとデバイス特性の関係を電子物性・界面物性の理解を通して明らかにします。2日目は、実用化が進んでいる窒化物とSiCに焦点を当て、結晶成長やプロセスで生じる結晶欠陥の評価や制御について議論を深めたいと考えています。


***プログラム***

10:30〜10:40 挨拶 結晶工学分科会幹事長
10:40〜11:25 エッチピット法によるGaN中の転位検出と分類 石川 由加里
(ファインセラミックスセンター)
11:25〜12:10 GaN中の非輻射再結合中心の正体とその特性 秩父 重英 (東北大学)
12:10〜13:30 昼休み
13:30〜14:15 界面顕微光応答法による金属/半導体、半導体/半導体界面の2次元評価 塩島 謙次 (福井大学)
14:15〜15:00 放射光を利用したGaN-HEMTの界面状態解析 舘野 泰範 (住友電気工業)
15:00〜15:15 休 憩
15:15〜16:00 SiCの成長およびプロセス誘起欠陥の制御 木本 恒暢 (京都大学)
16:00〜16:45 ゲート絶縁膜/SiCおよびGaN界面特性の評価と制御 渡部 平司 (大阪大学)
  研究会は終了しました

上記講演会の問合せ先:
河口 研一   (富士通研究所) E-mail: k_kawaguchi@jp.fujitsu.com
栗原 香 (三菱ケミカル) E-mail:kurihara.kaori.mp@m-chemical.co.jp
竹内 正太郎(大阪大学) E-mail:takeuchi@ee.es.osaka-u.ac.jp
岡山 昇平(応用物理学会 事務局) TEL: 03-5802-0863(分科会直通) E-mail:divisions@jsap.or.jp



連携研究会のご案内:
前日6/8(木)13:00-18:00 に
ワイドバンドギャップ半導体デバイス 〜成長およびデバイスプロセスの理解〜
が応用電子物性分科会主催で同じ大阪大学で開催されます。
参加費は別に必要となりますが,結晶工学分科会会員の皆様も会員割引となりますので、合わせて参加をご検討下さい。

講演内容:
MOVPE成長Siドープn型GaNの電気特性における貫通転位の影響 須田 淳(京都大学)
GaN系トランジスタにおけるMIS界面制御 橋詰 保(北海道大学)
ホール効果測定による窒化SiO2/SiC界面の伝導帯近傍における界面準位の評価 畠山 哲夫(産業技術総合研究所)
ALD-SiO2ゲート絶縁膜を有するSiC-MOSキャパシタ特性 角嶋 邦之(東京工業大学)
耐圧1 kV超Ga2O3ショットキーバリアダイオード

東脇 正高(情報通信研究機構)

ダイヤモンド電子デバイスの最近の進展

嘉数 誠(佐賀大学)


  *詳細は応用電子物性分科会のホームページをご覧下さい。

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