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公益社団法人応用物理学会 結晶工学分科会主催
第157回結晶工学分科会研究会（応用電子物性分科会との連携研究会）
窒化物半導体光デバイスの最前線
- 結晶成長の理解とデバイス開発 -
◇ 日時：2022年6月1日（水）10:00～16:20
◇ 形式：Zoomによるオンライン開催
近年，窒化物半導体を用いた発光デバイス（LEDやレーザダイオード）の研究開発の進展が目覚ましく，深紫外から赤色までの幅広い波長域で，垂直共振器型面発光レーザ(VCSEL)，マイクロLEDなど様々な構造の発光素子，プラズモン効果や非線形光学効果など物性をうまく利用した光デバイスの技術が開発されてきています。今回は，これらの窒化物半導体光デバイスの最前線を理解し，今後の展望について議論することを目的として，「応用電子物性分科会と結晶工学分科会との連催研究例会」を企画しました。第一線でご活躍されている方々に下記のプログラムにて招待講演をいただきます。初日の結晶工学分科会研究会では，マイクロLEDやナノコラム構造を用いた発光デバイスについて，２日目の応用電子物性分科会研究例会では，最先端レーザや物性応用デバイスについて議論を深めたいと考えています（応用電子物性分科会ウェブサイトはこちら）。
＊＊＊プログラム＊＊＊
| １ |
10:00～10:10 |
結晶工学分科会幹事長 挨拶 |
尾沼 猛儀（工学院大） |
| ２ |
10:10～10:15 |
インダクトリートーク |
船戸 充（京大），谷川 智之（阪大） |
| ３ |
10:15～11:00 |
スパッタ成長によるInGaNマイクロLED |
藤岡 洋（東大） |
| ４ |
11:00～11:45 |
Eu添加GaN赤色LEDの現状と超高精細マイクロLEDディスプレイ応用可能性 |
藤原 康文（阪大） |
| 11:45～13:00 |
昼休み |
| ５ |
13:00～13:45 |
ScAlMgO4基板上での窒化物半導体のMOVPEと赤色発光素子 |
船戸 充，川上 養一（京大） |
| ６ |
13:45～14:30 |
MOVPE成長InGaN量子井戸赤色LEDとそのマイクロデバイス化 |
大川 和宏（KAUST） |
| 14:30～14:50 |
休 憩 |
| ７ |
14:50～15:35 |
InGaN赤色ナノコラムLEDの高効率化に向けたナノ結晶・プラズモニック効果の探索 |
大音 隆男（山形大），岸野 克巳（上智大） |
| ８ |
15:35～16:20 |
GaInN系量子殻デバイス |
上山 智（名城大） |
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