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講習会

第1回講習会(1972)
結晶の光学的観察法
昭和47年2月17,18日
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測角およびステレオ投影
　新関 暢一 (電電公社武蔵野通研)
偏光および暗視野顕微鏡
　正田 篤五郎 (東大理)
位相差および微分干渉顕微鏡
　小松 啓 (無機材研)
表面測定法(光干渉法、光切断法)
　砂川 一郎 (東北大理)
マクロ・ミクロ写真法
　高須 新一郎 (東芝総研)
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第2回講習会(1973)
X線回折、顕微鏡の基礎と応用
昭和48年6月18,19日 機械振興会館
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格子定数の精密測定
　菊田 惺志 (東大生研)
動力学回折理論
　加藤 範夫 (名大)
X繰回折顕微鏡装置およびその実験技術
　吉松 満 (理学電機)
X線テレビ回折顕微鏡法
　千川 純一 (NHK技研)
二波長法による格子定数測定
　岸野 正剛 (日立中研)
金属のX線トポグラフイー
　長倉 繋麿 (東工大)
X線トポグラフイーの物性研究への応用
　高木 ミエ子 (東工大)
GaAsの異常分散とその応用
　松井 都四郎、高須 新一郎 (東芝総研)
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第3回講習会(1975)
走査型電顕−基礎入門から応用
昭和50年9月29,30日
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SEMの原理と現状
　市ノ川 竹男 (早大理工)
SEM像のコントラストと分解能
　橋本 初次郎 (阪大工)
SEMによる動的観察
　裏 克己 (阪大工)
走査電子顕微鏡用付属装置
　萱島 敬一 (島津製作所)
走査電顕(SEM)による表面観察のいくつかの問題点について
　永谷 隆 (日立那珂)
SEMによる半導体レーザの評価
　米津 宏雄 (日電中研)
Si結晶欠陥のSEM観察
　川戸 清爾、早藤 貴範、安達 徹 (ソニー中研)
SEMによる磁区の観察
　山本 敏行 (日本電子)
SEMの半導体素子製造工程への応用
　加藤 忠男 (三菱電中研)、行本 善則、岩崎 二三男 (三菱電北伊丹)
天然および人工鉱物の観察
　遠藤 祐二 (地質調査所)
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第4回講習会(1976)
III-V族半導体の結晶成長、評価および素子技術
昭和51年12月22日
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イントロダクトリートーク
　飯塚 隆 (超LSl共同研)
不純物添加によるInPおよびGaAsの低転位結晶成長
　関 保夫、渡辺 久夫、松井 純爾 (日電中研)
III-V単結晶の大型低転位密度化の問題点
　赤井 慎一 (住友電工)
光散乱法によるGaP結晶の評価
　田島 道夫 (電子総研)
III-V結晶のX線マイクロトポグラフ
　岸野 正剛、中島 尚男 (日立中研)
200KV X線トポグラフ
　芦田 佐吉 、柏田 泰利(日立中研)、小林 勇二（理学）
GaP発光素子の特性評価
　笠見 昭信、別府 達郎 (東芝総研)
気相成長法によるGaP発光ダイオード
　碓井 彰、川野 英夫、森 克己 (日電中研)
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第5回講習会(1978)
温度計測・制御の理論と実際
昭和53年6月29,30日 学士会館分館8号室
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実用温度計測の基礎
　服部 晋 (工技院計量研)
熱電対による温度測定
　服部 晋 (工技院計量研)
抵抗温度センサーによる温度測定
　二木 久夫 (日立家電研)
熱放射による温度測定
　山香 英三 (松下技研)
熟放射を利用した温度計による制御について
　菱刈 功 (千野製作所)
温度調節計の一般常識
　清水 修 (大倉電気)
高温における物性測定の際の温度測定
　沢田 正三 (中部工大)
低温領域における温度測定
　永野 弘 (東大物性研)
超高圧装置内での温度測定
　秋本 俊一 (東大物性研)
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第6回講習会(1979)
最近のX線技術
昭和54年11月1,2日
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X線技術の基礎
　高木 ミエ子
SSD X線回折計による測定
　深町 共栄(埼玉工大工)
異常分散の測定とその応用
　細谷 資明(東大物性研)
変形した大口形ウェハのX線トポグラフイー
　吉広 尚次、岸野 正剛、高須 新一郎(超LSI共研)
トポゴニオを中心とした装置の応用
　菊池 哲夫(理学電機)
局所結晶解析の諸手法
　副島 啓義(島津製作所)
位置敏感検出器と関連技術
　橋爪 弘雄(東大工)
最近のテレビ撮像技術とそのトポグラフイーへの応用
　千川 純一、佐藤 史郎 (NHK基礎研)
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第7回講習会(1980)
分子線エピタキシーの基礎と応用
昭和55年10月30,31日 学習院大学百年記念会館
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分子線エピタキシーの現状
　高橋 清 (東工大工)
MBEの成長機構
　河津 璋 (東大工)
蒸着膜の成長過程
　木下 是雄 (学習院大理)
MBE装置
　中村 一雄 (日電アネルバ)
MBE装置と超高真空技術
　小宮 宗治 (日本真空技術)
Molecular Beam Deposition Systems
—Recent Design and Configulation Development
　David Williams (バキュームジェネレーター)
Si MBEの不純物制御
　坂本 統徳 (電総研)
Si MBE膜の結晶性とキャリア濃度制御
　杉浦 英雄、山口 真史 (電電公社茨城通研)
分子線成長法によるシリコン薄膜の形成とその応用
　白木 靖寛 (日立中研)
半導体光素子を目指した分子線エピタキシャル技術の進展
　岡本 紘 (電電公社武蔵野通研)
MBEによるIII-V化合物半導体のマイクロ波素子への応用
　冷水 佐寿 (富士通研)
II-VI族化合物MBEの最近の動向
　八百 隆文 (電総研)
薄膜成長技術の現況と将来
　高木 俊宜 (京大工)
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第8回講習会(1981)
結晶プロセスにおけるレーザおよび電子ビームの応用
昭和56年10月29,30日 学習院大学百年記念会館小講堂
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Introductory Talk
　菅野 卓雄 (東大工)
レーザーアニーリングにおける不純物再分布の機構
　佐藤 史郎、砂田 匡、千川 純一 (NHK基礎研)
レーザーアニーリングにおける温度上昇
　鳳 紘一郎 (電総研)
アレクサンドライトのアニール装置
　A. Samelson (Allied Co.)
電子ビームアニーリング
　稲田 太郎 (法政大工)
ビームプロセスによるシリサイド形成
　石原 宏 (東工大総合理工)
レーザーCVD
　英 貢 (豊橋技科大)
シリコンのレーザーゲッタリング
　早藤 貴範、川戸 清爾 (ソニー中研)
化合物半導体のレーザーアニーリング
　蒲生 健次 (阪大基礎工)
シリコンのレーザーアニーリング
　田村 誠男 (日立中研)
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第9回講習会(1982)
混晶の基礎と実際 —相図から育成まで—
昭和57年10月21,22日 機械振興会館第2研修室
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相図の熱力学と統計力学
　西岡 一水 (徳島大工)
相図の見方・しらべ方・つくり方
　長崎 誠三 (アグネ技術センター)
相図作りの実際
　芦田 佐吉、伊藤 由喜男 (日立)
硫化物の相平衡 —研究方法と相図—
　苣木 浅彦 (東北大理)
固溶領域の検出と離溶
　進藤 勇 (無機材研)
酸化物固溶体の育成
　福田 承生 (光技術共同研)
混晶半導体の育成 —液相成長—
　中嶋 一雄 (富士通研)
混晶半導体の育成 —気相成長—
　関 寿 (農工大工)
Immiscibility—III-V化合物半導体の場合
　尾鍋 研太郎 (日電光エレクトロニクス研)
混晶半導体の評価
　河東田 隆 (東大工)
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第10回講習会(1983)
やさしい結晶学
昭和58年10月20,21日 学習院大学百年記念会館第4会議室
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空間群・点群
　定永 両一 (東大名誉教授)
結晶の物理定数と対称性
　小川 智哉 (学習院大理)
構造解析の基礎
　桜井 敏雄 (理研)
バンド構造と対称性
　張 紀久夫 (阪大基礎工)
半導体における光学遷移と選択則
　花村 栄ー (東大工)
半導体表面伝導の異方位と次元性
　川路 紳治 (学習院大理)
光学的手法で見る結晶の表面と内部の異方性
　小松 啓 (東北大金研)
蝕像と結晶の対称性
　芦田 佐吉 (日立)
ESRと対称性
　宝来 和巳 (福岡大理)
赤外・ラマン分光による結晶性評価
　中島 信一 (阪大工)
電子回折と結晶構造
　田中 通義 (東北大理)
X線回折と不完全性
　菊田 惺志 (東大工)
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第11回講習会(1984)
半導体のDeep Level —測定と解析—
昭和59年11月1,2日
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Introductory—Deep Levelの鳥瞰図
　生駒 俊昭、望月 康則 (東大生研)
半導体中の遷移金属とDeep Level
　佐籐 勝昭 (農工大工)
DLTS法の原理と測定方法
　松本 俊 (山梨大工)
キャリアの再結合、発生を用いたDeep Levelの測定法
　宇佐美 晶 (名工大)
フォトルミネッセンスによるDeep Levelの測定
　田島 道夫 (電総研)
光伝導法、熱ルミネッセンス法
　中沢 叡一郎 (NHK技研)
ESRで何がわかるか
　末光 真希 (東北大通研)
ICTSの測定法と解析
　大串 秀世、徳丸 洋三 (電総研)
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第12回講習会(1985)
原子配列を見る −最近の結晶評価技術−
昭和60年11月14,15日 学習院大学百年記念会館小講堂
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最新評価機器紹介
　各メーカ講師
極微構造材料デバイス開発と評価技術
　菅野 卓雄 (東大工)
X線でみた原子配列
　菊田 惺志 (東大工)
X線でみた非晶質中の原子配列
　川村 隆明 (山梨大教)
表面分析電子顕微鏡と表面構造のミクロ解析
　市ノ川 竹男 (早大理工)
高分解能電顕法で見た“原子配列”
　八木 克道 (東工大理)
RHEEDでみた成長中の原子配列
　坂本 統徳 (電総研)
半導体界面評価へのESCAの応用
　岩田 誠一 (日立中研)
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第13回講習会(1986)
MOCVDの基礎と実際
昭和61年11月6,7日 学習院大学百年記念会館小講堂
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
MOCVDの現状と将来
　福井 孝志 (NTT通研)
MOCVD用原料(V族)
　石黒 三郎 (古河鉱業)
MOCVDの原理
　佐藤 理夫、鈴木 基之 (東大生研)
MOCVD用原料(III族ほか)
　八子 忠明 (住友化学工業)
MOCVD装置
　桑麻 和広、林 俊雄 (日本真空技術)
安全対策
　原田 光 (日本酸素)
III-V族化合物の薄膜成長
　中西 隆敏 (東芝総研)
ワイドギャップII-VI族化合物のMOCVD
　吉川 明彦 (千葉大)
光MOVPEの現状と将来
　青柳 克信 (理化学研)
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第14回講習会(1987)
新材料・材料設計への状態図の応用 —ニューマテリアルを手にのせるには—
昭和62年10月26,27日
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
平衡状態図の基礎
　山口 喬 (慶大理工)
GaAsバルク結晶成長の状態図と結晶特性
　寺嶋 一高 (東芝総研)
III-V化合物半導体混晶の液相-固相平衡
　尾鍋 研太郎 (日電光エレクトロニクス研)
IIb-VIb族化合物の状態図と結晶成長
　望月 勝美、増本 剛 (東北大工)
状態図の作り方
　長崎 誠三 (アグネ)
準安定平衡状態図
　新宮 秀夫 (京大工)
高温超電導材料の状態図の現状
　高木 一正 (日立中研)
ガーネットの結晶成長と状態図
　日比谷 孟俊 (日電基礎研)
光学結晶の状態図と育成の実際
　宮澤 信太郎 (NTT LSI研)
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第15回講習会(1988)
完全結晶へのアプローチ —半導休結晶欠陥の基礎と評価法—
昭和63年10月27,28日 主婦会館
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点欠陥概論（I）
　堂山 昌男 (名大)
点欠陥概論（II）—色中心からEL2へ—
　大倉 熙 (大阪市大)
Si大型単結晶中の点欠陥
　阿部 孝夫 (信越半導体)
GaAs単結晶中の点欠陥と転位
　角野 浩二 (東北大)
II-VI族化合物半導体単結晶と点欠陥
　井垣 謙三 (東北大)
点欠陥と転位の起源
　紀 隆雄 (広島大)
評価法概論及び半導体の格子欠陥の理論計算
　山本 良一 (東大)
点欠陥の光学的評価
—GaAs中の固有欠陥EL2の評価を中心に—
　田島 道夫 (電総研)
電子顕微鏡による点欠陥評価
　平田 光児 (阪大)
欠陥のX線的観測
　松井 純爾 (日電研)
陽電子消滅によるバルク欠陥、表面・界面欠陥の評価
　谷川 庄一郎 (筑波大)
ESRによる点欠陥の評価
　森垣 和夫 (東大物性研)
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第16回講習会(1989)
身近な結晶学 —結晶対称性は特性をどのように支配するか—
平成元年10月30,31日
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結晶の対称性はなぜ重要か
　高須 新一郎 (東芝セラミックス)
結晶学入門
　松本 崧生 (金沢大理)
準結晶
　小川 泰 (筑波大物理工学系)
X線ラウエ写真による対称性の理解
　大隅 一政 (高エネ研)
Perovskiteに見る結晶構造と対称性
　石沢 伸夫 (東工大工材研)
II-VI族結晶の極性
　小川 智哉 (学習院大理)
水晶の成長異方性に見る結晶の対称性
　吉村 順一 (山梨大工)
結晶における偏光と旋光:光学異方性
　小林 諶三 (早稲田大理工)
GaAs結晶のエッチングから見たIII-V族結晶の対称性の理解
　安達 定雄 (群馬大工)
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第17回講習会(1990)
顕微鏡観察法の基礎と実際への応用 —光学顕微鏡から走査型 プローブ顕微鏡(STM等）まで—
平成2年10月29,30日 学習院大学百年記念会館
コンテンツを読むためには会員のパスワードが必要です
光学顕微鏡のすべて
　小松 啓 (東北大)
蛍光顕微鏡によるZnSe膜の評価
　藤田 茂夫 (京大)
赤外顕微鏡による結晶内欠陥観察
　坂井 一文、小川 智哉 (学習院大)
化合物半導体のエッチピット観察
　岡田 安正 (電総研)
走査型プローブ顕微鏡(STM・AFMなど)の原理と応用
　森田 清三 (広島大)
低エネルギー走査型電子顕微鏡
　市ノ川 竹男 (早稲田大)
マクロな観察とミクロな観察
　高須 新一郎 (東芝セラミックス)
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第18回講習会(1991)
エピタキシャル成長の結晶工学
平成3年11月7,8日 学習院大学百年記念会館小講堂
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鉱物のエピタキシー
　高須 新一郎 (東芝セラミックス)
層状結晶の気相成長
　小間 篤 (東大理)
成長素過程のシミュレーション
　入沢 寿美 (学習院大計算機セ)
エピタキシーのその場観察(RHEED)
　一宮 彪彦 (名大工)
成長メカニズムの基礎
　西永 頌 (東大工)
STMと電子顕微鏡による表面観察
　井上 直久 (NTT LSI研)
III-V族半導体の気相成長
　関 寿 (東京農工大工)
II-VI族半導体の気相成長
　藤田 茂夫 (京大工)
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第19回講習会(1992)
21世紀をめざすSiアトムテクノロジー —ウェーハ、プロセス、そしてデバイス—
平成4年11月12,13日 学習院大学創立百周年記念会館3F小講堂
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Introductory talk—日本におけるIC産業の歴史と今後の展開
　長船 廣衛 (大阪チタニウム製造)
大直径シリコンウェーハの製作
　阿部 孝夫 (信越半導体)
結晶成長のグローバル解析の基礎
　今石 宣之 (九大機能研)
点欠陥の評価—ポジトロンの使い方—
　谷川 庄一郎 (筑波大物質工)、上殿 明良 (東大工)
Siデバイスとメタライゼ一ション
　柏木 正弘 (東芝ULSI研)
ナノスケールSiの物性
　嶋田 寿一、中川 清和、西田 彰男 (日立中研)
ウェーハ表面のクリーン化技術
—シリコン表面における化学反応素過程—
　西嶋 光昭 (京大理)
CVDシリコンエピタキシー技術
　室田 淳一、小野 昭ー (東北大通研)
Si中の拡散現象
　松本 智 (慶大理工)
Siデバイスの不良解析
　北野 友久 (NEC ULSI開研)
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第20回講習会(1993)
結晶工学における評価法の入門と実際
平成5年11月1,2日
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評価の視点
　中山 弘 (神戸大工)
X線回折法の基礎と新展開
　高橋 敏男 (東大物性研)
高分解能電子顕微鏡法の基礎
　角田 直人 (阪大工)
結晶評価とパンド構造
　佐籐 勝昭 (東京農工大工)
フォトルミネッセンス法の基礎と応用
　田島 道夫 (宇宙研)
半導体のフォノンとラマン散乱分光法の基礎
　中山 正昭 (大阪市大工)
表面顕微鏡技術を用いた結晶成長過程の評価
　市川 昌和 (日立中研)
反射法(Surface Photo-Absorption/Reflectance Difference)によるエピタキシー過程のその場観察
　上井 邦彦、小林 直樹 (NTT基礎研)
超LSIにおけるCVDプロセスの評価とモデリング
　霜垣 幸浩 (東大工)
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第21回講習会(1994)
次世代USLIのための結晶工学
平成6年10月31日,11月1日
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超集積回路の発展と強誘電体メモリの展望
　垂井 康夫 (早大)
金属単結晶の成長 —新しい配線技術を目指して—
　坪内 和夫、益 一哉 (東北大)
ゲッタリング技術
　松下 嘉明 (東芝)
次世代ULSIの発展を阻むバリアと期待されるブレークスルー
　渡辺 久恒 (NEC)
温度勾配下の点欠陥の拡散 —熱力学による取り扱い—
　土生 隆一 (新日鉄)
結晶中の析出及び欠陥の核生成と粒成長
　藤田 英一 (静岡理工科大)
界面の量子化学
　中辻 博、波田 雅彦、中井 浩巳 (京大)
次世代LSIへの課零題 —G2時代への挑戦—
　高須 新一郎 (SEMI)
 
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