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公益社団法人応用物理学会結晶工学分科会
分科会発表奨励賞


2017年度奨励賞
お名前(所属) 講演タイトル
村田 博雅(筑波大) Ni誘起層交換による多層グラフェンの合成と透明導電膜応用
相原 健人(産総研) 分子線エピタキシー法を用いたInGaP中のInP量子ドット薄膜の発光寿命の評価

2016年度奨励賞
お名前(所属) 講演タイトル
稲葉 智宏(大阪大) Eu添加GaNにおけるEu発光中心の励起プロセス評価
野本 淳一(高知工科大) 多結晶 Al 添加 ZnO 透明導電膜における
成長初期状態と配向秩序形成
山根 啓輔(豊橋技科大) モノリシックIII-V/Si多接合太陽電池に向けた
GaAsPN混晶の結晶成長
橋本 秀明(東京都市大) 円形ブラッグ・グレーティングを有する
Geマイクロディスクの共振PL

2015年度奨励賞
お名前(所属) 講演タイトル
大谷 直生 (筑波大) 極低温(70℃)固相成長による
高Sn組成(25%)GeSn薄膜の絶縁体上合成
志村 洋介 (名古屋大) 高次Geプリカーサーを用いた
低温in-situ Pドーピングによる高活性Ge:P形成
鎌田 祥平(大阪大) X線マイクロ回折を用いた3次元逆格子マップ解析による
周期溝加工基板上エピタキシャルAlN厚膜の結晶構造評価

2014年度奨励賞
お名前(所属) 講演タイトル
山田 道洋 (慶応大) n型Geへの極浅オーミックコンタトに向けた
P-δドーピングのSiとCによる偏析の抑制
前田 健作 (東北大) 四ホウ酸リチムの双晶界面形成メカニズムの解明と周期双晶の作製
田中 凌平 (東京農工大) HVPE法によるAlN/sapphireテンプレート上への
SiドープAlN成長の検討

2013年度奨励賞
お名前(所属) 講演タイトル
沼田 諒平(筑波大) 大粒径Ge(111)/プラスチックの創出に向けた
極低温(180℃)金属触媒誘起成長
西田 圭佑(東京都市大) n型ドープ歪みGeを用いた
マイクロディスク共振器の作製と光学特性の評価

2012年度奨励賞
お名前(所属) 講演タイトル
西永 慈郎(早稲田大) フラーレン・GaAsヘテロ構造の結晶成長と物性評価
黒澤 昌志(名古屋大) 次世代フレキシブルデバイス実現に向けた
絶縁膜上GeSn薄膜の低温結晶成長
永岡 章(宮崎大) 移動ヒーター法による
ケステライト型化合物半導体Cu2ZnSnS4単結晶成長

2011年度奨励賞
お名前(所属) 講演タイトル
宮川 鈴衣奈 (三重大) AlNのMOVPE成長におけるサファイア界面の制御とTEM観察
纐纈 英典 (奈良先端科技大) 塩素ガス熱エッチングで現れる
4H型炭化ケイ素の異方性の起源とその応用
沓掛 健太朗 (東北大) シリコン結晶中の人工粒界の成長
 -CZ, FZ, ブリッジマン成長での比較-

2010年度奨励賞
お名前(所属) 講演タイトル
谷川 智之 (名古屋大) マイクロファセットGaNストライプ上へのInGaN選択成長
篠塚 俊克 (東京農工大) ハライド気相成長法を用いたsapphire(0001)基板上ZnO二段階成長
竹下 茜 (東京工業大) CuInSe2結晶におけるSTEM観察を用いた欠陥評価

2009年度奨励賞
お名前(所属) 講演タイトル
金子 健太郎 (京都大) ミストCVD法による酸化物半導体薄膜の作製
富永 依里子 (京都工繊大) 分子線エピタキシー法を用いて成長した
GaAs1-xBix/GaAs 多重量子井戸の構造評価

2008年度奨励賞
お名前(所属) 講演タイトル
塚田 真也 (筑波大、日本学術振興会) リラクサー強誘電体Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.07PbTiO3 単結晶における非弾性光散乱
藤井智明 (東京大) GaN/InNヘテロ構造の作製とインターミキシングの抑制
西中 浩之 (京都大) ミストCVD 法によるステップフロー成長ホモエピタキシャルZnO 薄膜の作製

2007年度奨励賞
お名前(所属) 講演タイトル
入山 慎吾 (早稲田大) 高濃度ボロンドープCVDダイヤモンド超伝導体における結晶格子の伸張
窪谷 茂幸 (東京大) 自己形成InAsN量子ドットのMOVPE成長と光学特性
岡本 浩一郎(東京大) Mo基板上へのHfNバリア層を用いたGaNエピタキシャル成長およびその構造特性評価

 

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