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分科会発表奨励賞 |
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2023年度奨励賞
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お名前（所属） |
講演タイトル |
居倉 功汰
（筑波大） |
高速フレキシブルトランジスタに向けた超高移動度Ge層の界面制御成長
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小川 広太郎
（工学院大） |
ミストCVD成長した岩塩構造MgZnO薄膜における180 nm帯室温発光の実現
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安藤 陸
（東京工科大） |
小電力応用に適するFeS2天然結晶を用いた低しきい値ショットキーバリア
ダイオードの作製と評価
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2022年度奨励賞
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お名前（所属） |
講演タイトル |
Ricksen Tandryo
（阪大） |
Naフラックス法におけるGaN結晶成長速度の変化に伴うGa-Na融液の電気抵抗の変化
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野沢 公暉
（筑波大） |
V族元素添加による高電子移動度GeSn薄膜の低温成長 |
堀田 亮輔
（阪大） |
極小熱伝導率を有するGeナノドット含有Si系薄膜におけるフォノン輸送機構の解明 |
2021年度奨励賞
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お名前（所属） |
講演タイトル |
山内 彪我
（阪大） |
Naフラックス法を用いた低転位GaN基板の再成長における転位増加の抑制
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我妻 勇哉
（東京都市大） |
引っ張り歪み薄膜のヘテロ成長におけるクラック発生とその抑制メカニズム |
西田 竹志
（筑波大） |
多結晶GaAs層の粒径拡大による分光感度の劇的向上 |
2020年度奨励賞
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お名前（所属） |
講演タイトル |
清水 歩
（阪大） |
N2Oガス添加によるOVPE GaN結晶の高速厚膜化の実現 |
太田 優一
（都産技研） |
固体原子準位に基づくバンドオフセットの計算 |
吉見 拓展
（東大） |
トポロジカルバレーフォトニック結晶
スローライト導波路における群屈折率評価 |
2019年度奨励賞
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お名前（所属） |
講演タイトル |
牧 唯人
（豊橋技科大） |
希薄窒化物混晶の新規n型ドーパント開拓に向けた
窒素-IV族ドーパント結合に関する理論的検討 |
濱地 威明
（阪大） |
HVPE-GaNバルク単結晶中貫通転位における
漏れ電流特性に及ぼす転位構造の影響 |
杉谷 寛弥
（兵庫県立大） |
放射光その場X線回折による
InGaN/GaN多重量子井戸ナノワイヤの構造評価 |
2018年度奨励賞
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お名前（所属） |
講演タイトル |
徳田 雄一郎
（デンソー） |
ガス成長法によるφ4インチ4H-SiCバルク単結晶の高速成長とウエハ品質評価 |
庄司 靖
（産総研） |
HVPE法を用いたInGaP結晶の超高速成長と太陽電池応用 |
神山 将大
（阪大） |
OVPE法によるCH4を用いた高速成長条件での多結晶抑制 |
松田 祥伸
（京大） |
極性面フリーな三次元InGaN量子井戸からの輻射再結合寿命が短いパステルグリーン発光 |
2017年度奨励賞
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お名前（所属） |
講演タイトル |
村田 博雅
（筑波大） | Ni誘起層交換による多層グラフェンの合成と透明導電膜応用 |
相原 健人
（産総研） |
分子線エピタキシー法を用いたInGaP中のInP量子ドット薄膜の発光寿命の評価 |
2016年度奨励賞
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お名前（所属） |
講演タイトル |
稲葉 智宏
（大阪大） |
Eu添加GaNにおけるEu発光中心の励起プロセス評価
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野本 淳一
（高知工科大） |
多結晶Al添加ZnO透明導電膜における
成長初期状態と配向秩序形成 |
山根 啓輔
（豊橋技科大） |
モノリシックIII-V/Si多接合太陽電池に向けた
GaAsPN混晶の結晶成長 |
橋本 秀明
（東京都市大） |
円形ブラッグ・グレーティングを有する
Geマイクロディスクの共振PL |
2015年度奨励賞
| お名前（所属） |
講演タイトル |
大谷 直生
（筑波大） |
極低温（70℃）固相成長による
高Sn組成（25%）GeSn薄膜の絶縁体上合成 |
志村 洋介
（名古屋大） |
高次Geプリカーサーを用いた
低温in-situ Pドーピングによる高活性Ge:P形成 |
鎌田 祥平
（大阪大） |
X線マイクロ回折を用いた3次元逆格子マップ解析による
周期溝加工基板上エピタキシャルAlN厚膜の結晶構造評価 |
2014年度奨励賞
| お名前（所属） |
講演タイトル |
山田 道洋
(慶応大) |
n型Geへの極浅オーミックコンタトに向けた
P-δドーピングのSiとCによる偏析の抑制 |
前田 健作
(東北大) |
四ホウ酸リチムの双晶界面形成メカニズムの解明と周期双晶の作製 |
田中 凌平
(東京農工大) |
HVPE法によるAlN/sapphireテンプレート上への
SiドープAlN成長の検討 |
2013年度奨励賞
| お名前（所属） |
講演タイトル |
沼田 諒平
（筑波大） |
大粒径Ge(111)/プラスチックの創出に向けた
極低温(180℃)金属触媒誘起成長 |
西田 圭佑
（東京都市大） |
n型ドープ歪みGeを用いた
マイクロディスク共振器の作製と光学特性の評価 |
2012年度奨励賞
| お名前（所属） |
講演タイトル |
西永 慈郎
（早稲田大） |
フラーレン・GaAsヘテロ構造の結晶成長と物性評価 |
黒澤 昌志
（名古屋大） |
次世代フレキシブルデバイス実現に向けた
絶縁膜上GeSn薄膜の低温結晶成長 |
永岡 章
（宮崎大） |
移動ヒーター法による
ケステライト型化合物半導体Cu2ZnSnS4単結晶成長 |
2011年度奨励賞
| お名前（所属） |
講演タイトル |
宮川 鈴衣奈
（三重大) |
AlNのMOVPE成長におけるサファイア界面の制御とTEM観察 |
纐纈 英典
（奈良先端科技大) |
塩素ガス熱エッチングで現れる
4H型炭化ケイ素の異方性の起源とその応用 |
沓掛 健太朗
（東北大） |
シリコン結晶中の人工粒界の成長
－CZ, FZ, ブリッジマン成長での比較－ |
2010年度奨励賞
| お名前（所属） |
講演タイトル |
谷川 智之
(名古屋大) |
マイクロファセットGaNストライプ上へのInGaN選択成長 |
篠塚 俊克
(東京農工大) |
ハライド気相成長法を用いたsapphire(0001)基板上ZnO二段階成長 |
竹下 茜
(東京工業大) |
CuInSe2結晶におけるSTEM観察を用いた欠陥評価 |
2009年度奨励賞
| お名前（所属） |
講演タイトル |
金子 健太郎
(京都大) |
ミストCVD法による酸化物半導体薄膜の作製 |
富永 依里子
(京都工繊大) |
分子線エピタキシー法を用いて成長した
GaAs1-xBix/GaAs 多重量子井戸の構造評価 |
2008年度奨励賞
| お名前（所属） |
講演タイトル |
塚田 真也
（筑波大、日本学術振興会） |
リラクサー強誘電体Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.07PbTiO3 単結晶における非弾性光散乱 |
藤井智明
（東京大） |
GaN/InNヘテロ構造の作製とインターミキシングの抑制 |
西中 浩之
（京都大） |
ミストCVD 法によるステップフロー成長ホモエピタキシャルZnO 薄膜の作製 |
2007年度奨励賞
| お名前（所属） |
講演タイトル |
入山 慎吾
（早稲田大） |
高濃度ボロンドープCVDダイヤモンド超伝導体における結晶格子の伸張 |
窪谷 茂幸
（東京大） |
自己形成InAsN量子ドットのMOVPE成長と光学特性 |
岡本 浩一郎
（東京大） |
Mo基板上へのHfNバリア層を用いたGaNエピタキシャル成長およびその構造特性評価 |
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