■第102回研究会(1994.5)■
シリコン・オプトデバイスの結晶工学
—表示用TFTから発光・受光デバイスまで—
平成6年5月20日
 
 


大面積イオンドーピングとTFTへの応用

平尾 孝、吉田 哲久、北川 雅俊 (松下電器中研)
高移動度ポリシリコンTFTを用いた並列機能デバイス 山内 規義 (NTT境界領域研)
透明基板との貼り合わせ単結晶シリコン 阿部 孝夫 (信越半導体磯部研)
シリコン高分子の構造と光物性 松本 信雄 (NTT基礎研)
電流注入ポーラスSi可視発光素子の現状と展望 伊藤 利道、平木 昭夫 (阪大工)
SiGe量子井戸発光デバイスの展望 白木 靖寛、深津 晋 (東大先端研)
太陽電池用多結晶シリコン 金子 恭二郎、三沢 輝起
(住友シチックス研究開発センター)
Si薄膜太陽電池と新しい応用 津田 信哉、大西 三千年、中野 昭ー
(三洋電機ニューマテリアル研)


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