■第103回研究会(1995.1)■
青色発光発展への課題
平成7年1月20日
 
 


GaN発光素子における結晶成長の課題 向井 孝志、中村 修二 (日亜化学)
レーザ実現にむけたIII族窒化合物結晶の加工技術 田中 秀尚 (NTT境界領域研)、松岡 隆志 (NTT光エレ研)
ZnMgSSe系ワイドギャップ半導体の成長と評価 石橋 晃 (ソニー中研)
II-VI族半導体のMBE成長とドーピング 辻村 歩、大川 和宏、佐々井 洋一 (松下半導体研)
三露 常男 (松下中央研)
MOCVDによる窒素ドープp型ZnSeの成長 藤田 恭久、寺田 敏行、鈴木 哲哉、藤井 智
(新日鉄エレ研)
MOVPE法によるp型ZnSe結晶の成長と評価 簗嶋 克典、柊元 宏 (東工大工)
GaAs/ZnSeヘテロ接合界面の制御 松本 俊 (山梨大工)
ZnSe系量子井戸構造の結晶成長とレーザ発振機構 川上 養一、藤田 茂夫 (京大工)
総合討論  青色発光発展への課題 藤田 茂夫 (京大工)


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