■第104回研究会(1996.1)■
G-bit USLIの電極技術
 —金属/半導体界面の結晶工学—
平成8年1月19日
 
 


1 イントロ
1-1 LSIプロセスから見た金属/半導体界面における課題 木村 伸一郎 (日立中研)
1-2 G-bit ULSIの電極技術 —材料サイドからの問題提起 中嶋 一雄 (富士通研)
2 界面における電気伝導
2-1 界面構造と電気伝導 安田 幸夫、財満 鎭明 (名大工)
2-2 遷移金属シリサイドの電子状態と界面での
EELSの解釈への応用
田中 功、足立 裕彦 (京大工)
3 微小領域の材料評価
3-1 半導体の表面・界面のTEMによる評価 横田 康広 (岡山理科大)
4 界面における拡散と反応機構
4-1 Ti/Si基板構造における界面反応 小川 真一 (松下電子工業)
4-2 Coシリサイド 助川 孝江 (富士通),中村 友二、川村 和郎、
富田 博文、後藤 賢一 (富士通研)
4-3 Niシリサイド 須黒 恭一 (東芝)
4-4 高融点金属シリサイドの界面反応 財満 鎭明、岩野 博隆、安田 幸夫 (名大)
5 まとめ
5-1 金属/半導体界面制御の今後の課題 村上 正紀 (京大)


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