■第107回研究会(1997.5)■
IV族ワイドギャップ半導体SiC、ダイヤモンドの結晶工学
—耐環境電子素子を目指して—
平成9年5月30日
 
 


イントロ —ワイドギャップ半導体SiCの結晶工学— 松波 弘之 (京大工)
Si基板上への3C-SiCのCVD/MBEヘテロエピタキシャル成長
  —シミュレーションから結晶成長—
北畠 真、内田 正雄 (松下中研)
白金上のダイヤモンド・ヘテロエピタキシー 橘 武史、横田 嘉宏、小橋 宏司 (神戸製鋼)、
新谷 義廣 (徳島大工)
リンドープダイヤモンドの合成と評価 加茂 睦和 (無機材研)
昇華法によるSiC単結晶の成長端面観察と結晶評価 杉山 尚宏、岡本 篤人、奥村 公平、谷 俊彦、
神谷 信雄 (豊田中研)
平面ディスプレイ用電子放出素子としてのCVDダイヤモンド

伊藤 利道、八田 章光 (阪大工)、平木 昭夫 (高知工大)

SiCパワーデバイスの現状

上野 勝典 (富士電機総研)

ダイヤモンドFETと回路技術の現状

川原田 洋 (早大理工)



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