■第110回研究会(1999.6)■
水素と結晶工学
—究極の軽元素を制御する—
平成11年6月3日
学習院創立百周年記念会館3F
小講堂 案内
 
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表紙(pdf)

イントロダクトリー 小野 春彦 (NECシリコン研) 1
半導体結晶中の水素の形態 村上 浩一 (筑波大物理工) 3
シリコン中の水素・点欠陥複合体 末澤 正志 (東北大金材研) 11
シリコン中の水素のダイナミクス 上浦 洋一,福田 和久,山下 善文 (岡山大工) 19
シリコン表面・界面の欠陥準位と水素による不活性化 宮崎 誠一 (広島大工) 27
LCD用低温ポリシリコン中の水素の挙動 北原 邦紀 (島根大総合理工) 35
水素終端表面へのシリサイド膜成長 廣瀬 和之 (宇宙研) 43
水素イオン注入によるSOI形成 原 徹 (法政大工) 51


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