■第113回研究会(2001.4)■
SOIの結晶工学
−0.1μm時代のシリコン基板−
平成13年4月25日
学習院創立百周年記念会館3F
小講堂 案内
 
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表紙(pdf)

SOI技術のメリット、課題および展望 岸野 正剛 (姫工大) 1
SOI基板形成機構
 Epitaxial Layer Transfer(ELTRANR) Technology
  for SOI-Epi WafersTM
米原 隆夫、佐藤 信彦 (キャノン) 8
 SOI基板形成機構 —SIMOX 中嶋 定夫 (NTT) 12
結晶欠陥評価
  PLおよび陽電子消滅による欠陥評価 小椋 厚志 (NEC)、田島 道夫 (宇宙研)、
上殿 明良 (筑波大)
20
 SOI層への不純物拡散と電気特性
  —SOI活性層中のキャリア分布と不純物拡散の遅延現象—
荒井 英輔、内田 秀雄、市村 正也 (名工大) 28
SOIのデバイス・プロセス
 SOIデバイス技術の現状と今後の展望 井納 和美 (東芝セミコンダクター) 34
 薄膜SOIウェーハへのデバイスからの要求 山本 秀和、成岡 英樹、服部 信美 (三菱電機) 42


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