■第120回研究会(2004.4)■
半導体材料としてのZnO
—基板、結晶性、ドーピング—
平成16年4月23日
学習院創立百周年記念会館3F
小講堂 案内
 
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表紙(pdf)

III族窒化物との類似点と相違点
 —ZnOにおける励起子領域の光学スペクトル—
秩父 重英1-3,上殿 明良1,宗田 孝之 ,川崎 雅司5,6
(筑波大数理物質1、科学技術振興機構2、理化学研3、早大4、東北大金研5、物材機構6)
1
水熱合成法によるZnO単結晶育成
 —大口径基板実用化を目指して—
前田 克己,佐藤 充,新倉 郁生 (東京電波) 11
ZnOバルク結晶の特性制御
 —単結晶基板、および、電子デバイス応用を目指して—
大垣 武,大橋 直樹,羽田 肇 (物材機構) 19
c面サファイア及びZnO基板上へのMBE-ZnO成長
 —結晶の高品質化とn型ド−ピング—
加藤 裕幸,宮本 和弘,佐野 道宏 (スタンレー電気) 27
薄膜成長層の高品質化に向けた課題
 —RS-MBEによるエピタキシャル成長—
岩田 拡也,ポール フォンス,山田 昭政,松原 浩司,仁木 栄 (産総研) 35
The growth of phosphorus doped p-ZnO epilayer on sapphire
 —An approach using phosphorus and RTA—
Kyoung-Kook Kim,Seong-Ju Park,Tae-Yeon Seong (Kwangju Institute of Science and Technology) 43
MOMBEによるp型ZnOの成長とオーミックコンタクトの検討 末宗 幾夫,栗本 誠,海老原 正人 (北海道大電子科学研) 51


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