■第121回研究会(2004.7)■
ワイドギャップ半導体パワーデバイスの結晶工学
—バルク結晶からデバイスまで—
平成16年7月16日
キャンパスプラザ京都 案内
 
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表紙(pdf)

ワイドギャップ半導体 総論 松波 弘之 (科学技術振興機構) 1
SiCエピタキシャル成長 北畠 真,高橋 邦方
(松下電器産業先行デバイス開発センター)
9
SiCパワーデバイス技術 大塚 健一,樽井 陽一郎,松野 吉徳*
杉本 博司,今泉 昌之,高見 哲也
(三菱電機 先端技術総合研究所、
(三菱電機 パワーデバイス製作所*))
19
GaN高周波パワーデバイス技術 宮本 広信,安藤 裕二,岡本 康宏,
中山 達峰,幡谷 耕二,井上 隆,葛原 正明
(新機能素子研究開発協会
先進高周波デバイスR&Dセンター)
27
昇華法によるSiCバルク単結晶成長 西澤 伸一,加藤 智久,荒井 和雄
(産総研パワーエレクトロニクス研究センター)
35
フラックスを用いたGaN単結晶のLPE成長 川村 史朗,森 勇介,佐々木 孝友 (阪大院工) 41
ダイヤモンドのパワーデバイス応用可能性と課題 酒井 忠司,小野 富男,佐久間 尚志,吉田 博昭,
鈴木 真理子 (東芝研究開発センター)
51


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