■第127回研究会(2007.7)■
IV族系半導体のひずみエンジニアリング
:ひずみ・応力が結晶物性を変える
平成19年7月13日
学習院創立百周年記念会館
3F小講堂 案内
 
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     表紙(pdf)

IV族系ひずみ半導体物性の基礎とデバイス応用 白木 靖寛 (武蔵工大) 1
ひずみSiチャネルのバンド構造と移動度の理論解析 鎌倉 良成、谷口 研二 (阪大) 19
超臨界膜厚ひずみSi/SiGeの欠陥制御 木村 嘉伸、杉井 信之 (日立中研) 27
異方性ひずみ制御技術と先端CMOSデバイス 入沢寿史 (MIRAI-ASET) 37
シリコンナノ細線への熱酸化応力誘起とフォノン閉じ込め効果 深田 直樹1、大島 崇2、岡田 直也2、松下 聡2
鶴井 隆雄3、陳 君1、関口 隆史1、村上 浩一2
(物材機構1、筑波大2、東北大3)
45
極端に非対称なX線回折法と光電子分光法の併用による絶縁膜-半導体界面の物性評価 秋本 晃一 (名大)、廣瀬 和之 (宇宙研) 51
電子顕微鏡周辺技法を用いた歪み解析へのアプローチ 杉山 直之 (東レリサーチセンター) 59
Siのひずみ評価技術 小椋 厚志 (明治大) 67


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