■第131回研究会(2009.7)■
結晶欠陥の評価でみえる窒化物半導体の進展
平成21年7月17日
京都テルサ 大会議室 案内
 
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【基調講演】 窒化物半導体中の結晶欠陥とデバイスの特性 天野 浩、岩谷 素顕、上山 智、赤崎 勇 (名城大) 1
透過電子顕微鏡法によるGaN 系半導体レーザ中の結晶欠陥解析 冨谷 茂隆、後藤 修、池田 昌夫 (ソニー) 3
貫通転位は制御できるか
 —電顕による評価と生成・消滅機構の解析—
桑野 範之 (九大) 9
窒化物半導体の高分解X線回折測定でわかる結晶欠陥の評価 草野 修治 (スペクトリス) 17
放射光を利用した窒化物光半導体の評価 榊 篤史 (日亜化学) 25
CL法を用いた窒化物系半導体素子の構造評価 杉江 隆一,三谷 武志,吉川 正信
(東レリサーチセンター)
35
近接場光学顕微鏡によるInGaNナノ構造の
 発光機構解明と高効率化へのアプローチ
川上 養一,金田 昭男,船戸 充 (京大) 45


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