■第135回研究会(2011.6)■ (応用電子物性分科会 連携研究会)
ワイドギャップ半導体パワーデバイス
〜 結晶成長と評価の最前線 〜
平成23年6月23日
京都テルサ 大会議室
案内
 
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      表紙(pdf)

【基調講演】 SiCパワーデバイスの現状と将来展望 木本 恒暢(京都大学) 1
SiC単結晶成長技術の現状と課題 山内 庄一(デンソー) 11
4H-SiCエピ成長と欠陥挙動解析 土田 秀一(電力中央研究所) 21
SiC加工表面の非接触評価 江龍 修(名古屋工業大学) 29
パワーデバイス用GaN基板の開発 碓井 彰(古河機械金属) 37
大口径GaN/Si基板の開発 小宮山 純(コバレントマテリアル) 45
MOCVD法によるSi基板上AlGaN/GaN HEMTについて 江川 孝志(名古屋工業大学) 51


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