■第137回研究会(2012.6)■ (応用電子物性分科会 連携研究会)
窒化物半導体光デバイスの最前線
〜 基板・エピ成長と評価技術 〜
平成24年6月15日
京都テルサ 第一会議室
案内
 
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      表紙(pdf)

【基調講演】窒化物半導体エピタキシャル成長の新展開 天野 浩 (名古屋大学) 1
ハイドライド気相成長法による非極性面GaNの厚膜成長 只友 一行 (山口大学) 6
電子顕微鏡観察で見えること —転位やドメイン— 桑野 範之 (九州大学) 12
X線回折を用いた窒化物半導体エピタキシャル膜の評価法 草野 修治 (スペクトリス) 23
HVPEによるGaNの超高速成長 吉田 丈洋(日立電線) 30
GaN基板を用いたInGaN-LED 横川 俊哉 (パナソニック) 37


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