■第138回研究会(2013.4)■
次世代不揮発性メモリ材料・デバイスを 結晶工学の視点から探る
平成25年4月19日
産総研臨海副都心センター別館
(バイオ・IT融合研究棟)
案内
 
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      表紙(pdf)

【基調講演】半導体新型不揮発メモリの開発競争 藤崎 芳久 (日立中研) 1
PCRAM用Ge-Te系薄膜の相変化挙動 須藤 祐司 (東北大) 17
放射光時間分解X線回折法による
相変化メモリ材料の動的構造計測
田中 義人 (理研) 25
抵抗変化型酸化物薄膜不揮発性メモリーの開発と
放射光界面解析
尾嶋 正治 (東京大) 33
酸化物積層構造を用いた強誘電体ゲートトランジスタ 金子 幸広 (パナソニック) 41
原子移動を利用した3端子素子 長谷川 剛 (物材機構) 49


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