■第139回研究会(2013.6)■
ワイドギャップ半導体の基板から展開するデバイス
—GaN, SiC, Ga2O3結晶の最前線—
平成25年6月6日
京都テルサ 第一会議室 (西館3階)
案内
 
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【基調講演】
パワーデバイス用ワイドバンドギャップ半導体材料の
工業化への課題 
乙木 洋平 (日立電線) 1
SiC単結晶ウェーハ開発の現状とその課題 大谷 昇 (関西学院大) 9
デバイスに向けた酸化ガリウム半導体の結晶成長と物性制御 藤田 静雄 (京都大) 17
HVPEによるGaN結晶作製 碓井 彰 (古河機械金属) 25
Naフラックス法によるGaN結晶育成技術 森 勇介 (大阪大) 33
様々な基板上へのGaN系LEDの現状と展望 天野 浩 (名古屋大学) 39
SiC基板上へのIII族窒化物のコヒーレント成長 須田 淳 (京都大) 45


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