■第141回研究会(2014.6)■
GaN,SiC系パワーデバイス
—結晶欠陥の評価・制御の最前線—
平成26年6月6日
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【基調講演】
 Siパワーデバイスにおける結晶欠陥制御技術
山本 秀和(千葉工業大学) 1
SiCの拡張欠陥のイメージングと欠陥制御 土田 秀一(電力中央研究所) 7
SiC拡張欠陥とショットキーダイオード特性の相関 藤原 広和(トヨタ自動車) 15
SiCバイポーラデバイスに向けた点欠陥の解明と制御 須田 淳,木本 恒暢(京都大学) 21
GaN系異種接合特性と界面欠陥の関連性 橋詰 保(北海道大学) 31
GaN-on-GaN HEMTのデバイス特性に基づく
 結晶欠陥制御の重要性
南條 拓真,柳生 栄治(三菱電機) 37


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