■第69回研究会(1976.9)■
GaAsサブミクロンエピタキシャル結晶の問題点
〜GaAsプレーナ素子用結晶〜
昭和51年9月27日
 
 


GaAsプレーナデバイスにおける
 エピ−基板境界層の問題
生駒 俊明1、伊東 朋弘2、原 和裕1
滝川 正彦1、栗原 由起子1、柳井 久義2
(1東大生研、2東大工)
GaAsサブミクロン層の電気的評価法 新井 道夫 (ソニー中研)
GaAs FET用サブミクロン結晶のバッファ層 青木 征男、平尾 元尚、古寺 博 (日立中研)
GaAs VPEにおける界面特性 柴富 昭洋、中井 建弥、大川 潭二、横山 直樹、
三村 尚志、石川 元 (富士通研)
GaAs MESFET用サブミクロン結晶成長 野崎 忠敏、渡辺 久恒 (日電中研)


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