■第73回研究会(1978.9)■
引上法単結晶の不均一性
昭和53年9月22日
 
 


GaP結晶引上単結晶の不均一性 渡辺 正晴 (東芝半導体)、渡辺 正幸、
小竹 秀典、平原 奎治郎 (東芝総研)
ストリエーシヨンの欠陥構造 千川 純一 (NHK基礎研)
引上法単結晶の不均一性と素子特性 高須 新一郎 (超LSI共同研)
引上法における回転数による界面形状の変化 白木 健一 (日電中研)


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