■第77回研究会(1980.5)■
半導体のゲッタリング技術
昭和55年5月20,21日
 
 


Introductory Talk 渡辺 正睛 (東芝総研)
メカニカルゲッタリンダ 渡辺 純二、澤田 廉士、唐木 俊郎 (電々公社武蔵野通研)
イントリンシックゲッタリング 津屋 英樹 (日電中研)
塩素添加熱処理によるシリコン中の積層欠陥のゲッタリング 服部 毅、鈴木 俊治 (ソニー中研)
レーザ照射によるシリコンの熱酸化積層欠陥制御 川戸 清爾、簗田 鉄之助 (ソニー中研)
裏面ゲッターとMOS素子特性 活田 健治 (電々公社武蔵野通研)
金属級シリコンから作製した
拡散型太陽電池の不純物ゲッタリング
斎藤 忠 (日立中研)
GaAs気相成長における不純物ゲッタリング作用とその応用 米野 純次、柴富 昭洋、大川 潭二 (富士通研)
イオン注入によるGaAs中のCrのゲッタリング 八木田 秀樹、小沼 毅、井上 薫 (松下半導体研)
CZシリコン欠陥分類と繰り返し熱処理における
ゲッタリング効果
有村 誠一、清水 保弘、山根 唯弘、村上 克己
(大阪チタニウム)
2段階アニールSiウエーハのライフタイム評価 山本 和彦、岸野 正剛、飯塚 隆 (超LSI共研)


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