■第85回研究会(1984.7)■
GaAs系のエピタキシャル成長とその結晶工学的評価
昭和59年7月20日
 
 


付加化合物をもちいた砒化ガリウムと燐化インジウムのOMVPE 皆川 重量、中村 均、佐野 日隅 (日立中研)
MBE成長GaAs:SiにおけるSi原子の格子位置の検討 向田 陽子、成沢 忠、小林 啓介、 太田 恒明、
中島 真人、中島 尚男 (光共研)
GaAs系半導体のハロゲン輸送気相成長法と成長メカニズム 水谷 隆 (日電基礎研)
X線準禁制反射法による
 GaAsのノンストイキオメトリーの評価
藤本 勲 (NHK基礎研)
In1-xGaxP1-yAsy y=0.04の2相メルト法によるGaAs基板上への
  LPE成長とフォトルミネッセンスによる評価
白方 祥1、近藤 正彦1、都志 彰人1
刈谷 哲也2、西野 種夫1、浜川 圭弘1
(1阪大基礎工、2高知大理)
MBE成長 Si-doped GaAs, AlGaAs中のDeep Level 渡辺 美代子、森塚 宏平、真下 正夫、芦沢 康夫、
造田 安民 (東芝総研)
パネルディスカッション
—結晶の品質からみたエピタルキシャル成長法の比較—

※第1回シンポジウムも兼ねている

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