■第88回研究会(1987.1)■
バルク結晶の育成と評価
昭和62年1月13日
 
 


Advanced LEC法によるGaAs、InP単結晶の作製 福田 承生 (光共研)
(Ga,As)添加低転位半絶縁性InP結晶 清水 敦、松本 和久 (住友電工)
VM-FEC法GaAs結晶の育成と評価 小林 隆、香田 拡樹、干川 圭吾 (NTT厚木通研)
3T-HB法による中性不純物添加低転位GaAs結晶 藤田 慶一郎、下田 隆司、井上 哲也、松友 俊雄
(住友電工)
インゴット・アニール効果からみたGaAs半絶縁性機構の一考察 乙木 洋平、新沢 正治、中園 隆一、隈 彰二
(日立電線)
三元混晶(GaAsP,InAsP)のバルク成長 日比谷 孟俊、渡辺 久夫 (日電基礎研)
Si結晶成長中の微小欠陥の形成 千川 純一 (高エネ研)
磁界中での高速引上げSi結晶 星 金治、鈴木 利彦、伊沢 伸幸、二神 元信、
加藤 弥三郎 (ソニー)
機械的微振動を導入したInSb引上げ単結晶 熊川 征司、早川 泰弘 (静岡大)
波長可変固体レーザー用酸化物結晶
(Cr3+:GSGG、Cr3+:LLGG)
宮沢 靖人 (無機材研)


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