■第90回研究会(1988.5)■
原子層制御エピタキシャル成長と評価
昭和63年5月17日
 
 


Introductory 藤田 茂夫 (京大工)
マイグレーション・エンハンスト・エピタキシーにおける
GaAsの成長機構
堀越 佳治 (NTT基礎研)
有機金属ガスを用いたGaAs,AlAsのALE成長 尾関 雅志、望月 孔二、大塚 信幸、児玉 邦彦
(富士通研)
II-VI族化合物のALE 八百 隆文 (電総研)
分子層エピタキシャル成長と評価 西澤 潤一 (東北大)
MBEによる超格子の作製と評価 佐野 直克 (関学大理)
ルミネセンスによるGaAs/AlGaAs界面の
 単分子層ステップの観察
中島 尚男 (阪大産研)
クロライドALE 碓氷 彰 (日電基礎研)
ハロゲン系ALEの成長機構 関 寿、纐纈 明伯、中井 英雄、三枝 明彦
  (農工大工)


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