■第92回研究会(1989.5)■
ヘテロエピタキシー
—低欠陥化へのアプローチ—
平成元年5月26日
 
 


Si基板上のGaAsエピタキシーにおける
 成長初期週程と欠陥
川辺 光央 (筑波大)
Si基板上へのシングルドメインGaAs,GaPの成長 梅野 正義、神保 孝志、曽我 哲夫 (名大工),
野崎 真次 (インテル研究所), 能登 宣彦 (信越半導体)
GaAs/SiのMEE成長 野沢 和彦、堀越 佳治、W. Stolz (NTT基礎研)
ポーラスSi基板上へのGaAsのMBE成長 伊藤 利道、平木 昭夫 (阪大工),
長谷川 繁彦、前橋 兼三、佐藤 正道、中島 尚男
(阪大産研)
V溝Si基板上GaAs層の選択成長と評価 橋本 明弘、福永 敏明、渡辺 望 (光技研)
Si(001)基板上へのGeのへテロエピタキシ 三木 一司、坂本 統徳、坂本 邦博、奥村 元、
吉田 貞史 (電総研)
弗化物/Si構造上へのGaAs膜のへテロエピタキシー 石原 宏 (東工大精研)、
筒井 一生、古川 静二郎 (東工大総理工)
Si上へのSiCのヘテロエピタキシー 松波 弘之 (京大工)


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