■第96回研究会(1991.6)■
酸化物超伝導体のエピタキシーの現状
平成3年6月7日
 
 


ヘテロ界面接合の視覚化と分子シミュレーンョン 宮本 明、乾 智行 (京大工)
RHEED振動を用いた酸化物超伝導薄膜の成長 寺嶋 孝仁、坂東 尚周 (京大化研)
In-SituモニタリングによるGaAs系薄膜のエピタキシー 小林 直樹、堀越 佳治 (NTT基礎研)
酸化物超伝導薄膜用基板結晶とエピタキシー 宮澤 信太郎、笹岡 正弘、尚田 昌志 (NTT LSI研)
LEED/RHEED法による
酸化物高温超伝導Bi系バルク単結晶の評価
岸田 悟、徳高 平蔵、西守 克己 (鳥取大工)
酸化物超電導薄膜における“エピタキシャル”成長 森下 忠隆 (超電導工学研)


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