■第10回シンポジウム(1994.7)■
シリコン基板上化合物半導体とデバイス
平成6年7月8日
 
 


光インターコネクションを有するLSIと
 マイクロシステムインテグレーション
小柳 光正 (東北大工)
GaAs/Si:初期過程における2D-3D状態
(Si表面との関連、表面張力からの考察)
太刀川 正美、森 英史 (NTT光エレ研)
Si(001)面上のGeのStranski-Krastanov成長における
 アイランド化機構
酒井 朗、辰巳 徹
(NECマイクロエレクトロニクス研)
Si基板上GaAs初期状態に及ぼす基板面方位の効果 淀 徳男、田村 誠男、斉藤 徹、ジョイス・パ一マー
(光技研)
GaAs-on-Siにおける歪短周期超格子の挿入による
 貫通転位の発生の抑制
高木 康文、米津 宏雄、林田 圭司、左文字 克哉、
大島 直樹、朴 康司 (豊橋技科大)
不整合転位密度の制御によるGaAs/Siの応力低減 浅井 孝祐、片浜 久、柴 育成 (住友金属工業)
InP/Si直接接合の熱処理温度依存性 和田 浩、上条 健 (RWCP・沖電気光沖研)
Si基板上化合物半導体を用いた光・電子デバイス 梅野 正義、神保 孝志、江川 孝志 (名工大)
Si上InGaAs系MSMフォトダイオード 佐々木 徹、太刀川 正美、須郷 満、森 英史
(NTT光エレ研)、榎木 孝知 (LSI研)
HEMT on Si技術の現状 大堀 達也、未廣 晴彦、恵下 隆、河西 和美、
米野 純次 (富士通研)
HEMT/SiのVth均一性と高周波特性 藍郷 崇、森谷 明弘 (新日鉄エレ研)


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