■第11回シンポジウム(1995.7)■
酸化物薄膜の結晶工学
 —強誘電体メモリ、光ICなど新しいデバイスのためのキーマテリアルとして —
平成7年7月3日
 
 


強誘電体薄膜とエレクトロニクス応用 川合 知二 (阪大産研)
高周波マグネトロンスパッタリング装置による
 高配向MgO薄膜の成膜
三崎 幸典、三河 通男 (詫間電波高専),
濱崎 勝義 (長岡技科大)
レーザアブレ一ション法による半導体基板上での
 MgOバッファ層を介した高配向PZT薄膜の成長
米津 保人 (石川県工業試験場), 増田 淳、山中 康弘、
田添 光俊、森本 章治、清水 立生 (金沢大工)
レーザーMBE法による
 ぺロブスカイト酸化物薄膜の2次元エピタキシャル成長
鯉沼 秀臣、吉本 護、川崎 雅司
(東工大工材研)
パルスレーザ蒸着法による
 導電性べロブスカイト酸化物薄膜の作製
平谷 正彦、今川 一重、高木 一正 (日立中研)
強誘電体材料とメモリデバイス応用 國尾 武光 (日電マイクロエレ研)
DRAM用SrTiO3薄膜のCVD 清利 正弘、今井 馨太郎、江口 和弘
(東芝R&DセンターULSI研)
酸化物チャネルを用いた電界効果型トランジスタ 吉田 晃、波頭 経裕、高内 英規、藤巻 則夫、
横山 直樹 (富士通),田村 泰孝、後藤 公太郎、
吉田 親子 (富士通研)
全ぺロブスカイト強誘電/半導体構造によるメモリー性FET等 渡部 行男 (三菱化学横浜総研)
SHG用ニオブ酸リチウム周期分極反転構造の作製の検討 山田 正裕、名田 直司、小川 剛、
山口 恭司、斉藤 真樹 (ソニー中研)
電気光学材料のICテスティングへの応用 永妻 忠夫 (NTTLSI研)
高速イオン散乱法による酸化物薄膜の評価 綿森 道夫、尾浦 憲治郎 (阪大工)
歪イメージングによるPZT薄膜の観察 高田啓二 (日立基礎研)


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