■第2回シンポジウム(1985.7)■
半導体材料のOMVPE
昭和60年7月19日
 
 


減圧MOCVDによる高品質ZnSeの成長 吉川 明彦、田中 敬二、鬼山 英幸、山賀 重來、葛西 晴雄
(千葉大工)
四重極質量分析計によるGaAs減圧OMVPEのガス分析 堀口 青史、木村 康三、高岸 成典、香門 浩一、
三原 稔、石井 恂 (光共研)
減圧OMVPEによるGaAs, AlGaAsの選択成長 香門 浩一、高岸 成典、木村 康三、嶋津 充、
三原 稔、石井 恂 (光共研)
MOCVD GaAsのノンストイキオメトリーとDeep Levelの関係 藤崎 芳久、高野 幸男、石場 努 (日立中研)、
坂口 春典、小野 祐ー (日立電線)
薄膜成長技術としてのMOCVD 高橋 清 (東工大工)
MOCVD:ヘテロ成長と極薄膜成長 森 芳文 (ソニー中研)
エチル系MOCVD AlGaAs/GaAs成長および2DEGFET 高梨 良文、小林 直樹 (武蔵野通研)
LP-MOCVD InGaP/GaAsのPL特性 大場 康夫、山本 基幸、岩本 正巳、中西 隆敏
(東芝総研)
MOCVD InGaAsP/InP MQW構造の作製 森崎元司、吉岡芳明、小倉基次
(松下中研・松下テクノリサーチ)
GaInAs/InPヘテロ構造のMOCVD成長 福井 孝志、斎藤 久夫、山田 省二 (武蔵野通研)


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