■第3回シンポジウム(1986.7)■
II-VI族化合物の結晶成長と評価
昭和61年7月18日
 
 


ワイドギャップII-VI族化合物の現状と将来 (招待講演) 柊元 宏 (東工大)
蒸気圧制御温度差法によるZnSeの結晶成長とpn接合 (招待講演) 奥野 保男 (半研)、須藤 建 (東北大)
マイクロ波および遠赤外レーザー磁気光共鳴吸収からみた
 ZnSeの結晶評価
榊原 清彦、大山 忠司、大塚 穎三 (阪大)、
一色 実、増本 剛 (東北大)
ZnSeの減圧気相成長と評価 松本 俊、吉田 茂樹、小林 宣夫、飯島 熏s、
石田哲朗 (山梨大)
減圧MOCVD法によるZnSの欠陥評価とヨウ素添加効果 川上 養一、田口 常正、平木 昭夫 (阪大)
水素ラジカルCVD法によるZnSe薄膜の作製と評価 小田 俊理、佐藤 恒夫、清水 勇 (東工大)、
川瀬 龍一、小門 宏 (総理工)
MOCVD法によるGaAs上ZnSe初期成長過程と界面特性 末宗 幾夫、大観 光徳、神田 隆司、行武 和俊、
山西 正道 (広島大)
DEZ供給律速条件下での高品質ZnSeのMOVPE成長 柴田 典義、前佛 栄 (NTT)
ZnSe, ZnSSe混晶のMOCVD成長 別府 達郎 (東芝)
MBE法によるZnSeのエピタキシャル成長とドーピング 三露 常男、大川 和宏、山崎 攻 (松下)
格子整合混晶ZnSxSe1-xのMBE成長 松村 信男、石川 克也、更家 淳司、淀川 寛
(京都工繊大)
ZnSe/GaAs界面の歪 八百 隆文、岡田 安正 (電総研)、
松井 進、石田 興太郎 (東理大)
MBE,MOMBE法によるII-VI族化合物半導体歪超格子 安藤 秀泰、大家 彰、小林 正和、木村 龍平、
小長井 誠、高橋 清 (東工大)
まとめ 藤田 茂夫 (京大)


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