■第4回シンポジウム(1987.7)■
ヘテロエピタキシー
—界面の結晶工学—
昭和62年7月17日
 
 


GaAs on Siの初期成長過程 (招待講演) 川辺 光央、高杉 英利 (筑波大物質工)、
上田 登志雄、横山 新、板東 義雄 (無機材研)
Si(100)表面の熱処理による構造変化 井上 直久 (NTT厚木研)、谷城 康眞、八木 克道 (東工大理)
GaAs on SiのRBSによる評価 大山秀明 (東理大理)、成沢 忠、中島 尚男 (光共研)
GaAs/GaP,GaP/GaAsヘテロ成長初期過程 野村 卓志、宮尾 正大、石川 賢司、鈴木 佳子、
萩野 實 (静大電子研)
MBE法によるSi(100)上へのGeヘテロエピタキシャル成長 川上 和人、倉門 雅彦、梶山 健二 (新日鉄第1技研)
MBE成長Si1-xGex/Siの臨界膜厚と格子緩和 福田 幸夫、小濱 剛孝、関 昌浩 (NTT通研)
SOSヘテロエピタキシャル成長における界面制御 石田 誠、中村 哲郎 (豊橋技科大)、
安田 幸夫 (名大工)
MOVPE法によるα-Al2O3上へのGa1-xAlxN(O≦X≦1)の成長と物性 天野 浩、小出 康夫、服部 克己、平松 和政、
澤木 宣彦、赤崎 勇 (名大工)、
真部 勝英 (豊田合成)
(Ca,Sr)F2(100)膜上に成長したGaAs中のアンチフェーズ
欠陥に対する4回対称微小ファセットによる発生モデル
筒井 一生、浅野 種正、石原 宏、古川 静二郎
(東工大総理工)
ガスソースMBE法によるZnSの成長とその結晶評価 金田 重男、鹿野 文久、下口 剛史、高橋 浩信
(長岡技科大)、横山 明聡、佐藤 修治 (日本精機)
歪超格子層を導入したZnSe/ZnS MOVPEヘテロエピタキシー 横川 俊哉、小倉 墓次、梶原 孝生 (松下電産)
エピタキシャル膜中の歪測定 伊藤 進夫、岡本 啓一 (阪府大工)
エピタキシャルCdTb層のInSb基板面方位依存性定 西林 良樹、井村 鍵、大坂 之雄 (広大工)
Cr発光線によるZnSxSe1-x/GaAsヘテロ界面の評価 戸波 与之、西野 種夫、浜川 圭弘 (阪大基礎工)、
藤田 茂夫 (京大工)


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