■第5回シンポジウム(1988.7)■
16Mビット時代の結晶工学
—新しいシリコン技術の諸問題—
昭和63年7月15日
 
 


超LSI時代のシリコン結晶技術 (招待講演) 渡辺正晴 (東芝)
Si中のFeおよび軽元素の挙動 伊藤 泰蔵、阿部 孝夫 (信越半導体)
Si中のBMD (酸素体内微小析出欠陥)の適正化
—特に、サイズについて—
鹿島 一日児、鈴木 修、竹田 隆二、 栗原 誠司、
桐野 好生、高須 新一郎 (東芝セラミックス)
CZシリコン中の欠陥核形成 島貫 康、降屋 久、山下 一郎 (三菱金属)
シリコン中の格子間型酸素に起因する赤外吸収
—分子軌道法による計算—
金田 千穂子、大沢 昭 (富士通研),
金田 寛 (富士通)
シリコン結晶中およびシリコン表面の酸素原子の
 安定位置と電子状態
押山 淳、宮本 良之、石谷 明彦 (日電基礎研),
斉藤 峯雄 (日電技術情報システム開発)
シリコン選択エピタキシャル成長技術の現状と超LSIへの応用 石谷 明彦、高田 俊和、北島 洋、大下 祥雄 (日本電気基礎研)、
遠藤 伸裕、笠井 直記 (マイクロエレクトロニクス研)
シリコンウェハ直換接合 古川 和由、丹澤 勝二郎、中川 明夫、大浦 純一 (東芝)
ウェーハ張り合わせ技術によるSOI 有本 由弘、尾開 雅志 (富士通研)、
後藤 寛、上野 勝信、今岡 和典 (富士通)
集束イオンビーム誘起固相成長によるSOI形成 金丸 正剛、金山 敏彦、田上 尚男、古室 昌徳
(電総研)
断面TEMを用いたSOI基板構造の結晶評価 宮武 浩、山口 泰男、益子 洋治、西村 正、
小山 浩 (三菱電線LSI研)
断面TEM法によるAsイオン注入損傷と二次欠陥の評価 青木 茂、高野 幸男 (日立中研)


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