■第6回シンポジウム(1989.7)■
Si-Ge系エピタキシー技術
平成元年7月18日
 
 


Introductory  
(Si)m/(Ge)n歪み超格子の電子構造計算 池田 稔 (富士通厚木研)、寺倉 清之 (東大物性研)、
小口 多美夫 (金属材料技研)
Ge/Si歪超格子のER、PRによる評価 浅見 久美子、権田 俊一 (阪大産研)、
坂本 統徳、坂本 邦博、三木 一司 (電総研)
MBEによるGe/Si(001)ヘテロエピタキシ 三木 一司、坂本 統徳、坂本 邦博、奥村 元、
吉田 貞史 (電総研)
シリコン基板上のへテロエピタクシー:
 Ge/Si(001)&(111) (招待講演)
高柳 邦夫 (東工大総理工)
Si(100)−2x1面上へのGeのMBE成長 飛田 雄弘、松原 俊夫、尾畑 洋、丹保 豊和、
上羽 弘、龍山 智栄 (富山大工)
RHEED, AESラマン分光によるGe/Si構造の熱的安定性の評価 中村 友二、清水 紀嘉 (富士通厚木研)
SiGeのへテロエピタキシとミスフイット転位の形成機構 福田 幸夫、小濱 剛孝、大町 督郎 (NTT電子応用研)
MBE法で形成したSi1-xGex/Siの歪みと基板面方位依存性 江藤 浩幸、村上 幸一、石坂 彰利、嶋田 寿一、
宮尾 正信 (日立中研)
yo-yo溶質供給法による厚いGeSi混晶層の成長 助川 徳三、伊澤 誠、山下 和昭、 勝野 広宣、
木村 雅和、田中 昭 (静大電子研)
SiMBEによるGexSi1-xHBTの試作 辰已 徹、平山 博之、相崎 尚昭 (日電基礎研)
p-Si1-xGexMBE膜/Sisub界面の
 キャリア濃度分布とその基板処理依存性
金谷 宏行、重川 秀実、長谷川 文夫 (筑波大物質工学系)
山香 英三 (筑波技術短大)
SiCの低温成長 杉井 寿博、袋田 淳史、伊藤 隆司 (富士通研)
Si(111)上のGaAs薄膜成長 菊田 邦子、吉川 公麿 (日本電気マイクロエレ研)


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