■第7回シンポジウム(1990.7)■
ULSIにおける結晶工学
平成2年7月26日
 
 


高分解能TEMによるSi-SiO2界面の観察 飯島 澄男 (NEC)
HRTEM像と光回折像から推定される
SiO2/(001)Si界面の凹凸の大きさ
赤津 浩之、角 康之、大泊 巌 (早大)
急速熱処理により形成した
極薄SiO2膜のSiO2/Si(100)界面構造
福田 永 (沖電気)
Siウェハ表面の凹凸によるMOS酸化膜の信頼性の低下 中西 俊郎、岸井 貞浩、大沢 昭 (富士通)
招待講演:超LSIの展望と期待 垂井 康夫 (農工大)
レーザラマン分光法による多結晶シリコン薄膜の評価 河田 将大、河東田 隆 (東大)、
灘原 壮一、塩澤 順一、渡辺 正晴 (東芝)
酸化膜耐圧の優れたCZシリコン単結晶 日月 應治、左近 正 (新日鐵)、
金子 高之 (ニッテツ電子)
フッ酸処理Si表面の自然酸化膜抑制と低温エピ成長の結晶性 井上 洋典、宮内 昭浩、秋山 幹夫、鈴木 誉也
(日立)
CVD法によるSi上へのGeのエピタキシャル成長過程 室田 淳一、小林 信一、加藤 学、御小柴 宣夫、
小野 昭一 (東北大)
低速電子透過分光によるAl/Si(l11)界面の評価 長谷川 繁彦、松田 好正、李 成泰、中島 尚男
(阪大)
a-Si/Si(111)界面に局在するB√3構造の電気伝導 辰已 徹、新野 多恵子、平山 博之、広沢 一郎、
水木 純一郎 (NEC)


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